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1. 发明专利

TWI627676B 於不同尺寸特徵部內之無空穴鎢塡充物有权
简体标题：于不同尺寸特征部内之无空穴钨填充物
公开(公告)号：TWI627676B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103125515
申请日：2014-07-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67

2. 发明专利

TW201827643A 用於蝕刻金屬之連續及脈衝式射頻電漿审中-公开
简体标题：用于蚀刻金属之连续及脉冲式射频等离子
公开(公告)号：TW201827643A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106129268
申请日：2017-08-29
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 慕提亞拉馬杜桑托什庫馬爾 , MUTYALA, MADHU SANTOSH KUMAR
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要：提供使用含氮蝕刻劑氣體蝕刻鎢及其他金屬或含金屬薄膜的方法。此些方法涉及將薄膜暴露至連續波(CW)電漿，然後在朝向蝕刻操作終止前切換至脈衝式電漿。脈衝式電漿具有較低濃度的氮自由基且可緩和鎢表面上的氮化效應。在某些實施例中，在經蝕刻的表面進行接續的沉積而無成核延遲。亦提供施行此些方法的設備。
简体摘要：提供使用含氮蚀刻剂气体蚀刻钨及其他金属或含金属薄膜的方法。此些方法涉及将薄膜暴露至连续波(CW)等离子，然后在朝向蚀刻操作终止前切换至脉冲式等离子。脉冲式等离子具有较低浓度的氮自由基且可缓和钨表面上的氮化效应。在某些实施例中，在经蚀刻的表面进行接续的沉积而无成核延迟。亦提供施行此些方法的设备。

3. 发明专利

TW201719756A 蝕刻製程中施加脈衝予射頻功率以提升鎢間隙填充功能审中-公开
简体标题：蚀刻制程中施加脉冲予射频功率以提升钨间隙填充功能
公开(公告)号：TW201719756A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126501
申请日：2016-08-19
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馮慧傑 , FUNG, WAIKIT , 孟亮 , MENG, LIANG , 嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/67 , C23C16/505 , H01J37/32 , C23C16/52 , H01L21/768 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/32136 , C23C16/045 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/67069 , H01L21/76877
摘要：提供使用金屬材料（諸如含鎢材料）以實質無孔隙的方式填充特徵部的方法及設備。在某些實施例中，該方法包含沉積諸如含鎢材料之金屬的初始層，接著移除該初始層的一部分以形成剩餘層，該剩餘層沿高深寬比特徵部的深度係有差別地加以鈍化。該部分可藉由將含鎢材料曝露於自含氟含氮氣體產生的電漿並在曝露期間使脈衝輸送及/或勻變電漿而加以移除。
简体摘要：提供使用金属材料（诸如含钨材料）以实质无孔隙的方式填充特征部的方法及设备。在某些实施例中，该方法包含沉积诸如含钨材料之金属的初始层，接着移除该初始层的一部分以形成剩余层，该剩余层沿高深宽比特征部的深度系有差别地加以钝化。该部分可借由将含钨材料曝露于自含氟含氮气体产生的等离子并在曝露期间使脉冲输送及/或匀变等离子而加以移除。

4. 发明专利

TW201717316A 用於增強的鎢沉積填充之鎢的原子層蝕刻审中-公开
简体标题：用于增强的钨沉积填充之钨的原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201717316A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105124539
申请日：2016-08-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黎照健 , LAI, CHIUKIN STEVEN , 凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS , 陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 蘇泰天 , SU, TEH-TIEN , 楊文兵 , YANG, WENBING , 伍德麥可 , WOOD, MICHAEL , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/28556 , H01L21/76877
摘要：本說明書提供使用沉積-蝕刻-沉積(dep-etch-dep)製程將鎢沉積至高縱橫比之特徵部中的方法，其中該製程整合各種沉積技術與蝕刻期間之表面改質及移除的交替脈衝。
简体摘要：本说明书提供使用沉积-蚀刻-沉积(dep-etch-dep)制程将钨沉积至高纵横比之特征部中的方法，其中该制程集成各种沉积技术与蚀刻期间之表面改质及移除的交替脉冲。

