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1. 发明专利

TW201829834A 藉由還原及去除金屬氧化物形成低電阻率金屬接觸部與內連線的系統及方法审中-公开
简体标题：借由还原及去除金属氧化物形成低电阻率金属接触部与内连接的系统及方法
公开(公告)号：TW201829834A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106135813
申请日：2017-10-19
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：塔拉夫達拉伊漢 , TARAFDAR, RAIHAN , 湯貝爾思魯提 , THOMBARE, SHRUTI , 羅正錫 , NA, JEONG-SEOK , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 黎照健 , LAI, CHIUKIN STEVEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要：一種在阻障層上沉積金屬層的方法，包含a) 將一基板配置在一處理腔室中。該基板已暴露於空氣及/或氧化化學品其中至少一者，且該基板包含一阻障層及一或更多下層，其中該阻障層包含選自於由鉭氮化物、鈦氮化物、鉭、及鈦所組成之群組的一材料。該方法包含b) 將一氣體供應至該處理腔室達一預定週期以去除該阻障層之氧化，該氣體係選自於由聯氨、包含氟物種之氣體、包含氯物種之氣體、聯氨之衍生物、氨、一氧化碳、含脒基化合物之氣體、及/或含金屬有機配體之氣體所組成之群組。該方法包含c) 於b)步驟之後於該阻障層上沉積一金屬層。該金屬層包含選自於由鈷、銅、鎢、釕、銠、鉬、及鎳所組成之群組一金屬。
简体摘要：一种在阻障层上沉积金属层的方法，包含a) 将一基板配置在一处理腔室中。该基板已暴露于空气及/或氧化化学品其中至少一者，且该基板包含一阻障层及一或更多下层，其中该阻障层包含选自于由钽氮化物、钛氮化物、钽、及钛所组成之群组的一材料。该方法包含b) 将一气体供应至该处理腔室达一预定周期以去除该阻障层之氧化，该气体系选自于由联氨、包含氟物种之气体、包含氯物种之气体、联氨之衍生物、氨、一氧化碳、含脒基化合物之气体、及/或含金属有机配体之气体所组成之群组。该方法包含c) 于b)步骤之后于该阻障层上沉积一金属层。该金属层包含选自于由钴、铜、钨、钌、铑、钼、及镍所组成之群组一金属。

2. 发明专利

TW201525174A 極低電阻率鎢之沉積方法审中-公开
简体标题：极低电阻率钨之沉积方法
公开(公告)号：TW201525174A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103144260
申请日：2014-12-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：班諾爾克漢娜 , BAMNOLKER, HANNA , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 王德琪 , WANG, DEQI , 關彥 , GUAN, YAN
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53266
摘要：在半導體處理中沉積極低電阻率之鎢的方法係揭露於此。本方法涉及在鎢沉積程序期間的不同時間點對基板退火，以達成具有實質上較低電阻率的均勻鎢層。
简体摘要：在半导体处理中沉积极低电阻率之钨的方法系揭露于此。本方法涉及在钨沉积进程期间的不同时间点对基板退火，以达成具有实质上较低电阻率的均匀钨层。

