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1. 发明专利

TWI650796B 變壓器耦合電容調諧匹配電路及具有變壓器耦合電容調諧匹配電路的電漿蝕刻腔室有权
简体标题：变压器耦合电容调谐匹配电路及具有变压器耦合电容调谐匹配电路的等离子蚀刻腔室
公开(公告)号：TWI650796B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106130537
申请日：2013-10-22
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG,MAOLIN , 馬須理齊 , MARSH,RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

2. 发明专利

TW201922062A 控制電漿腔室內之離子能量审中-公开
简体标题：控制等离子腔室内之离子能量
公开(公告)号：TW201922062A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107146049
申请日：2014-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：立爾托爾斯滕 , LILL,THORSTEN , 席恩哈密特 , SINGH,HARMEET , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX , 卡麥希葛瑞 , KAMARTHY,GOWRI
IPC分类号： H05H1/02 , H01J37/32
摘要：描述用以控制電漿腔室中之離子能量的系統及方法。系統其中一者包括：一上電極，該上電極連接至一正弦RF產生器以接收一正弦信號；及一非正弦RF產生器，該非正弦RF產生器係用以產生一非正弦信號。該系統更包括連接至該非正弦RF產生器的一功率放大器。該功率放大器係用以將該非正弦信號放大以產生一放大後信號。該系統包括連接至功率放大器的一濾波器。該濾波器係用以使用一濾波信號來對該放大後信號進行濾波以產生一濾波後信號。該系統包括連接至該濾波器的一卡盤。該卡盤面向該上電極的至少一部分且包括一下電極。該下電極係用以接收該濾波後信號以促使在該卡盤的離子能量達到一下臨界值與一上臨界值之間。
简体摘要：描述用以控制等离子腔室中之离子能量的系统及方法。系统其中一者包括：一上电极，该上电极连接至一正弦RF产生器以接收一正弦信号；及一非正弦RF产生器，该非正弦RF产生器系用以产生一非正弦信号。该系统更包括连接至该非正弦RF产生器的一功率放大器。该功率放大器系用以将该非正弦信号放大以产生一放大后信号。该系统包括连接至功率放大器的一滤波器。该滤波器系用以使用一滤波信号来对该放大后信号进行滤波以产生一滤波后信号。该系统包括连接至该滤波器的一卡盘。该卡盘面向该上电极的至少一部分且包括一下电极。该下电极系用以接收该滤波后信号以促使在该卡盘的离子能量达到一下临界值与一上临界值之间。

3. 发明专利

TW201641741A 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭审中-公开
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TW201641741A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105129730
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG,MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX , 肯沃西意恩 J , KENWORTHY,IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要：一種兩件式的陶瓷噴淋頭包含上、下板而可輸送處理氣體至電感耦合電漿處理室中。該上板乃覆蓋在下板上方並包含：由上板之一外緣向內延伸之徑向延伸氣體通道；軸向延伸氣體通道，與該徑向延伸氣體通道流體相通；一環狀凹部，其在該上下板之間形成一環狀充氣部。該下板包含軸向延伸氣孔而與該充氣部流體相通。該上板可包含八個徑向延伸氣體通道配置於該上板之周圍並以等距離隔開，該下板可包含內、外排之氣孔。該兩件式陶瓷噴淋頭形成一處理室介電窗，並透過該介電窗而將天線產生之無線射頻能耦合進該處理室。一氣體輸送系統乃將處理氣體輸送至該上、下板之間的充氣部，其氣體容積不大於500 cm3 。下板中之氣孔則於該充氣部以及下板之一電漿外露氧化釔塗佈表面之間延伸。該氣體輸送系統可經操作而供應蝕刻氣體以及沈積氣體至該處理室，俾使環狀充氣部內之蝕刻氣體可在200毫秒之內替換成沈積氣體，反之亦然。
简体摘要：一种两件式的陶瓷喷淋头包含上、下板而可输送处理气体至电感耦合等离子处理室中。该上板乃覆盖在下板上方并包含：由上板之一外缘向内延伸之径向延伸气体信道；轴向延伸气体信道，与该径向延伸气体信道流体相通；一环状凹部，其在该上下板之间形成一环状充气部。该下板包含轴向延伸气孔而与该充气部流体相通。该上板可包含八个径向延伸气体信道配置于该上板之周围并以等距离隔开，该下板可包含内、外排之气孔。该两件式陶瓷喷淋头形成一处理室介电窗，并透过该介电窗而将天线产生之无线射频能耦合进该处理室。一气体输送系统乃将处理气体输送至该上、下板之间的充气部，其气体容积不大于500 cm3 。下板中之气孔则于该充气部以及下板之一等离子外露氧化钇涂布表面之间延伸。该气体输送系统可经操作而供应蚀刻气体以及沉积气体至该处理室，俾使环状充气部内之蚀刻气体可在200毫秒之内替换成沉积气体，反之亦然。