5. 发明专利

TW201920748A 氮化鎢阻障層沉積审中-公开
简体标题：氮化钨阻障层沉积
公开(公告)号：TW201920748A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122046
申请日：2018-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡雷爾羅希特 , KHARE, ROHIT , 林賈斯敏 , LIN, JASMINE , 嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/768
摘要：本文提供氮化鎢(WN)沉積的方法。亦提供鎢(W)接觸窗與矽化鍺(SiGe)層之堆疊體及用於形成該等堆疊體的方法。該等堆疊體包含SiGe/矽化鎢(WSix)/WN/W層，且WSix提供SiGe及WN層之間的歐姆接觸。亦提供使用六氟化鎢(WF6)以在含鎢薄膜之沉積中減少下層的氟(F)攻擊之方法。亦提供用於執行該等方法的設備。
简体摘要：本文提供氮化钨(WN)沉积的方法。亦提供钨(W)接触窗与硅化锗(SiGe)层之堆栈体及用于形成该等堆栈体的方法。该等堆栈体包含SiGe/硅化钨(WSix)/WN/W层，且WSix提供SiGe及WN层之间的欧姆接触。亦提供使用六氟化钨(WF6)以在含钨薄膜之沉积中减少下层的氟(F)攻击之方法。亦提供用于运行该等方法的设备。

6. 发明专利

TW201837969A 用於遠程電漿程序之腔室調節审中-公开
简体标题：用于远程等离子进程之腔室调节
公开(公告)号：TW201837969A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106144306
申请日：2017-12-18
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：王德琪 , WANG, DEQI , 劉剛 , LIU, GANG , 嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 楊宗翰 , YANG, TSUNG-HAN , 格里斯沃爾德約翰 W , GRISWOLD, JOHN W.
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本文描述的方法、系統、及設備係關於用於遠程電漿程序的腔室調節，特別關於遠程之基於氮的電漿程序。本揭示內容的某些實施方式係關於用於特徵部填充之包含腔室調節的遠程電漿抑制程序。本揭示內容的實施例係關於在基板（諸如半導體晶圓）之基於氮的遠程電漿處理之前將遠程電漿處理腔室曝露於氟物種。晶圓內的均勻性及晶圓與晶圓間的均勻性受到改善。
简体摘要：本文描述的方法、系统、及设备系关于用于远程等离子进程的腔室调节，特别关于远程之基于氮的等离子进程。本揭示内容的某些实施方式系关于用于特征部填充之包含腔室调节的远程等离子抑制进程。本揭示内容的实施例系关于在基板（诸如半导体晶圆）之基于氮的远程等离子处理之前将远程等离子处理腔室曝露于氟物种。晶圆内的均匀性及晶圆与晶圆间的均匀性受到改善。

7. 发明专利

TW201519317A 於不同尺寸特徵部內之無空穴鎢塡充物审中-公开
简体标题：于不同尺寸特征部内之无空穴钨填充物
公开(公告)号：TW201519317A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103125515
申请日：2014-07-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67
摘要：本文提供將鎢沉積至在一基板上之不同尺寸的特徵部中之方法。該方法包含沉積一第一主體鎢層至該等特徵部中、蝕刻該受沉積之鎢、沉積一第二主體鎢、此係被中斷以在較小特徵部被完全填充後處理鎢、以及在沉積較小、較光滑之鎢晶粒於大特徵部中之處理後，繼續第二主體層的沉積。該方法亦包括在沉積－蝕刻－沉積的數個循環中沉積鎢，其中每一循環以一組相似尺寸的特徵部為目標，使用針對該組之蝕刻化學品；以及從最小尺寸之特徵部至最大尺寸之特徵部進行沉積。使用本文所述的方法之沉積產生較小、較平滑的晶粒，其係使用無間隙填充物於基板內之大範圍的尺寸之特徵部。
简体摘要：本文提供将钨沉积至在一基板上之不同尺寸的特征部中之方法。该方法包含沉积一第一主体钨层至该等特征部中、蚀刻该受沉积之钨、沉积一第二主体钨、此系被中断以在较小特征部被完全填充后处理钨、以及在沉积较小、较光滑之钨晶粒于大特征部中之处理后，继续第二主体层的沉积。该方法亦包括在沉积－蚀刻－沉积的数个循环中沉积钨，其中每一循环以一组相似尺寸的特征部为目标，使用针对该组之蚀刻化学品；以及从最小尺寸之特征部至最大尺寸之特征部进行沉积。使用本文所述的方法之沉积产生较小、较平滑的晶粒，其系使用无间隙填充物于基板内之大范围的尺寸之特征部。

