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1. 发明专利

TW463217B 步進式曝光製作微透鏡結構陣列方法有权
简体标题：步进式曝光制作微透镜结构数组方法
公开(公告)号：TW463217B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089120710
申请日：2000-10-05
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊詔中 , 黃珩春 , 潘正堂 , 周敏傑 , 陳世洲 , 林育生
IPC分类号： H01L
摘要：一種步進式曝光製作微透鏡結構陣列方法，係一表面塗佈有高分子材之基板，置放於一X-Y定位平台上，控制一光源透過透鏡，使得該基板之高分子材位於該透鏡投影位置之一中透鏡光場上，控制該光源透過透鏡對該基板第一位置上之高分子材進行照射，使高分子材被蝕刻而形成一微透鏡結構，停止該光源之照射，控制該X-Y定位平台使基板移動至第二位置，控制該光源透過透鏡對該基板第二位置上之高分子材進行照射，使第二位置處之高分子材被蝕刻而形成微透鏡結構，控制光源及X-Y定位平台進行步進式曝光，使得微透鏡結構在高分子材之位置與密度被控制，以完成微透鏡陣列結構。
简体摘要：一种步进式曝光制作微透镜结构数组方法，系一表面涂布有高分子材之基板，置放于一X-Y定位平台上，控制一光源透过透镜，使得该基板之高分子材位于该透镜投影位置之一中透镜光场上，控制该光源透过透镜对该基板第一位置上之高分子材进行照射，使高分子材被蚀刻而形成一微透镜结构，停止该光源之照射，控制该X-Y定位平台使基板移动至第二位置，控制该光源透过透镜对该基板第二位置上之高分子材进行照射，使第二位置处之高分子材被蚀刻而形成微透镜结构，控制光源及X-Y定位平台进行步进式曝光，使得微透镜结构在高分子材之位置与密度被控制，以完成微透镜数组结构。

2. 发明专利

TW457529B 電磁式微致動器之製程與結構有权
简体标题：电磁式微致动器之制程与结构
公开(公告)号：TW457529B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089106959
申请日：2000-04-14
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育生 , 高端環 , 楊詔中 , 陳世洲 , 魏茂國
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係以矽微細加工技術(Silicon Micromachining)與類光刻鑄模(LIGA-Like)為製程基礎，以製作電磁式微致動器(EIectromagnetic Microactuator)的方法。首先利用熱氧化、微影、蝕刻、電鍍、與準分子雷射加工等製程，對第一半導體基板加工而形成支撐結構以及鐵磁板等結構。接著利用上述的單元製程對第二半導體基板加工,而形成平面螺旋感應線圈以及鐵磁芯等結構。最後將第一半導體基板與第二半導體基板予以接合(Bonding)，而構成電磁式微致動器。
简体摘要：本发明系以硅微细加工技术(Silicon Micromachining)与类光刻铸模(LIGA-Like)为制程基础，以制作电磁式微致动器(EIectromagnetic Microactuator)的方法。首先利用热氧化、微影、蚀刻、电镀、与准分子激光加工等制程，对第一半导体基板加工而形成支撑结构以及铁磁板等结构。接着利用上述的单元制程对第二半导体基板加工,而形成平面螺旋感应线圈以及铁磁芯等结构。最后将第一半导体基板与第二半导体基板予以接合(Bonding)，而构成电磁式微致动器。

3. 发明专利

TW390064B 微型磁浮馬達失效
简体标题：微型磁浮马达
公开(公告)号：TW390064B
公开(公告)日：2000-05-11
申请号：TW087110676
申请日：1998-07-02
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：龐大成 , 陳世洲 , 林智玲 , 楊詔中 , 金仁豪
IPC分类号： H02N
摘要：一種微型磁浮馬達，主要是採用單極性電磁鐵驅動，其中利用安置於軸向之差動式渦流位置感測器，量測轉子徑向位移，另可藉由迴授控制電路，使定子與轉子維持固定氣隙不發生接觸，並利用馬達轉子與定子極數不同，而另藉由馬達驅動電路使轉子產生旋轉。此外，微型磁浮馬達是可採用半導體匹配製程方式製作而成，如光蝕刻及電鑄技術製作等等，並可與電子電路結合一體，以達到高精度、無磨耗、長壽命及低成本之目的。
简体摘要：一种微型磁浮马达，主要是采用单极性电磁铁驱动，其中利用安置于轴向之差动式涡流位置传感器，量测转子径向位移，另可借由回授控制电路，使定子与转子维持固定气隙不发生接触，并利用马达转子与定子极数不同，而另借由马达驱动电路使转子产生旋转。此外，微型磁浮马达是可采用半导体匹配制程方式制作而成，如光蚀刻及电铸技术制作等等，并可与电子电路结合一体，以达到高精度、无磨耗、长寿命及低成本之目的。

