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1. 实用新型

TW437568U 沖膠機構失效
简体标题：冲胶机构
公开(公告)号：TW437568U
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW087221918
申请日：1998-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , 基丞企業股份有限公司
发明人：陳力瑋 , 梁沐旺 , 李昇亮 , 洪光遠
IPC分类号： B29C
CPC分类号： B29C45/021 , Y10S425/228
摘要：一種沖膠機構,其主要係以一支導螺桿藉由一沖桿底板同時帶動二支沖桿負荷元上下移動,使得二支沖桿負荷元可同時同步移動,且沖桿底板配合有至少二支沖桿底板導引柱作導引支撐,使得沖桿底板之剛性大為提高,進而使得二支沖桿負荷元更能確實同步動作，二支沖桿負荷元能確實同步動作,使沖膠機構之沖桿能確保同時進入模具之模穴中,使封膠品質穩定均一，且增加沖膠機構的壽命。
简体摘要：一种冲胶机构,其主要系以一支导螺杆借由一冲杆底板同时带动二支冲杆负荷元上下移动,使得二支冲杆负荷元可同时同步移动,且冲杆底板配合有至少二支冲杆底板导引柱作导引支撑,使得冲杆底板之刚性大为提高,进而使得二支冲杆负荷元更能确实同步动作，二支冲杆负荷元能确实同步动作,使冲胶机构之冲杆能确保同时进入模具之模穴中,使封胶品质稳定均一，且增加冲胶机构的寿命。

2. 发明专利

TWI499684B 具有弧形載盤之旋轉定位裝置、自動取放系統及其操作方法有权
简体标题：具有弧形载盘之旋转定位设备、自动取放系统及其操作方法
公开(公告)号：TWI499684B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW102129675
申请日：2013-08-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳冠州 , CHEN, KUAN CHOU , 吳佩珊 , WU, PEI SHAN , 李昇亮 , LEE, SHENG LANG , 陳家銘 , CHEN, CHIA MING , 董福慶 , 李志中 , LEE, JYH JONE , 林灣松 , LIN, WAN SUNG , 陳冠翰 , CHEN, KUAN HAN
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： H01L21/68 , C23C14/505 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/49998

3. 发明专利

TWI240766B 具有整流及電壓檢測功能之電鍍裝置有权
简体标题：具有整流及电压检测功能之电镀设备
公开(公告)号：TWI240766B
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW092124803
申请日：2003-09-09
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王致誠 WANG, CHIHCHENG , 曾志遠 TSENG, CHIHYUAN , 黃振榮 HUANG, JENRONG , 李昇亮 , 陳家銘 , 蔣邦民
IPC分类号： C25D , G01R
CPC分类号： C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D21/10
摘要：一種具有分隔板之噴流式的電鍍裝置，主要係由一電鍍槽、一溢流槽及一管路所構成，適於電鍍一基材。其中，電鍍槽置於溢流槽內，並且溢流槽之底部具有一排出孔及一輸入孔，而輸入孔與管路連接。並且，電鍍槽具有一陰極電極、一殼體、一陽極網板、一遮蔽環、及一整流裝置，陰極電極置於殼體上方，陽極網板配置於殼體下方，而遮蔽環配置於陽極網板之周圍，而整流裝置位於陽極網板之下方。本創作之電壓檢測裝置，主要係由一電源供應器、一個切換器、多個電阻、多個電壓計、一基材及一陽極網板所構成，用來監控一電鍍系統。
简体摘要：一种具有分隔板之喷流式的电镀设备，主要系由一电镀槽、一溢流槽及一管路所构成，适于电镀一基材。其中，电镀槽置于溢流槽内，并且溢流槽之底部具有一排出孔及一输入孔，而输入孔与管路连接。并且，电镀槽具有一阴极电极、一壳体、一阳极网板、一屏蔽环、及一整流设备，阴极电极置于壳体上方，阳极网板配置于壳体下方，而屏蔽环配置于阳极网板之周围，而整流设备位于阳极网板之下方。本创作之电压检测设备，主要系由一电源供应器、一个切换器、多个电阻、多个电压计、一基材及一阳极网板所构成，用来监控一电镀系统。

