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1. 发明专利

TW201639017A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201639017A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104144212
申请日：2015-12-29
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 西野曜子 , NISHINO, YOKO , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B28D5/04 , C30B33/00
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406
摘要：本發明之課題為提供一種可以有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，其包含：分離起點形成步驟，是將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與晶錠之表面距離相當於生成之晶圓厚度的深度上，並且相對地移動該聚光點及該六方晶體單晶晶錠來將雷射光束照射在晶錠之表面，並形成與表面平行之改質層及從該改質層沿c面伸長之裂隙而形成分離起點；及晶圓剝離步驟，將形成有分離起點且於上表面配置有保護構件的六方晶體單晶晶錠浸漬於水中並且賦予超音波振動，以由六方晶體單晶晶錠剝離板狀物。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可以有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，其包含：分离起点形成步骤，是将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与晶锭之表面距离相当于生成之晶圆厚度的深度上，并且相对地移动该聚光点及该六方晶体单晶晶锭来将激光光束照射在晶锭之表面，并形成与表面平行之改质层及从该改质层沿c面伸长之裂隙而形成分离起点；及晶圆剥离步骤，将形成有分离起点且于上表面配置有保护构件的六方晶体单晶晶锭浸渍于水中并且赋予超音波振动，以由六方晶体单晶晶锭剥离板状物。

2. 发明专利

TW201631227A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201631227A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104136021
申请日：2015-11-02
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 西野曜子 , NISHINO, YOKO
IPC分类号： C30B29/40 , B23K26/00 , B23K26/53 , B28D5/00 , C30B33/00 , C30B29/36
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/322 , H01L21/78
摘要：本發明之課題為提供一種可有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，特徵在於具備：分離起點形成步驟，將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與表面距離相當於生成之晶圓厚度的深度，並且將該聚光點及該六方晶體單晶晶錠相對地移動而將該雷射光束照射在表面，並形成與表面平行之改質層及從該改質層伸長之裂隙而形成分離起點；及晶圓剝離步驟，實施該分離起點形成步驟之後，由該分離起點將相當於晶圓厚度的板狀物由該六方晶體單晶晶錠剝離以生成六方晶體單晶晶圓，其中，該分離起點形成步驟包含：改質層形成步驟，使c軸相對於表面之垂直線傾斜偏角角度，並在與表面及c面之間形成偏角之方向正交的方向上相對地移動雷射光束之聚光點以形成直線狀的改質層；及分度步驟，在形成有該偏角的方向上將該聚光點相對地移動並分度預定量。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，特征在于具备：分离起点形成步骤，将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与表面距离相当于生成之晶圆厚度的深度，并且将该聚光点及该六方晶体单晶晶锭相对地移动而将该激光光束照射在表面，并形成与表面平行之改质层及从该改质层伸长之裂隙而形成分离起点；及晶圆剥离步骤，实施该分离起点形成步骤之后，由该分离起点将相当于晶圆厚度的板状物由该六方晶体单晶晶锭剥离以生成六方晶体单晶晶圆，其中，该分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，使c轴相对于表面之垂直线倾斜偏角角度，并在与表面及c面之间形成偏角之方向正交的方向上相对地移动激光光束之聚光点以形成直线状的改质层；及分度步骤，在形成有该偏角的方向上将该聚光点相对地移动并分度预定量。

3. 发明专利

TW201625393A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201625393A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104136023
申请日：2015-11-02
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 西野曜子 , NISHINO, YOKO
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/38
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , H01L21/78
摘要：本發明之課題為提供一種可以有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，並包含分離起點形成步驟，其是將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與該第一面距離相當於生成之晶圓厚度的深度，並且將該聚光點及該六方晶體單晶晶錠相對地移動，向晶錠之表面照射雷射光束，並形成與表面平行之改質層及從該改質層伸長之裂隙而形成分離起點。分離起點形成步驟包含：第一分離起點形成步驟，將雷射光束之聚光點定位在與晶錠表面距離相當於應生成之晶圓厚度的深度的2以上之整數倍的深度，以形成由第一改質層及第一裂隙所構成之第一分離起點；以及第二分離起點形成步驟，在實施該第一分離起點形成步驟之後，將雷射光束之聚光點定位在從該第一分離起點朝該表面的方向減去相當於應生成之晶圓厚度的深度後之第二深度，以形成由第二改質層及第二裂隙所構成之第二分離起點。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可以有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，并包含分离起点形成步骤，其是将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与该第一面距离相当于生成之晶圆厚度的深度，并且将该聚光点及该六方晶体单晶晶锭相对地移动，向晶锭之表面照射激光光束，并形成与表面平行之改质层及从该改质层伸长之裂隙而形成分离起点。分离起点形成步骤包含：第一分离起点形成步骤，将激光光束之聚光点定位在与晶锭表面距离相当于应生成之晶圆厚度的深度的2以上之整数倍的深度，以形成由第一改质层及第一裂隙所构成之第一分离起点；以及第二分离起点形成步骤，在实施该第一分离起点形成步骤之后，将激光光束之聚光点定位在从该第一分离起点朝该表面的方向减去相当于应生成之晶圆厚度的深度后之第二深度，以形成由第二改质层及第二裂隙所构成之第二分离起点。