4. 发明专利

TW544438B 製造三維高深寬比微針陣列裝置之方法失效
简体标题：制造三维高深宽比微针数组设备之方法
公开(公告)号：TW544438B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091124911
申请日：2002-10-25
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：劉明岳 , 黃珩春 , 楊詔中 , 潘昆志
IPC分类号： B81C , A61M
摘要：一種製造三維高深寬比微針陣列裝置之方法，包括以下步驟：提供一基板，其上塗佈一光阻層；使用一灰階幕罩對該光阻層進行光學微影，以形成一圖案化之光阻層；以感應耦合電漿蝕刻對該基板與該圖案化之光阻層進行高選擇性蝕刻，以在該基板上轉寫成一結構；在該基板上填入一材料；以及將該結構從該基板上脫模，所得之該結構即為該三維高深寬比微針陣列裝置。
简体摘要：一种制造三维高深宽比微针数组设备之方法，包括以下步骤：提供一基板，其上涂布一光阻层；使用一灰阶幕罩对该光阻层进行光学微影，以形成一图案化之光阻层；以感应耦合等离子蚀刻对该基板与该图案化之光阻层进行高选择性蚀刻，以在该基板上转写成一结构；在该基板上填入一材料；以及将该结构从该基板上脱模，所得之该结构即为该三维高深宽比微针数组设备。

5. 实用新型

TW502756U 積層式高磁能可動微結構失效
简体标题：积层式高磁能可动微结构
公开(公告)号：TW502756U
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090214662
申请日：2001-08-27
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊詔中 , 柯春旭 , 劉明岳 , 潘正堂 , 周敏傑
IPC分类号： B81B
摘要：本創作係利用微機電製程以積體化製作包覆式鐵心、中柱鐵心、激磁線圈、及絕緣層，組成一種積層式高磁能可動微結構，具有微小化體積及批次生產之優點。包覆式鐵心內部為中腹部，頂面開設有開口。中柱鐵心由包覆式鐵心底面向上延伸形成一頂端，頂端位於開口內並略小於開口。激磁線圈容設於包覆式鐵心中腹部內，並同心環繞於中柱鐵心外週。絕緣層填塞於包覆式鐵心中腹部內，俾使激磁線圈與包覆式鐵心、中柱鐵心形成絕緣。通電至激磁線圈產生之磁力線，由中柱鐵心沿著包覆式鐵心環繞形成封閉式磁路，可降低漏磁率、提高磁能效率及致動力。本創作可防止隔鄰元件間電磁干擾，故可製作成高密度微結構陣列。
简体摘要：本创作系利用微机电制程以积体化制作包覆式铁心、中柱铁心、激磁线圈、及绝缘层，组成一种积层式高磁能可动微结构，具有微小化体积及批次生产之优点。包覆式铁心内部为中腹部，顶面开设有开口。中柱铁心由包覆式铁心底面向上延伸形成一顶端，顶端位于开口内并略小于开口。激磁线圈容设于包覆式铁心中腹部内，并同心环绕于中柱铁心外周。绝缘层填塞于包覆式铁心中腹部内，俾使激磁线圈与包覆式铁心、中柱铁心形成绝缘。通电至激磁线圈产生之磁力线，由中柱铁心沿着包覆式铁心环绕形成封闭式磁路，可降低漏磁率、提高磁能效率及致动力。本创作可防止隔邻组件间电磁干扰，故可制作成高密度微结构数组。

6. 发明专利

TW496973B 積體化微球透鏡之光纖對準元件失效
简体标题：积体化微球透镜之光纤对准组件
公开(公告)号：TW496973B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW090100483
申请日：2001-01-10
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育生 , 黃珩春 , 劉明岳 , 楊詔中 , 穆傳康 , 黃雅如
IPC分类号： G02B
摘要：一種積體化微球透鏡之光纖對準元件結構，係包括一基板，於基板上適當位置處蝕刻出複數個陣列式Ⅴ型溝槽或形成複數個陣列式光波導，經由塗覆一第一聚合層與高透光率之第二聚合層於該基板表面上，經微影製程與加熱處理，於該陣列式排列之相對Ⅴ型溝槽或光波導間形成至少一基座與球狀之微球透鏡；於該Ⅴ型溝槽內可配設光纖，於該微球透鏡、溝槽與該光纖或光波導上覆蓋一上蓋；藉由該微球透鏡與該溝槽之適當配置，使配設於該微球透鏡兩側之光纖或光波導完成對準，得到一對準元件結構；藉此可提供一種製程較為簡單，並可積體化及批次生產之光纖對準元件結構。
简体摘要：一种积体化微球透镜之光纤对准组件结构，系包括一基板，于基板上适当位置处蚀刻出复数个数组式Ⅴ型沟槽或形成复数个数组式光波导，经由涂覆一第一聚合层与高透光率之第二聚合层于该基板表面上，经微影制程与加热处理，于该数组式排列之相对Ⅴ型沟槽或光波导间形成至少一基座与球状之微球透镜；于该Ⅴ型沟槽内可配设光纤，于该微球透镜、沟槽与该光纤或光波导上覆盖一上盖；借由该微球透镜与该沟槽之适当配置，使配设于该微球透镜两侧之光纤或光波导完成对准，得到一对准组件结构；借此可提供一种制程较为简单，并可积体化及批次生产之光纤对准组件结构。