4. 发明专利

TW201213601A 電漿輔助原子層沉積裝置及其控制方法 APPARATUS AND CONTROL METHOD FOR PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
简体标题：等离子辅助原子层沉积设备及其控制方法 APPARATUS AND CONTROL METHOD FOR PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION
公开(公告)号：TW201213601A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW099131387
申请日：2010-09-16
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：黃振榮 , 沈添沐 , 李侃峰 , 江錦忠 , 李昇亮 , 何榮振 , 王慶鈞
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/45551
摘要：本發明係為一種電漿輔助原子層沉積裝置及其控制方法。該電漿輔助原子層沉積裝置，其係由複數個反應室以及一可移動之遮板所組成的電漿輔助原子層沉積裝置，每一個反應室至少包含兩個反應空間以及一可移動基材加熱承載模組。該控制方法係藉由控制遮板之移動，使得遮板得以選擇分隔每一個反應室中的兩個反應空間或者是使該兩個反應空間相連通，而能避免不同製程氣體交互反應所產生的微粒汙染基材表面。
简体摘要：本发明系为一种等离子辅助原子层沉积设备及其控制方法。该等离子辅助原子层沉积设备，其系由复数个反应室以及一可移动之遮板所组成的等离子辅助原子层沉积设备，每一个反应室至少包含两个反应空间以及一可移动基材加热承载模块。该控制方法系借由控制遮板之移动，使得遮板得以选择分隔每一个反应室中的两个反应空间或者是使该两个反应空间相连通，而能避免不同制程气体交互反应所产生的微粒污染基材表面。

5. 实用新型

TW339774U 空瓶自動整列裝置失效
简体标题：空瓶自动整列设备
公开(公告)号：TW339774U
公开(公告)日：1998-09-01
申请号：TW086215027
申请日：1997-09-03
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：李昇亮 , 黃國鐘 , 楊東芳 , 鍾維良
IPC分类号： B65G
摘要：一種空瓶自動整列裝置，其係由輸送機構、緩衝機構、整列機構、頂出機構及下滑機構所組成；其係將自旋轉式供料盤送出之空瓶以輸送機構運送至整列位置，並以緩衝機構減緩其撞擊速度後，整列機構即配合不同排列方向之瓶體特性，分別在不同位置予以阻擋瓶口，再以頂出機構將瓶體推出，此時不論瓶口朝前或朝後之瓶體，均會以瓶口為中心作一旋轉動作，而使瓶底一致性的朝前方排列，最後下滑機構即將排列一致之瓶體快速下滑運送至下一翻轉直立裝置的作業站，以使瓶體直立充填承裝物；藉此，本創作即可快速的自動進行整列作業，並節省大量作業人力，進而提供實用價值。
简体摘要：一种空瓶自动整列设备，其系由输送机构、缓冲机构、整列机构、顶出机构及下滑机构所组成；其系将自旋转式供料盘送出之空瓶以输送机构运送至整列位置，并以缓冲机构减缓其撞击速度后，整列机构即配合不同排列方向之瓶体特性，分别在不同位置予以阻挡瓶口，再以顶出机构将瓶体推出，此时不论瓶口朝前或朝后之瓶体，均会以瓶口为中心作一旋转动作，而使瓶底一致性的朝前方排列，最后下滑机构即将排列一致之瓶体快速下滑运送至下一翻转直立设备的作业站，以使瓶体直立充填承装物；借此，本创作即可快速的自动进行整列作业，并节省大量作业人力，进而提供实用价值。

6. 实用新型

TW333945U 推入式自動送料設備失效
简体标题：推入式自动送料设备
公开(公告)号：TW333945U
公开(公告)日：1998-06-11
申请号：TW086217431
申请日：1997-10-16
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：李昇亮 , 黃國鐘 , 楊東芳 , 鍾維良
IPC分类号： B65B
摘要：一種推入式自動送料設備，主要係適用於具有餵料裝置之物件加工機械，且該加工機械係具有一餵料軌道、一動力元件、一餵料鏈條及多數之推送件﹔其中，該等推送件係等距設於該餵料鏈條上，且該餵料鏈條係可受該動力元件之驅動而帶動該等推送件於該餵料軌道中沿該餵料軌道朝餵料方向等速移動者﹔而該推入式自動送料設備具有一送料裝置及一累積輸送裝置，其中，該送料裝置具有至少一個位於該餵料軌道一側且可依預定圓周路徑平移之推動件，而該累積輸送裝置則用以將待加工物累積輸送至該推動件與該餵料軌道間，且其輸送路徑係落入該推動件之平移路徑上﹔藉以驅動該推動件平移，可將多數待加工物依等時距一一推送至該軌道之固定位置，再分別由沿該軌道行進中之各該推送件推送至該加工機之加工區進行加工者。
简体摘要：一种推入式自动送料设备，主要系适用于具有喂料设备之对象加工机械，且该加工机械系具有一喂料轨道、一动力组件、一喂料链条及多数之推送件﹔其中，该等推送件系等距设于该喂料链条上，且该喂料链条系可受该动力组件之驱动而带动该等推送件于该喂料轨道中沿该喂料轨道朝喂料方向等速移动者﹔而该推入式自动送料设备具有一送料设备及一累积输送设备，其中，该送料设备具有至少一个位于该喂料轨道一侧且可依预定圆周路径平移之推动件，而该累积输送设备则用以将待加工物累积输送至该推动件与该喂料轨道间，且其输送路径系落入该推动件之平移路径上﹔借以驱动该推动件平移，可将多数待加工物依等时距一一推送至该轨道之固定位置，再分别由沿该轨道行进中之各该推送件推送至该加工机之加工区进行加工者。

