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1. 发明专利

TW201112328A 含碳基板之圖案化方法 PATTERNING METHOD FOR CARBON-BASED SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：含碳基板之图案化方法 PATTERNING METHOD FOR CARBON-BASED SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201112328A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098146269
申请日：2009-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張加強 , 吳清吉 , 黃淑娟 , 許文通 , 胡志明 , 郭信良
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y30/00
摘要：一種含碳基板之圖案化方法。含碳基板之圖案化方法包括以下步驟:提供一含碳基板。於一常壓下,以一電漿氣體產生一大氣電漿。電漿氣體包含一氧氣。以大氣電漿蝕刻含碳基板。
简体摘要：一种含碳基板之图案化方法。含碳基板之图案化方法包括以下步骤:提供一含碳基板。于一常压下,以一等离子气体产生一大气等离子。等离子气体包含一氧气。以大气等离子蚀刻含碳基板。

2. 发明专利

TW201418512A 電漿鍍膜裝置审中-公开
简体标题：等离子镀膜设备
公开(公告)号：TW201418512A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101142682
申请日：2012-11-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐瑞美 , HSU, JUI MEI , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 偕睿仁 , JEI, JIUAN REN , 張瀛方 , CHANG, YING FANG , 張加強 , CHANG, CHIA CHIANG
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： H05H1/42 , C23C16/4486 , C23C16/45519 , C23C16/50
摘要：一種電漿鍍膜裝置，包括電漿產生單元以及液滴篩選單元。電漿產生單元具有入口端以及出口端。液滴篩選單元設置於入口端，液滴篩選單元具有第一腔室以及連接第一腔室的導入口及連接口。連接口連接入口端，導入口用以接收霧化先驅物，且霧化先驅物在進入第一腔室後適於被分離為第一部分以及第二部分，其中第一部份的液滴顆粒小於第二部分的液滴顆粒。第一部分的霧化先驅物適於經由連接口進入入口端。
简体摘要：一种等离子镀膜设备，包括等离子产生单元以及液滴筛菜单元。等离子产生单元具有入口端以及出口端。液滴筛菜单元设置于入口端，液滴筛菜单元具有第一腔室以及连接第一腔室的导入口及连接口。连接口连接入口端，导入口用以接收雾化先驱物，且雾化先驱物在进入第一腔室后适于被分离为第一部分以及第二部分，其中第一部份的液滴颗粒小于第二部分的液滴颗粒。第一部分的雾化先驱物适于经由连接口进入入口端。

3. 发明专利

TWI579405B 電漿鍍膜裝置有权
简体标题：等离子镀膜设备
公开(公告)号：TWI579405B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101142682
申请日：2012-11-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐瑞美 , HSU, JUI MEI , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 偕睿仁 , JEI, JIUAN REN , 張瀛方 , CHANG, YING FANG , 張加強 , CHANG, CHIA CHIANG
IPC分类号： C23C16/513
CPC分类号： H05H1/42 , C23C16/4486 , C23C16/45519 , C23C16/50