7. 发明专利

TW463058B 批次生產微球透鏡陣列有权
简体标题：批次生产微球透镜数组
公开(公告)号：TW463058B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089122015
申请日：2000-10-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林育生 , 林坤龍 , 潘正堂 , 陳世洲 , 楊詔中
IPC分类号： G02B
CPC分类号： B32B3/00 , B29C41/22 , B29D11/00278 , B32B7/02 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , G02B6/32 , G02B6/4206 , Y10T428/24802 , Y10T428/24942
摘要：一種批次生產微球透鏡之製造方法，包含於一基板上塗佈第一聚合物或第一聚合物組成物層;之後於第一聚合物或第一聚合物組成物層上塗佈第二聚合物或第二聚合物組成物層，其中該第一聚合物之玻璃轉換溫度(Tg)高於第二聚合物之玻璃轉換溫度(Tg);隨之以黃光微影法(lithography)於第一聚合物或第一聚合物組成物層以及第二聚合物或第二聚合物組成物層形成相同之圖樣(pattern);接著加熱該塗佈聚合物之基板至一高於該第一聚合物玻璃轉換溫度(Tg)但低於該第二聚合物玻璃轉換溫度(Tg)之工作溫度;並保持該塗佈聚合物之基板於該工作溫度至第二聚合物形成該微球透鏡;以及最後冷卻該微球透鏡。該批次生產之微球透鏡，係位於一基板表面上，且該微球透鏡包含:一底座，係位於該基板表面之上；以及一球型透鏡，係位於該底座表面之上。
简体摘要：一种批次生产微球透镜之制造方法，包含于一基板上涂布第一聚合物或第一聚合物组成物层;之后于第一聚合物或第一聚合物组成物层上涂布第二聚合物或第二聚合物组成物层，其中该第一聚合物之玻璃转换温度(Tg)高于第二聚合物之玻璃转换温度(Tg);随之以黄光微影法(lithography)于第一聚合物或第一聚合物组成物层以及第二聚合物或第二聚合物组成物层形成相同之图样(pattern);接着加热该涂布聚合物之基板至一高于该第一聚合物玻璃转换温度(Tg)但低于该第二聚合物玻璃转换温度(Tg)之工作温度;并保持该涂布聚合物之基板于该工作温度至第二聚合物形成该微球透镜;以及最后冷却该微球透镜。该批次生产之微球透镜，系位于一基板表面上，且该微球透镜包含:一底座，系位于该基板表面之上；以及一球型透镜，系位于该底座表面之上。

8. 发明专利

TW445206B 高精度模仁之製造方法有权
简体标题：高精度模仁之制造方法
公开(公告)号：TW445206B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088118007
申请日：1999-10-19
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：陳世洲 , 楊詔中 , 楊錫杭 , 穆傳康
IPC分类号： B29C
摘要：提出一種高精度模仁之製造方法。該方法包括將一塑膠本體放置於一導電基材上、以X光深刻模造法在前述塑膠本體上形成複數個貫穿孔、以UV光刻技術在前述塑膠本體之複數個貫穿孔前端形成倒角、以及以前述形成貫穿孔之塑膠本體為模型電鑄形成該模仁。本發明還提出一種分離式光纖連接套筒之製造方法，其步驟係包括以高精度模仁射出或熱壓成形一光纖定位構件、以一般模仁射出或熱壓成形一光纖套筒本體、以及利用超音波方式結合前述光纖定位構件與前述光纖套筒本體，形成前述光纖連接套筒。
简体摘要：提出一种高精度模仁之制造方法。该方法包括将一塑胶本体放置于一导电基材上、以X光深刻模造法在前述塑胶本体上形成复数个贯穿孔、以UV光刻技术在前述塑胶本体之复数个贯穿孔前端形成倒角、以及以前述形成贯穿孔之塑胶本体为模型电铸形成该模仁。本发明还提出一种分离式光纤连接套筒之制造方法，其步骤系包括以高精度模仁射出或热压成形一光纤定位构件、以一般模仁射出或热压成形一光纤套筒本体、以及利用超音波方式结合前述光纤定位构件与前述光纤套筒本体，形成前述光纤连接套筒。

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