7. 发明专利

TW201410573A 具有弧形載盤之旋轉定位裝置、自動取放系統及其操作方法审中-公开
简体标题：具有弧形载盘之旋转定位设备、自动取放系统及其操作方法
公开(公告)号：TW201410573A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102129675
申请日：2013-08-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳冠州 , CHEN, KUAN CHOU , 吳佩珊 , WU, PEI SHAN , 李昇亮 , LEE, SHENG LANG , 陳家銘 , CHEN, CHIA MING , 董福慶 , 李志中 , LEE, JYH JONE , 林灣松 , LIN, WAN SUNG , 陳冠翰 , CHEN, KUAN HAN
IPC分类号： B65G49/07
CPC分类号： H01L21/68 , C23C14/505 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/49998
摘要：一種旋轉定位裝置，包括一固定座、一旋轉機構、一第一驅動模組、一載盤以及一第二驅動模組。旋轉機構設置於固定座上。第一驅動模組設置於固定座上，並且耦接旋轉機構，以驅動旋轉機構繞著一第一轉軸相對於固定座旋轉。載盤具有多個容置槽，位於該載盤之一圓弧面上，且載盤經由一第二轉軸樞接於旋轉機構。所述第二轉軸通過圓弧面的曲率中心並且垂直於第一轉軸，且曲率中心位於第一轉軸上。第二驅動模組配置於旋轉機構上，並且耦接載盤，以驅動載盤繞著第二轉軸相對於旋轉機構旋轉。應用此旋轉定位裝置的自動取放系統及其操作方法亦被提出。
简体摘要：一种旋转定位设备，包括一固定座、一旋转机构、一第一驱动模块、一载盘以及一第二驱动模块。旋转机构设置于固定座上。第一驱动模块设置于固定座上，并且耦接旋转机构，以驱动旋转机构绕着一第一转轴相对于固定座旋转。载盘具有多个容置槽，位于该载盘之一圆弧面上，且载盘经由一第二转轴枢接于旋转机构。所述第二转轴通过圆弧面的曲率中心并且垂直于第一转轴，且曲率中心位于第一转轴上。第二驱动模块配置于旋转机构上，并且耦接载盘，以驱动载盘绕着第二转轴相对于旋转机构旋转。应用此旋转定位设备的自动取放系统及其操作方法亦被提出。

8. 发明专利

TWI350006B 電漿輔助薄膜沉積方法 PLASMA ENHANCED THIN FILM DEPOSITION METHOD 有权
简体标题：等离子辅助薄膜沉积方法 PLASMA ENHANCED THIN FILM DEPOSITION METHOD
公开(公告)号：TWI350006B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW096137384
申请日：2007-10-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：杜陳忠 , 黃振榮 , 梁沐旺 , 張志振 , 李昇亮 , 吳慶輝 , 羅展興
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/24 , C23C16/50
摘要：一種電漿輔助薄膜沉積方法，提供一電漿薄膜沉積裝置以供輸入脈衝電源與製程氣體，以及提供一電漿製程監控裝置，藉由脈衝電源與製程反應氣體作用產生電漿放電解離製程反應氣體成活性物種，以進行薄膜沉積製程；該電漿製程監控裝置包括一電漿成分光學放射光譜儀(Optical emission spectroscopy，OES)以及一脈衝電漿調變程序裝置，由該電漿成分光學放射光譜儀偵測電漿成分中活性物種之光譜強度值，再經由脈衝電漿調變程序裝置計算活性物種間之光譜強度比值，據以調變適當的脈衝電源電漿作用時間(Plasma duty time)及功率，可在微晶矽沉積的範圍內獲得高沉積速率，並即時掌控最佳薄膜沉積品質。
简体摘要：一种等离子辅助薄膜沉积方法，提供一等离子薄膜沉积设备以供输入脉冲电源与制程气体，以及提供一等离子制程监控设备，借由脉冲电源与制程反应气体作用产生等离子放电解离制程反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积制程；该等离子制程监控设备包括一等离子成分光学放射光谱仪(Optical emission spectroscopy，OES)以及一脉冲等离子调制进程设备，由该等离子成分光学放射光谱仪侦测等离子成分中活性物种之光谱强度值，再经由脉冲等离子调制进程设备计算活性物种间之光谱强度比值，据以调制适当的脉冲电源等离子作用时间(Plasma duty time)及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积品质。