3. 发明专利

TW201519317A 於不同尺寸特徵部內之無空穴鎢塡充物审中-公开
简体标题：于不同尺寸特征部内之无空穴钨填充物
公开(公告)号：TW201519317A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103125515
申请日：2014-07-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67
摘要：本文提供將鎢沉積至在一基板上之不同尺寸的特徵部中之方法。該方法包含沉積一第一主體鎢層至該等特徵部中、蝕刻該受沉積之鎢、沉積一第二主體鎢、此係被中斷以在較小特徵部被完全填充後處理鎢、以及在沉積較小、較光滑之鎢晶粒於大特徵部中之處理後，繼續第二主體層的沉積。該方法亦包括在沉積－蝕刻－沉積的數個循環中沉積鎢，其中每一循環以一組相似尺寸的特徵部為目標，使用針對該組之蝕刻化學品；以及從最小尺寸之特徵部至最大尺寸之特徵部進行沉積。使用本文所述的方法之沉積產生較小、較平滑的晶粒，其係使用無間隙填充物於基板內之大範圍的尺寸之特徵部。
简体摘要：本文提供将钨沉积至在一基板上之不同尺寸的特征部中之方法。该方法包含沉积一第一主体钨层至该等特征部中、蚀刻该受沉积之钨、沉积一第二主体钨、此系被中断以在较小特征部被完全填充后处理钨、以及在沉积较小、较光滑之钨晶粒于大特征部中之处理后，继续第二主体层的沉积。该方法亦包括在沉积－蚀刻－沉积的数个循环中沉积钨，其中每一循环以一组相似尺寸的特征部为目标，使用针对该组之蚀刻化学品；以及从最小尺寸之特征部至最大尺寸之特征部进行沉积。使用本文所述的方法之沉积产生较小、较平滑的晶粒，其系使用无间隙填充物于基板内之大范围的尺寸之特征部。

4. 发明专利

TWI672737B 允許低電阻率鎢特徵物填充之鎢成核程序有权
简体标题：允许低电阻率钨特征物填充之钨成核进程
公开(公告)号：TWI672737B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW103145125
申请日：2014-12-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 馬南哈爾蘇哈 , MANANDHAR, SUDHA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768

5. 发明专利

TW201907038A 在互連線金屬化中的釕層沉積方法及裝置审中-公开
简体标题：在互连接金属化中的钌层沉积方法及设备
公开(公告)号：TW201907038A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107119290
申请日：2018-06-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：金杜永 , KIM, DO YOUNG , 羅正錫 , NA, JEONG-SEOK , 黎照健 , LAI, CHIUKIN STEVEN , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：本文提供的為用於釕(Ru)特徵部填充的沉積製程。在一些實施例中，製程包含在還原條件下的薄保護性Ru膜之沉積，後接氧化條件下的Ru填充步驟。無氧條件下或利用氧移除操作所形成之保護性Ru膜的存在可實現不具有下方黏著層或金屬特徵部之氧化的Ru填充。
简体摘要：本文提供的为用于钌(Ru)特征部填充的沉积制程。在一些实施例中，制程包含在还原条件下的薄保护性Ru膜之沉积，后接氧化条件下的Ru填充步骤。无氧条件下或利用氧移除操作所形成之保护性Ru膜的存在可实现不具有下方黏着层或金属特征部之氧化的Ru填充。

6. 发明专利

TWI627676B 於不同尺寸特徵部內之無空穴鎢塡充物有权
简体标题：于不同尺寸特征部内之无空穴钨填充物
公开(公告)号：TWI627676B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103125515
申请日：2014-07-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67

7. 发明专利

TW201820536A 用於鈷的錳阻障層及黏著層审中-公开
简体标题：用于钴的锰阻障层及黏着层
公开(公告)号：TW201820536A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106115696
申请日：2017-05-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黎照健 , LAI, CHIUKIN STEVEN , 羅正錫 , NA, JEONG-SEOK , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL , 艾許地安尼凱翰阿畢迪 , ASHTIANI, KAIHAN ABIDI
IPC分类号： H01L21/768
摘要：本文提供形成導電的鈷（Co）互連線及Co特徵部的方法。該等方法包含在介電質上薄的含錳（Mn）膜之沉積，接著在該含Mn膜上之鈷的後續沉積。含Mn膜可在含矽介電質（諸如二氧化矽）上加以沉積，及退火以形成矽酸錳。
简体摘要：本文提供形成导电的钴（Co）互连接及Co特征部的方法。该等方法包含在介电质上薄的含锰（Mn）膜之沉积，接着在该含Mn膜上之钴的后续沉积。含Mn膜可在含硅介电质（诸如二氧化硅）上加以沉积，及退火以形成硅酸锰。