4. 发明专利

TWI352368B 電漿頭結構及具有該電漿頭結構之電漿放電裝置 PLASMA HEAD AND PLASMA-DISCHARGING DEVICE USING THE SAME 有权
简体标题：等离子头结构及具有该等离子头结构之等离子放电设备 PLASMA HEAD AND PLASMA-DISCHARGING DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI352368B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096135262
申请日：2007-09-21
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡陳德 , 陳志瑋 , 張加強 , 許文通 , 楊德輝
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H05H1/28 , H05H1/34 , H05H2001/3468
摘要：一種電漿頭結構及具有該電漿頭結構之電漿放電裝置，該電漿放電裝置包含一具有兩電極端之電源供應器；該電漿頭結構包括一外電極、一內電極及一導流結構：該外電極及內電極分別連接電源供應器之兩電極端，該外電極具有一腔室，該內電極設置於該腔室內；該導流結構係設置於該內電極內，其具有至少一輸入端及至少一輸出端，該輸入端係可輸入工作流體，該輸出端係連通外電極之腔室；由導流結構導引工作流體進入內電極內部，再將工作流體輸出至外電極之腔室；藉由該工作流體對內電極進行冷卻作用，可有效降低內電極溫度、避免內電極損耗，增加內電極使用壽命及避免金屬離子剝離所造成的污染。
简体摘要：一种等离子头结构及具有该等离子头结构之等离子放电设备，该等离子放电设备包含一具有两电极端之电源供应器；该等离子头结构包括一外电极、一内电极及一导流结构：该外电极及内电极分别连接电源供应器之两电极端，该外电极具有一腔室，该内电极设置于该腔室内；该导流结构系设置于该内电极内，其具有至少一输入端及至少一输出端，该输入端系可输入工作流体，该输出端系连通外电极之腔室；由导流结构导引工作流体进入内电极内部，再将工作流体输出至外电极之腔室；借由该工作流体对内电极进行冷却作用，可有效降低内电极温度、避免内电极损耗，增加内电极使用寿命及避免金属离子剥离所造成的污染。

5. 发明专利

TWI335450B 薄膜之清除方法及用以清除薄膜之設備 FILM CLEANING METHOD AND APPARATUS 有权
简体标题：薄膜之清除方法及用以清除薄膜之设备 FILM CLEANING METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TWI335450B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW095117089
申请日：2006-05-15
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張加強 , 吳清吉 , 蔡陳德 , 林春宏
IPC分类号： G02F , H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32825 , G02F1/1303 , G02F2001/1316 , G03F7/427 , H01J37/32366 , H01J37/32623 , H05H2001/3463
摘要：一種清除薄膜之方法及用以清除薄膜之設備，係供清除一基板上之薄膜，首先提供一電漿產生器以及一抽氣裝置設於該基板之上方，接著使該電漿產生器斜射電漿束至該薄膜上，而令該抽氣裝置位於該電漿產生器所射出之電漿所對應之反射路徑上，以吸取薄膜經電漿反應後未反應完全而產生之副產物俾保持該基板表面之清潔，以改善大氣狀態下使用電漿作表面清除會產生有副產物沉積之缺點。
简体摘要：一种清除薄膜之方法及用以清除薄膜之设备，系供清除一基板上之薄膜，首先提供一等离子产生器以及一抽气设备设于该基板之上方，接着使该等离子产生器斜射等离子束至该薄膜上，而令该抽气设备位于该等离子产生器所射出之等离子所对应之反射路径上，以吸取薄膜经等离子反应后未反应完全而产生之副产物俾保持该基板表面之清洁，以改善大气状态下使用等离子作表面清除会产生有副产物沉积之缺点。

