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1. 发明专利

TWI459401B 應用於一記憶體電路內複數個記憶區塊的栓鎖系統有权
简体标题：应用于一内存电路内复数个记忆区块的栓锁系统
公开(公告)号：TWI459401B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW100107885
申请日：2011-03-09
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 張正男 , CHANG, CHENG NAN
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22
CPC分类号： G11C7/1087

2. 发明专利

TWI445011B 可操作於超負荷應力模式的記憶體裝置、對記憶體裝置進行超負荷應力模式的方法及偵測記憶體裝置之漏電流的方法有权
简体标题：可操作于超负荷应力模式的内存设备、对内存设备进行超负荷应力模式的方法及侦测内存设备之漏电流的方法
公开(公告)号：TWI445011B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW099145750
申请日：2010-12-24
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 陳子豪 , CHEN, TZU HAO , 余德益 , YU, TE YI , 郭明宏 , KUO, MING HONG
IPC分类号： G11C8/14 , G11C8/08 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/06 , G11C11/412 , G11C29/50 , G11C2029/5006

3. 发明专利

TWI436077B 增加晶片預燒掃描效率的方法有权
简体标题：增加芯片预烧扫描效率的方法
公开(公告)号：TWI436077B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW099140510
申请日：2010-11-24
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 楊連聖 , YANG, LIEN SHENG , 陳威儒 , CHEN, WEI JU
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G11C29/06

4. 发明专利

TW201407610A 偽靜態隨機存取記憶體之運作方法及相關記憶裝置审中-公开
简体标题：伪静态随机存取内存之运作方法及相关记忆设备
公开(公告)号：TW201407610A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101128970
申请日：2012-08-10
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳和穎 , CHEN, HO YIN , 劉士暉 , LIU, SHI HUEI
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/40615 , G11C11/4063
摘要：在收到一外部指令訊號時，依據一偽靜態隨機存取記憶體之一目前狀態來設定其延遲時間。若偽靜態隨機存取記憶體並未在執行一特定運作，或已經完成特定運作且符合相對應時序參數，以一第一延遲時間來執行外部指令訊號。若偽靜態隨機存取記憶體正在執行特定運作，或已經完成特定運作但尚未符合時序參數，以一第二延遲時間來執行該外部指令訊號，其中第二延遲時間大於第一延遲時間。
简体摘要：在收到一外部指令信号时，依据一伪静态随机存取内存之一目前状态来设置其延迟时间。若伪静态随机存取内存并未在运行一特定运作，或已经完成特定运作且符合相对应时序参数，以一第一延迟时间来运行外部指令信号。若伪静态随机存取内存正在运行特定运作，或已经完成特定运作但尚未符合时序参数，以一第二延迟时间来运行该外部指令信号，其中第二延迟时间大于第一延迟时间。

5. 发明专利

TWI417756B 用以記錄記憶體電路光罩改版的電路有权
简体标题：用以记录内存电路光罩改版的电路
公开(公告)号：TWI417756B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW099145171
申请日：2010-12-22
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 陳永興 , CHEN, YUNG HSING , 張正男 , CHANG, CHENG NAN
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/027
CPC分类号： G06F17/5081

6. 发明专利

TWI498890B 偽靜態隨機存取記憶體之運作方法及相關記憶裝置有权
简体标题：伪静态随机存取内存之运作方法及相关记忆设备
公开(公告)号：TWI498890B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101128970
申请日：2012-08-10
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳和穎 , CHEN, HO YIN , 劉士暉 , LIU, SHI HUEI
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/40615 , G11C11/4063

7. 发明专利

TWI408697B 記憶體裝置與記憶體控制方法有权
简体标题：内存设备与内存控制方法
公开(公告)号：TWI408697B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098126307
申请日：2009-08-05
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 劉士暉 , LIU, SHI HUEI
IPC分类号： G11C8/18 , G11C8/16 , G11C8/06
CPC分类号： G11C29/84

8. 发明专利

TWI408392B 增加晶片測試效率的裝置及其方法有权
简体标题：增加芯片测试效率的设备及其方法
公开(公告)号：TWI408392B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW100105390
申请日：2011-02-18
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：劉士暉 , LIU, SHI HUEI , 洪森富 , HONG, SEN FU , 陳和穎 , CHEN, HO YIN
IPC分类号： G01R31/3183
CPC分类号： G11C29/10 , G11C29/36 , G11C29/40 , G11C2029/3602