9. 发明专利

TW201120942A 微晶矽薄膜之沉積方法及電漿輔助沉積之監控裝置 METHOD FOR DEPOSITING MICROCRYSTALLINE SILICON AND MONITOR DEVICE OF A PLASMA ENHANCED DEPOSITION 审中-公开
简体标题：微晶硅薄膜之沉积方法及等离子辅助沉积之监控设备 METHOD FOR DEPOSITING MICROCRYSTALLINE SILICON AND MONITOR DEVICE OF A PLASMA ENHANCED DEPOSITION
公开(公告)号：TW201120942A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141847
申请日：2009-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：杜陳忠 , 李昇亮 , 梁沐旺 , 黃振榮 , 張家豪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32972 , H01J37/32935 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：一種微晶矽薄膜之沉積方法，包括：以一開迴路方式進行電漿輔助沉積；在該開迴路未調變製程參數的沉積製程使薄膜結晶率達到穩定後，接續以一閉迴路調變製程參數的方式進行電漿輔助沉積，其中該閉迴路方式係監控該電漿中的SiH*和Hα活性物種，並調整該電漿輔助沉積中的製程參數，使該電漿中的SiH*和Hα活性物種的成分濃度維持在一穩定範圍內，提高鍍膜沉積速率。
简体摘要：一种微晶硅薄膜之沉积方法，包括：以一开回路方式进行等离子辅助沉积；在该开回路未调制制程参数的沉积制程使薄膜结晶率达到稳定后，接续以一闭回路调制制程参数的方式进行等离子辅助沉积，其中该闭回路方式系监控该等离子中的SiH*和Hα活性物种，并调整该等离子辅助沉积中的制程参数，使该等离子中的SiH*和Hα活性物种的成分浓度维持在一稳定范围内，提高镀膜沉积速率。

10. 发明专利

TW200510572A 具有分隔板之噴流式的電鍍裝置及具有多個接點之電壓檢測裝置审中-公开
简体标题：具有分隔板之喷流式的电镀设备及具有多个接点之电压检测设备
公开(公告)号：TW200510572A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW092124803
申请日：2003-09-09
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王致誠 WANG, CHIHCHENG , 曾志遠 TSENG, CHIHYUAN , 黃振榮 HUANG, JENRONG , 李昇亮 , 陳家銘 , 蔣邦民
IPC分类号： C25D , G01R
CPC分类号： C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D21/10
摘要：一種具有分隔板主噴流式的電鍍裝置，主要係由一電鍍槽、一溢流槽及一管路所構成，適於電鍍一基材。其中，電鍍槽置於溢流槽內，並且溢流槽之底部具有一排出孔及一輸入孔，而輸入孔與管路連接。並且，電鍍槽具有一陰極電極、一殼體、一陽極網板、一遮蔽環、及一整流裝置，陰極電極置於殼體上方，陽極網板配置於殼體下方，而遮蔽環配置於陽極網板之周圍，而整流裝置位於陽極網板之下方。本創作之電壓檢測裝置，主要係由一電源供應器、一個切換器、多個電阻、多個電壓計、一基材及一陽極網板所構成，用來監控一電鍍系統。
简体摘要：一种具有分隔板主喷流式的电镀设备，主要系由一电镀槽、一溢流槽及一管路所构成，适于电镀一基材。其中，电镀槽置于溢流槽内，并且溢流槽之底部具有一排出孔及一输入孔，而输入孔与管路连接。并且，电镀槽具有一阴极电极、一壳体、一阳极网板、一屏蔽环、及一整流设备，阴极电极置于壳体上方，阳极网板配置于壳体下方，而屏蔽环配置于阳极网板之周围，而整流设备位于阳极网板之下方。本创作之电压检测设备，主要系由一电源供应器、一个切换器、多个电阻、多个电压计、一基材及一阳极网板所构成，用来监控一电镀系统。

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