4. 发明专利

TWI673785B 晶圓的生成方法有权
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TWI673785B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104141116
申请日：2015-12-08
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 西野曜子 , NISHINO, YOKO
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B28D5/00

5. 发明专利

TW201834051A 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置审中-公开
简体标题：工件的检查方法、工件的检查设备及加工设备
公开(公告)号：TW201834051A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107106243
申请日：2018-02-23
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 北野元己 , KITANO, MOTOMI , 前嶋信 , MAEJIMA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66 , B24B49/00
摘要： [課題]更適當且便於檢測出工件的研削痕。[解決手段]本發明包括：加工步驟，係用研削磨石或研磨墊對工件進行加工；投影步驟，係將來自光源的光照射在該工件的被加工面，而被該被加工面所反射的該光抵達螢幕，藉此將反映了該加工步驟之中被加工面上所形成凹凸的狀態之投影影像予以映照在該螢幕；攝像步驟，係對該螢幕的該投影影像進行攝像來形成攝像圖像；及判定步驟，係根據該攝像圖像來掌握該工件的該凹凸狀態，進而判定工件之好壞與否。
简体摘要： [课题]更适当且便于检测出工件的研削痕。[解决手段]本发明包括：加工步骤，系用研削磨石或研磨垫对工件进行加工；投影步骤，系将来自光源的光照射在该工件的被加工面，而被该被加工面所反射的该光抵达屏幕，借此将反映了该加工步骤之中被加工面上所形成凹凸的状态之投影影像予以映照在该屏幕；摄像步骤，系对该屏幕的该投影影像进行摄像来形成摄像图像；及判定步骤，系根据该摄像图像来掌握该工件的该凹凸状态，进而判定工件之好坏与否。

6. 发明专利

TW201639018A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201639018A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104144214
申请日：2015-12-29
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 西野曜子 , NISHINO, YOKO , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/06
摘要：本發明之課題為提供一種可以有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，並包含分離起點形成步驟，其是將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與晶錠之表面距離相當於生成之晶圓厚度的深度，並且將該聚光點與該六方晶體單晶晶錠相對地移動而將雷射光束照射在晶錠的表面，並形成由與表面平行之改質層及從該改質層沿c面伸長之裂隙所構成的分離起點。分離起點形成步驟是由第1分離起點形成步驟與第2分離起點形成步驟所構成，該第1分離起點形成步驟是從晶錠的掃描開始點到掃描結束點以去路及返路掃描雷射光束，該第2分離起點形成步驟是將雷射光束從掃描結束點開始掃描並以去路及返路掃描到掃描開始點為止。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可以有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，并包含分离起点形成步骤，其是将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与晶锭之表面距离相当于生成之晶圆厚度的深度，并且将该聚光点与该六方晶体单晶晶锭相对地移动而将激光光束照射在晶锭的表面，并形成由与表面平行之改质层及从该改质层沿c面伸长之裂隙所构成的分离起点。分离起点形成步骤是由第1分离起点形成步骤与第2分离起点形成步骤所构成，该第1分离起点形成步骤是从晶锭的扫描开始点到扫描结束点以去路及返路扫描激光光束，该第2分离起点形成步骤是将激光光束从扫描结束点开始扫描并以去路及返路扫描到扫描开始点为止。