6. 发明专利

TWI322833B 疏水結構及其製法 WATER-REPELLENT STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
简体标题：疏水结构及其制法 WATER-REPELLENT STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TWI322833B
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW095135707
申请日：2006-09-27
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：陳志瑋 , 林春宏 , 鄭總輝 , 陳致源 , 楊德輝 , 蔡陳德 , 吳清吉 , 涂運泉 , 張加強
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B05D5/086 , B05D1/62 , Y10T428/24355
摘要：一種疏水結構及其製法，主要係運用大氣電漿鍍膜技術於基材表面依序形成具有粗糙面之硬鍍層、以及形成於該粗糙面上之疏水鍍層，相較於習知技術，本發明之疏水結構係含有硬鍍層及疏水鍍層，因此可提昇該疏水結構之硬度與耐磨性、保護底層基材、提昇透明度、提昇疏水性，而運用大氣電漿之鍍膜技術，則可大幅降低製造成本，因此克服習知技術之缺失。 A water－repellent structure and a method for fabricating the same are provided, using APPD technique to form a hardened coating having a rough surface on a substrate and a water－repellent coating on the rough surface in sequence. Due to the design of the water－repellent structure, the present invention improves the hardness, abrasion－resistance, transparency and hydrophobicity of the water－repellent structure, while protecting the substrate. Moreover, due to the use of APPD technique in the present invention, the cost of production is reduced dramatically. Thus, the present invention can solve drawbacks of prior art. 【創作特點】因此，本發明提供一種疏水結構，係運用大氣電漿鍍膜於基材表面而成，該疏水結構係包括硬鍍層以及疏水鍍層，該硬鍍層係形成於該基材表面且具有粗糙面，而該疏水鍍層則係形成於該粗糙面上。
前述該硬鍍層之厚度範圍係可為20nm至5000nm。較佳地，該硬鍍層係可為氧化物鍍層、氮化物及其衍生物鍍層之其中一者，其中，該氧化物鍍層之材料係選自矽氧化合物(silicon oxide)、二氧化鈦、氧化鋯、及氧化鋁之其中一者；該氮化物及其衍生物係選自氮化矽(SiNx、Si3 N4)、氮化鈦(TiNx)、及氮化鉭(TaNx)之其中一者。而其粗糙面之平均表面粗糙度範圍較佳係可為5nm至3μm，更佳為300nm至1μm。
該疏水鍍層之厚度範圍係可為5nm至3000nm，且較佳地該疏水鍍層係可為含氟之矽烷化合物鍍層。此外，該基材表面係預先經過活化處理，以提供基材表面例如清潔、活化之作用。該基材之材料係可為選自玻璃、金屬、陶瓷、橡膠、塑膠、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯對苯二甲酸脂(PET)、壓克力(PMMA)及布料所組群組之其中一者。
本發明復提供一種疏水結構製法，係於一基材表面依序運用大氣電漿鍍膜技術形成具有粗糙面之硬鍍層，以及形成於該粗糙面上之疏水鍍層，而製成含有硬鍍層及疏水鍍層之疏水結構於該基材表面。
前述製法中，於該基材表面形成硬鍍層之前，該基材表面係可預先施以活化處理，以提供基材表面例如清潔、活化之作用，其中，該活化處理係可採以空氣或壓縮乾燥空氣(Compressed Dry Air,CDA)所產生之大氣電漿清潔並活化該基材表面。較佳地，該基材之材料係可為選自玻璃、金屬、陶瓷、橡膠、塑膠、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯對苯二甲酸脂(PET)、以及壓克力(PMMA)所組群組之其中一者。
形成該硬鍍層之厚度範圍係可為20nm至5000nm。較佳地，該硬鍍層係可為金屬氧化物鍍層，其中，該金屬氧化物鍍層之材料係可選自矽氧化合物(Silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、二氧化鈦、氧化鋯、及氧化鋁之其中一者，而其粗糙面之平均表面粗糙度範圍係為5nm至1μm。
形成該疏水鍍層之厚度範圍係為5nm至1000nm，且較佳地該疏水鍍層係為含氟烷基之矽化合物鍍層。另外，本發明所運用之大氣電漿鍍膜技術，係利用壓力及溫度控制一混合氣體經一噴嘴產生電漿進行噴鍍，其中，該壓力範圍係可為1托耳至760托耳，而該混合氣體係可為選自含氟烷基之三氯矽烷(fluoroalkyl group－containing trichlorosilanes)、含氟烷基之三烷氧矽烷(fluoroalkyl group－containing trialkoxysilanes)、含氟烷基之三醯氧矽烷(fluoroalkyl group－containing triacyloxysilanes)、含氟烷基之三異氰酸酯矽烷(fluoroalkyl group－containing triisocyanatesilanes)、以及含氟烷基之酯丙烯酸酯矽烷(fluoroalkyl group－containing acrylatesilanes)所組群組之其中一者。其中，該混合氣體係包括進料氣體及前驅物。