9. 发明专利

TW201227752A 可操作於超負荷應力模式的記憶體裝置、對記憶體裝置進行超負荷應力模式的方法及偵測記憶體裝置之漏電流的方法 MEMORY DEVICE OPERATIVE IN A STRESS MODE, METHOD FOR PERFORMING BURN IN STRESS ON A MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING LEAKAGE CURRENT ON A MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：可操作于超负荷应力模式的内存设备、对内存设备进行超负荷应力模式的方法及侦测内存设备之漏电流的方法 MEMORY DEVICE OPERATIVE IN A STRESS MODE, METHOD FOR PERFORMING BURN IN STRESS ON A MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING LEAKAGE CURRENT ON A MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201227752A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099145750
申请日：2010-12-24
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：劉士暉 , 陳子豪 , 余德益 , 郭明宏
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/06 , G11C11/412 , G11C29/50 , G11C2029/5006
摘要：激活二條隔離字元線之間的二條主動字元線中的一條主動字元線至一邏輯高電位,以及浮接該二條主動字元線中的另一條主動字元線;然後激活對應於具有該邏輯高電位的主動字元線的複數個第一記憶細胞至一邏輯1電位,以及寫入對應於具有該浮接的主動字元線的複數個第二記憶細胞至一邏輯0電位;再來寫入該邏輯1電位至複數條位元線;之後電荷分享一第三預定時間;最後讀取該浮接的主動字元線的電位,以判斷是否有漏電流路徑存在於該浮接的主動字元線與該邏輯高電位的主動字元線之間。
简体摘要：激活二条隔离字符线之间的二条主动字符线中的一条主动字符线至一逻辑高电位,以及浮接该二条主动字符线中的另一条主动字符线;然后激活对应于具有该逻辑高电位的主动字符线的复数个第一记忆细胞至一逻辑1电位,以及写入对应于具有该浮接的主动字符线的复数个第二记忆细胞至一逻辑0电位;再来写入该逻辑1电位至复数条比特线;之后电荷分享一第三预定时间;最后读取该浮接的主动字符线的电位,以判断是否有漏电流路径存在于该浮接的主动字符线与该逻辑高电位的主动字符线之间。

10. 发明专利

TW201235683A 增加晶片測試效率的裝置及其方法 DEVICE OF INCREASING A CHIP TESTING EFFICIENCY AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：增加芯片测试效率的设备及其方法 DEVICE OF INCREASING A CHIP TESTING EFFICIENCY AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201235683A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100105390
申请日：2011-02-18
申请人：鈺創科技股份有限公司
发明人：劉士暉 , 洪森富 , 陳和穎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C29/10 , G11C29/36 , G11C29/40 , G11C2029/3602
摘要：增加晶片測試效率的裝置包含一式樣產生器、一讀取單元、一邏輯運算器及一判斷單元。該式樣產生器係用以對一記憶體晶片內的每一記憶區塊寫入一邏輯電位；該讀取單元係用以讀取該記憶區塊內所有記憶單元儲存的邏輯電位；該邏輯運算器係用以對該記憶區塊內所有記憶單元儲存的邏輯電位執行一第一邏輯運算，以產生一對應於該記憶區塊的第一邏輯運算結果，以及對複數個第一邏輯運算結果執行一第二邏輯運算，以產生一對應於該記憶體晶片的第二邏輯運算結果；及該判斷單元係根據該第二邏輯運算結果，判斷該記憶體晶片是否合格。
简体摘要：增加芯片测试效率的设备包含一式样产生器、一读取单元、一逻辑运算器及一判断单元。该式样产生器系用以对一内存芯片内的每一记忆区块写入一逻辑电位；该读取单元系用以读取该记忆区块内所有记忆单元存储的逻辑电位；该逻辑运算器系用以对该记忆区块内所有记忆单元存储的逻辑电位运行一第一逻辑运算，以产生一对应于该记忆区块的第一逻辑运算结果，以及对复数个第一逻辑运算结果运行一第二逻辑运算，以产生一对应于该内存芯片的第二逻辑运算结果；及该判断单元系根据该第二逻辑运算结果，判断该内存芯片是否合格。

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