7. 发明专利

TW201511113A 封裝基板之加工方法审中-公开
简体标题：封装基板之加工方法
公开(公告)号：TW201511113A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103123332
申请日：2014-07-07
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：出島信和 , DEJIMA, NOBUKAZU , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 木村早希 , KIMURA, SAKI , 竹內雅哉 , TAKEUCHI, MASAYA
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明的課題是提供一種可以在不使封裝基板之品質降低的情況下將封裝基板分割成一個個封裝裝置的封裝基板之加工方法。解決手段為將在熱擴散基板表面以形成格子狀之分割預定線所劃分而成的複數個區域中分別配置有裝置，並將複數個裝置以合成樹脂層被覆之封裝基板沿著分割預定線分割成一個個封裝裝置的封裝基板之加工方法，其包含，透過將封裝基板的熱擴散基板側以保持機構保持，並將切削刀定位於分割預定線同時切入進給至熱擴散基板的表面附近，且沿著分割預定線進行切削的作法，以沿著分割預定線形成切削溝之切削溝形成步驟，以及透過將實施過切削溝形成步驟之封裝基板的熱擴散基板側以保持機構保持，並沿著依分割預定線形成之該切削溝照射雷射光線的作法，以沿該切削溝將熱擴散基板切斷之熱擴散基板切斷步驟。
简体摘要：本发明的课题是提供一种可以在不使封装基板之品质降低的情况下将封装基板分割成一个个封装设备的封装基板之加工方法。解决手段为将在热扩散基板表面以形成格子状之分割预定线所划分而成的复数个区域中分别配置有设备，并将复数个设备以合成树脂层被覆之封装基板沿着分割预定线分割成一个个封装设备的封装基板之加工方法，其包含，透过将封装基板的热扩散基板侧以保持机构保持，并将切削刀定位于分割预定线同时切入进给至热扩散基板的表面附近，且沿着分割预定线进行切削的作法，以沿着分割预定线形成切削沟之切削沟形成步骤，以及透过将实施过切削沟形成步骤之封装基板的热扩散基板侧以保持机构保持，并沿着依分割预定线形成之该切削沟照射激光光线的作法，以沿该切削沟将热扩散基板切断之热扩散基板切断步骤。

8. 发明专利

TW201447278A 保護膜檢測裝置审中-公开
简体标题：保护膜检测设备
公开(公告)号：TW201447278A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108726
申请日：2014-03-12
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 大浦幸伸 , OHURA, YUKINOBU
IPC分类号： G01N21/84 , B23K26/18 , B23K26/70
摘要：本發明之課題在於確認被加工物之加工面上披覆保護膜時，該保護膜有否有披覆全部表面。解決手段為設有可保持表面披覆有保護膜之被加工物的保持台和，可將水蒸氣噴射於保持在保持台上之被加工物表面的水蒸氣噴射機構和，對受到水蒸氣噴射機構噴射水蒸氣之被加工物的表面整面進行拍攝的攝影機構和，藉由攝影機構所拍攝之表面影像資訊的影像處理而可以透過披覆有保護膜之披覆區域和，由於未披覆保護膜而會因水蒸氣附著而形成水滴的凹凸並產生光的散射之非披覆區域的光的強度差，來檢測出非披覆區域的檢測機構和，可在檢測機構檢測出非披覆區域時通報該訊息的通報機構。並可防止在非披覆區域存在的狀態下從被加工物之表面側施以雷射加工而使碎屑附著在非披覆區域之情形。
简体摘要：本发明之课题在于确认被加工物之加工面上披覆保护膜时，该保护膜有否有披覆全部表面。解决手段为设有可保持表面披覆有保护膜之被加工物的保持台和，可将水蒸气喷射于保持在保持台上之被加工物表面的水蒸气喷射机构和，对受到水蒸气喷射机构喷射水蒸气之被加工物的表面整面进行拍摄的摄影机构和，借由摄影机构所拍摄之表面影像信息的影像处理而可以透过披覆有保护膜之披覆区域和，由于未披覆保护膜而会因水蒸气附着而形成水滴的凹凸并产生光的散射之非披覆区域的光的强度差，来检测出非披覆区域的检测机构和，可在检测机构检测出非披覆区域时通报该消息的通报机构。并可防止在非披覆区域存在的状态下从被加工物之表面侧施以激光加工而使碎屑附着在非披覆区域之情形。