相較於習知技術，本發明所提出之疏水結構及其製法，主要係運用大氣電漿鍍膜技術於基材表面依序形成具有粗糙面之硬鍍層、以及形成於該粗糙面上之疏水鍍層，所製得之疏水結構係含有硬鍍層及疏水鍍層，因此可提昇該疏水結構之硬度與耐磨性，同時藉由硬度與耐磨性之提昇而可保護底層基材，並且降低疏水結構所需之厚度故而提昇其透明度。此外，因應該硬度層之粗糙面設計，可提昇疏水結構之疏水性，而運用大氣電漿之鍍膜技術，則可比一般真空電漿省去抽真空之時間、設備空間、簡化鍍層步驟、極易與現有生產線製程相結合，故可大量降低製造成本，相對已解決先前技術所存在之問題。
简体摘要：一种疏水结构及其制法，主要系运用大气等离子镀膜技术于基材表面依序形成具有粗糙面之硬镀层、以及形成于该粗糙面上之疏水镀层，相较于习知技术，本发明之疏水结构系含有硬镀层及疏水镀层，因此可提升该疏水结构之硬度与耐磨性、保护底层基材、提升透明度、提升疏水性，而运用大气等离子之镀膜技术，则可大幅降低制造成本，因此克服习知技术之缺失。 A water－repellent structure and a method for fabricating the same are provided, using APPD technique to form a hardened coating having a rough surface on a substrate and a water－repellent coating on the rough surface in sequence. Due to the design of the water－repellent structure, the present invention improves the hardness, abrasion－resistance, transparency and hydrophobicity of the water－repellent structure, while protecting the substrate. Moreover, due to the use of APPD technique in the present invention, the cost of production is reduced dramatically. Thus, the present invention can solve drawbacks of prior art. 【创作特点】因此，本发明提供一种疏水结构，系运用大气等离子镀膜于基材表面而成，该疏水结构系包括硬镀层以及疏水镀层，该硬镀层系形成于该基材表面且具有粗糙面，而该疏水镀层则系形成于该粗糙面上。前述该硬镀层之厚度范围系可为20nm至5000nm。较佳地，该硬镀层系可为氧化物镀层、氮化物及其衍生物镀层之其中一者，其中，该氧化物镀层之材料系选自硅氧化合物(silicon oxide)、二氧化钛、氧化锆、及氧化铝之其中一者；该氮化物及其衍生物系选自氮化硅(SiNx、Si3 N4)、氮化钛(TiNx)、及氮化钽(TaNx)之其中一者。而其粗糙面之平均表面粗糙度范围较佳系可为5nm至3μm，更佳为300nm至1μm。该疏水镀层之厚度范围系可为5nm至3000nm，且较佳地该疏水镀层系可为含氟之硅烷化合物镀层。此外，该基材表面系预先经过活化处理，以提供基材表面例如清洁、活化之作用。该基材之材料系可为选自玻璃、金属、陶瓷、橡胶、塑胶、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)、压克力(PMMA)及布料所组群组之其中一者。本发明复提供一种疏水结构制法，系于一基材表面依序运用大气等离子镀膜技术形成具有粗糙面之硬镀层，以及形成于该粗糙面上之疏水镀层，而制成含有硬镀层及疏水镀层之疏水结构于该基材表面。前述制法中，于该基材表面形成硬镀层之前，该基材表面系可预先施以活化处理，以提供基材表面例如清洁、活化之作用，其中，该活化处理系可采以空气或压缩干燥空气(Compressed Dry Air,CDA)所产生之大气等离子清洁并活化该基材表面。较佳地，该基材之材料系可为选自玻璃、金属、陶瓷、橡胶、塑胶、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)、以及压克力(PMMA)所组群组之其中一者。形成该硬镀层之厚度范围系可为20nm至5000nm。较佳地，该硬镀层系可为金属氧化物镀层，其中，该金属氧化物镀层之材料系可选自硅氧化合物(Silicon oxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化钛、氧化锆、及氧化铝之其中一者，而其粗糙面之平均表面粗糙度范围系为5nm至1μm。形成该疏水镀层之厚度范围系为5nm至1000nm，且较佳地该疏水镀层系为含氟烷基之硅化合物镀层。另外，本发明所运用之大气等离子镀膜技术，系利用压力及温度控制一混合气体经一喷嘴产生等离子进行喷镀，其中，该压力范围系可为1托耳至760托耳，而该混合气体系可为选自含氟烷基之三氯硅烷(fluoroalkyl group－containing trichlorosilanes)、含氟烷基之三烷氧硅烷(fluoroalkyl group－containing trialkoxysilanes)、含氟烷基之三酰氧硅烷(fluoroalkyl group－containing triacyloxysilanes)、含氟烷基之三异氰酸酯硅烷(fluoroalkyl group－containing triisocyanatesilanes)、以及含氟烷基之酯丙烯酸酯硅烷(fluoroalkyl group－containing acrylatesilanes)所组群组之其中一者。其中，该混合气体系包括进料气体及前驱物。相较于习知技术，本发明所提出之疏水结构及其制法，主要系运用大气等离子镀膜技术于基材表面依序形成具有粗糙面之硬镀层、以及形成于该粗糙面上之疏水镀层，所制得之疏水结构系含有硬镀层及疏水镀层，因此可提升该疏水结构之硬度与耐磨性，同时借由硬度与耐磨性之提升而可保护底层基材，并且降低疏水结构所需之厚度故而提升其透明度。此外，因应该硬度层之粗糙面设计，可提升疏水结构之疏水性，而运用大气等离子之镀膜技术，则可比一般真空等离子省去抽真空之时间、设备空间、简化镀层步骤、极易与现有生产线制程相结合，故可大量降低制造成本，相对已解决先前技术所存在之问题。