8. 发明专利

TW201526090A 允許低電阻率鎢特徵物填充之鎢成核程序审中-公开
简体标题：允许低电阻率钨特征物填充之钨成核进程
公开(公告)号：TW201526090A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103145125
申请日：2014-12-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 馬南哈爾蘇哈 , MANANDHAR, SUDHA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768
摘要：在此揭露半導體處理中將低電阻率之鎢沉積至基板之特徵物內的方法。本方法涉及在鎢成核層沉積期間使用含鍺還原試劑以達成薄而低電阻率的成核層。
简体摘要：在此揭露半导体处理中将低电阻率之钨沉积至基板之特征物内的方法。本方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原试剂以达成薄而低电阻率的成核层。

9. 发明专利

TW201921516A 用於三維垂直NAND字元線的金屬填充製程审中-公开
简体标题：用于三维垂直NAND字符线的金属填充制程
公开(公告)号：TW201921516A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128141
申请日：2018-08-13
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：施洛斯勞倫斯 , SCHLOSS, LAWRENCE , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 戈皮納思珊傑 , GOPINATH, SANJAY , 高舉文 , GAO, JUWEN , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL , 艾許地安尼凱翰阿畢迪 , ASHTIANI, KAIHAN ABIDI
IPC分类号： H01L21/365
摘要：所揭示內容為在一半導體基板上沉積諸如鎢之過渡金屬的方法。該方法包含提供伴隨氫平衡的二硼烷之氣體混合物，其中氫用以穩定氣體混合物中的二硼烷。該方法更包含將該氣體混合物輸送至該半導體基板以形成一硼層，其中該硼層係作為還原劑層以將含金屬前驅物轉化為金屬，例如含鎢前驅物轉化為鎢。在一些實施例中，該半導體基板包含具有水平特徵部或字元線的一垂直結構(例如三維垂直NAND結構)，該等水平特徵部或字元線在該垂直結構之側壁中具有開口，其中該硼層可被保形地沉積於該垂直結構之該等水平特徵部中。
简体摘要：所揭示内容为在一半导体基板上沉积诸如钨之过渡金属的方法。该方法包含提供伴随氢平衡的二硼烷之气体混合物，其中氢用以稳定气体混合物中的二硼烷。该方法更包含将该气体混合物输送至该半导体基板以形成一硼层，其中该硼层系作为还原剂层以将含金属前驱物转化为金属，例如含钨前驱物转化为钨。在一些实施例中，该半导体基板包含具有水平特征部或字符线的一垂直结构(例如三维垂直NAND结构)，该等水平特征部或字符线在该垂直结构之侧壁中具有开口，其中该硼层可被保形地沉积于该垂直结构之该等水平特征部中。

10. 发明专利

TW201843333A 用於內連線之鎢碳氮化物阻障/黏著層的選擇性沉積审中-公开
简体标题：用于内连接之钨碳氮化物阻障/黏着层的选择性沉积
公开(公告)号：TW201843333A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107110616
申请日：2018-03-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅正錫 , NA, JEONG-SEOK , 拉梭德梅卡 , RATHOD, MEGHA , 黎照健 , LAI, CHIUKIN STEVEN , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/04 , H01L21/31
摘要：提供用於內連線之擴散阻障物及黏著層之形成方法，內連線例如為鈷（Co）內連線或釕（Ru）內連線。該方法涉及，在包括Co表面之特徵部之氧化物表面上、選擇性沉積鎢碳氮化物（WCN）膜。WCN在氧化物上之選擇性生長容許在界面（例如Co-Co界面或Co-Ru界面）處之接觸電阻顯著地減低，同時在側壁氧化物表面上維持良好的膜覆蓋、黏著、及∕或阻障性質。
简体摘要：提供用于内连接之扩散阻障物及黏着层之形成方法，内连接例如为钴（Co）内连接或钌（Ru）内连接。该方法涉及，在包括Co表面之特征部之氧化物表面上、选择性沉积钨碳氮化物（WCN）膜。WCN在氧化物上之选择性生长容许在界面（例如Co-Co界面或Co-Ru界面）处之接触电阻显着地减低，同时在侧壁氧化物表面上维持良好的膜覆盖、黏着、及∕或阻障性质。

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