9. 发明专利

TW201639016A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201639016A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104144211
申请日：2015-12-29
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 西野曜子 , NISHINO, YOKO , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B28D5/00 , B28D5/04 , C30B33/00
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/06
摘要：本發明之課題為提供一種可以有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，並包含分離起點形成步驟，其是將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與晶錠之表面距離相當於生成之晶圓厚度的深度，並且將該聚光點與該六方晶體單晶晶錠相對地移動而將雷射光束照射在晶錠的表面，並形成與表面平行之改質層及從該改質層沿c面伸長之裂隙以形成分離起點。分離起點形成步驟是由第1分離起點形成步驟與第2分離起點形成步驟所構成，該第1分離起點形成步驟是以第1輸出形成分離起點，該第2分離起點形成步驟是重疊於在第1分離起點形成步驟所形成的改質層來照射雷射光束，以使改質層和裂隙乖離，且該雷射光束是在比第1輸出還大的第2輸出，並以使每1脈衝的能量成為與該第1分離起點形成步驟相同的能量的重複頻率來進行照射。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可以有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，并包含分离起点形成步骤，其是将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与晶锭之表面距离相当于生成之晶圆厚度的深度，并且将该聚光点与该六方晶体单晶晶锭相对地移动而将激光光束照射在晶锭的表面，并形成与表面平行之改质层及从该改质层沿c面伸长之裂隙以形成分离起点。分离起点形成步骤是由第1分离起点形成步骤与第2分离起点形成步骤所构成，该第1分离起点形成步骤是以第1输出形成分离起点，该第2分离起点形成步骤是重叠于在第1分离起点形成步骤所形成的改质层来照射激光光束，以使改质层和裂隙乖离，且该激光光束是在比第1输出还大的第2输出，并以使每1脉冲的能量成为与该第1分离起点形成步骤相同的能量的重复频率来进行照射。

10. 发明专利

TW201622935A 晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201622935A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104136022
申请日：2015-11-02
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 高橋邦充 , TAKAHASHI, KUNIMITSU , 西野曜子 , NISHINO, YOKO
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/38
CPC分类号： B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , H01L21/78
摘要：本發明之課題為提供一種可以有效率地由晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法。本發明之晶圓的生成方法是由六方晶體單晶晶錠生成晶圓之晶圓的生成方法，其包含：分離起點形成步驟，將對六方晶體單晶晶錠具有穿透性之波長之雷射光束的聚光點定位在與晶錠表面距離相當於生成之晶圓厚度的深度，並且將該聚光點及該六方晶體單晶晶錠相對地移動，向表面照射該雷射光束，並形成與表面平行之改質層及從該改質層伸長之裂隙而形成分離起點；及晶圓剝離步驟，實施該分離起點形成步驟之後，自該分離起點將相當於晶圓厚度的板狀物從該六方晶體單晶晶錠剝離以生成六方晶體單晶晶圓。該分離起點形成步驟包含在形成偏角的方向上將該聚光點相對地移動並進行預定量分度之分度步驟，且該分度步驟之分度量是根據藉由雷射光束之照射而由聚光點形成之改質層、以及形成於該改質層周圍之裂隙的大小，而設定為使相鄰之形成於改質層周圍之裂隙彼此重疊預定量之間隔。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可以有效率地由晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法。本发明之晶圆的生成方法是由六方晶体单晶晶锭生成晶圆之晶圆的生成方法，其包含：分离起点形成步骤，将对六方晶体单晶晶锭具有穿透性之波长之激光光束的聚光点定位在与晶锭表面距离相当于生成之晶圆厚度的深度，并且将该聚光点及该六方晶体单晶晶锭相对地移动，向表面照射该激光光束，并形成与表面平行之改质层及从该改质层伸长之裂隙而形成分离起点；及晶圆剥离步骤，实施该分离起点形成步骤之后，自该分离起点将相当于晶圆厚度的板状物从该六方晶体单晶晶锭剥离以生成六方晶体单晶晶圆。该分离起点形成步骤包含在形成偏角的方向上将该聚光点相对地移动并进行预定量分度之分度步骤，且该分度步骤之分度量是根据借由激光光束之照射而由聚光点形成之改质层、以及形成于该改质层周围之裂隙的大小，而设置为使相邻之形成于改质层周围之裂隙彼此重叠预定量之间隔。

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