7. 发明专利

TW201327862A 導電基板及其製造方法，以及太陽能電池审中-公开
简体标题：导电基板及其制造方法，以及太阳能电池
公开(公告)号：TW201327862A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100149271
申请日：2011-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 北儒精密股份有限公司 , BAY ZU PRECISION CO., LTD.
发明人：張加強 , CHANG, CHIA CHIANG , 吳清吉 , WU, CHIN JYI , 蘇濬賢 , SU, CHUN HSIEN , 黃導陽 , HUANG, DAO YANG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/02168 , H01L31/022483 , Y02E10/50 , Y10T428/24355
摘要：一種導電基板的製造方法，其包括下列步驟。提供一基板。以一常壓電漿製程於基板上形成具有一第一粗化表面的一阻障層，其中以常壓電壓製程所形成的第一粗化表面的表面粗糙度(Ra)介於10奈米至100奈米之間。以一真空濺鍍製程於阻障層之第一粗化表面上形成一第一電極層，第一電極層的表面係具有一第二粗化表面，該第二粗化表面的表面粗糙度(Ra)介於10奈米至100奈米之間。此外，更可於第一電極層之第二粗化表面上形成一光電轉換層。於光電轉換層上形成一第二電極層。本發明另提供一種太陽能電池及導電基板。
简体摘要：一种导电基板的制造方法，其包括下列步骤。提供一基板。以一常压等离子制程于基板上形成具有一第一粗化表面的一阻障层，其中以常压电压制程所形成的第一粗化表面的表面粗糙度(Ra)介于10奈米至100奈米之间。以一真空溅镀制程于阻障层之第一粗化表面上形成一第一电极层，第一电极层的表面系具有一第二粗化表面，该第二粗化表面的表面粗糙度(Ra)介于10奈米至100奈米之间。此外，更可于第一电极层之第二粗化表面上形成一光电转换层。于光电转换层上形成一第二电极层。本发明另提供一种太阳能电池及导电基板。