8. 发明专利

TW201712804A 包含多段式抑制成核之特徵部填充审中-公开
简体标题：包含多段式抑制成核之特征部填充
公开(公告)号：TW201712804A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115121
申请日：2016-05-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：王德琪 , WANG, DEQI , 嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0245 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L27/10891 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要：本文描述以鎢填充特徵部之方法、及相關系統及設備，涉及鎢成核之抑制。在某些實施例中，方法涉及沿著特徵部輪廓之選擇性抑制。選擇性抑制鎢成核之方法可包含，使特徵部暴露至直接或遠端電漿。方法包含，實施多段式抑制處理，在複數階段中包含間隔。在間隔期間，可減少或關閉電漿來源功率、基板偏壓功率、或處理氣體流量其中一或多者。本文中所述之方法可用於填充例如鎢介層窗之垂直特徵部、及例如垂直NAND（VNAND）字元線之水平特徵部。方法可用於保形填充及由下而上∕由內而外之填充兩者。應用之範例包含邏輯及記憶體接觸窗填充、DRAM埋入式字元線填充、垂直整合式記憶體閘極及字元線填充、以及使用直通矽穿孔之3-D整合。
简体摘要：本文描述以钨填充特征部之方法、及相关系统及设备，涉及钨成核之抑制。在某些实施例中，方法涉及沿着特征部轮廓之选择性抑制。选择性抑制钨成核之方法可包含，使特征部暴露至直接或远程等离子。方法包含，实施多段式抑制处理，在复数阶段中包含间隔。在间隔期间，可减少或关闭等离子来源功率、基板偏压功率、或处理气体流量其中一或多者。本文中所述之方法可用于填充例如钨介层窗之垂直特征部、及例如垂直NAND（VNAND）字符线之水平特征部。方法可用于保形填充及由下而上∕由内而外之填充两者。应用之范例包含逻辑及内存接触窗填充、DRAM埋入式字符线填充、垂直集成式内存闸极及字符线填充、以及使用直通硅穿孔之3-D集成。

9. 发明专利

TW201626503A 具有成核抑制的特徵部填充审中-公开
简体标题：具有成核抑制的特征部填充
公开(公告)号：TW201626503A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132010
申请日：2015-09-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 鄭艾斯特 , JENG, ESTHER , 胡瑪雲拉許納 , HUMAYUN, RAASHINA , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL , 高舉文 , GAO, JUWEN , 王德琪 , WANG, DEQI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/115 , H01L21/324 , H01L23/48 , H01L21/285 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/00 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01L21/28556 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L21/76856 , H01L21/76861 , H01L21/76876 , H01L21/76898 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本文中揭露的係以鎢填充特徵物的方法，以及相關的系統與設備，其涉及鎢成核的抑制。在一些實施例中，該方法涉及沿著特徵物輪廓的選擇性抑制。選擇性抑制鎢成核的方法可包括將特徵物暴露到直接或遠端電漿。使用抑制前、以及抑制後的處理，以調變該抑制的效果，而幫助特徵物填充在廣的處理窗(process window)上使用抑制。本文所述之方法可用於填充垂直特徵物(例如鎢穿孔)以及水平特徵物(例如垂直NAND(VNAND)字元線)。該等方法可用於保形填充、以及由下至上及/或由內至外的填充兩者。應用之範例包括邏輯與記憶體接觸窗填充、DRAM埋入式字元線填充、垂直整合記憶體閘極與字元線填充、及使用直通矽穿孔的3-D積體化。
简体摘要：本文中揭露的系以钨填充特征物的方法，以及相关的系统与设备，其涉及钨成核的抑制。在一些实施例中，该方法涉及沿着特征物轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨成核的方法可包括将特征物暴露到直接或远程等离子。使用抑制前、以及抑制后的处理，以调制该抑制的效果，而帮助特征物填充在广的处理窗(process window)上使用抑制。本文所述之方法可用于填充垂直特征物(例如钨穿孔)以及水平特征物(例如垂直NAND(VNAND)字符线)。该等方法可用于保形填充、以及由下至上及/或由内至外的填充两者。应用之范例包括逻辑与内存接触窗填充、DRAM埋入式字符线填充、垂直集成内存闸极与字符线填充、及使用直通硅穿孔的3-D积体化。

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