8. 发明专利

TW201327291A 具有抗菌層之觸控面板审中-公开
简体标题：具有抗菌层之触摸皮肤
公开(公告)号：TW201327291A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100147773
申请日：2011-12-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：張加強 , CHANG, CHIA CHIANG , 張瀛方 , CHANG, YING FANG
IPC分类号： G06F3/041 , B32B37/14 , C23C16/30
摘要：本發明係關於一種可廣泛應用於各種接觸、碰觸表面之抗菌抗沾黏複合膜層，特別適用於可能會大量使用或公眾使用之碰觸面板。抗菌抗沾黏複合膜層不但疏水性相當高且具自潔作用，更具有抗反射之功能。
简体摘要：本发明系关于一种可广泛应用于各种接触、碰触表面之抗菌抗沾黏复合膜层，特别适用于可能会大量使用或公众使用之碰触皮肤。抗菌抗沾黏复合膜层不但疏水性相当高且具自洁作用，更具有抗反射之功能。

9. 发明专利

TWI345802B 電子元件圖紋缺陷的修補方法 METHODS FOR REPAIRING PATTERNED STRUCTURE OF ELECTRONIC DEVICES 失效
简体标题：电子组件图纹缺陷的修补方法 METHODS FOR REPAIRING PATTERNED STRUCTURE OF ELECTRONIC DEVICES
公开(公告)号：TWI345802B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW095139325
申请日：2006-10-25
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：鄭兆凱 , 黃介一 , 邱琬雯 , 林春宏 , 張加強
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： G02B5/201 , G03F7/0007 , G03F7/405
摘要：本發明提供一種電子元件圖紋缺陷的修補方法包括提供一基板具有一圖案化結構於其上，其中圖案化結構具有至少一缺陷，且圖案化結構對應一主要區域及該至少一缺陷對應一缺陷區域。施以一第一表面處理步驟於缺陷區域，使缺陷區域的表面性質相異於主要區域。以噴墨法施以一缺陷修補步驟以及施以一第二表面處理步驟於缺陷區域，使缺陷區域的表面性質與主要區域的表面性質相同。
简体摘要：本发明提供一种电子组件图纹缺陷的修补方法包括提供一基板具有一图案化结构于其上，其中图案化结构具有至少一缺陷，且图案化结构对应一主要区域及该至少一缺陷对应一缺陷区域。施以一第一表面处理步骤于缺陷区域，使缺陷区域的表面性质相异于主要区域。以喷墨法施以一缺陷修补步骤以及施以一第二表面处理步骤于缺陷区域，使缺陷区域的表面性质与主要区域的表面性质相同。

10. 发明专利

TWI341872B 電漿鍍膜裝置及其鍍膜方法 PLASMA DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITING METHOD THEREOF 有权
简体标题：等离子镀膜设备及其镀膜方法 PLASMA DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI341872B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：TW095128840
申请日：2006-08-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張加強 , 吳清吉 , 廖新治 , 林春宏
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/345 , C23C16/45563 , C23C16/45595 , C23C16/513
摘要：本發明提供一種電漿鍍膜裝置，包括：一反應室；一載座，設置於上述反應室中；一電漿源產生裝置，設置於上述反應室中，且位於上述載座上方，上述電漿源產生裝置包含一電漿束噴射器，用以提供一沉積薄膜用的電漿束，上述電漿束噴射器所產生的上述電漿束與上述載座的法線夾角0°
简体摘要：本发明提供一种等离子镀膜设备，包括：一反应室；一载座，设置于上述反应室中；一等离子源产生设备，设置于上述反应室中，且位于上述载座上方，上述等离子源产生设备包含一等离子束喷射器，用以提供一沉积薄膜用的等离子束，上述等离子束喷射器所产生的上述等离子束与上述载座的法线夹角0°<θ1<90°；以及一抽气设备，设置于上述反应室中，且位于上述载座上方，上述抽气设备包含一抽气管，用以提供一抽气路径以抽取上述等离子束形成薄膜时产生的微粒以及副产物，上述抽气管与上述载座的法线夹角0°<θ2<90°。

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