4. 发明专利

TW201836012A 半導體製造用之內部電漿格柵审中-公开
简体标题：半导体制造用之内部等离子格栅
公开(公告)号：TW201836012A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107120262
申请日：2014-04-03
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH,HARMEET , 立爾托爾斯滕 , LILL,THORSTEN , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI,VAHID , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX , 堤圖司莫妮卡 , TITUS,MONICA , 卡麥希葛瑞 , KAMARTHY,GOWRI
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本文中的實施例係關於蝕刻半導體基板的方法及設備。一電漿格柵組件係置於一反應室中以將該反應室分隔為上子室與下子室。該電漿格柵組件可包含一或多個電漿格柵，格柵具有特定高寬比的槽口讓某些物種得以從上子室通過格柵而到達下子室。當使用複數電漿格柵時，格柵中的一或多者為可動的，俾以維持至少該下子室中的電漿條件。在某些情況中，在上子室中產生電子-離子電漿。通過格柵而到達下子室的電子會因為通過格柵而變冷。在某些情況中，這會導致在下子室中的離子-離子電漿。
简体摘要：本文中的实施例系关于蚀刻半导体基板的方法及设备。一等离子格栅组件系置于一反应室中以将该反应室分隔为上子室与下子室。该等离子格栅组件可包含一或多个等离子格栅，格栅具有特定高宽比的槽口让某些物种得以从上子室通过格栅而到达下子室。当使用复数等离子格栅时，格栅中的一或多者为可动的，俾以维持至少该下子室中的等离子条件。在某些情况中，在上子室中产生电子-离子等离子。通过格栅而到达下子室的电子会因为通过格栅而变冷。在某些情况中，这会导致在下子室中的离子-离子等离子。

5. 发明专利

TWI612179B 用於電感耦合電漿蝕刻反應器之氣體分配噴淋頭有权
简体标题：用于电感耦合等离子蚀刻反应器之气体分配喷淋头
公开(公告)号：TWI612179B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105129730
申请日：2012-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯麥可 , KANG,MICHAEL , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX , 肯沃西意恩 J , KENWORTHY,IAN J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/30604 , B05B1/185 , B05D1/62 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L21/30655 , H01L21/67069

6. 发明专利

TWI677025B 半導體製造用之內部電漿格柵有权
简体标题：半导体制造用之内部等离子格栅
公开(公告)号：TWI677025B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107120262
申请日：2014-04-03
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH,HARMEET , 立爾托爾斯滕 , LILL,THORSTEN , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI,VAHID , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX , 堤圖司莫妮卡 , TITUS,MONICA , 卡麥希葛瑞 , KAMARTHY,GOWRI
IPC分类号： H01L21/3065

7. 发明专利

TW201740427A 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配電路审中-公开
简体标题：用于等离子蚀刻腔室之变压器耦合电容调谐匹配电路
公开(公告)号：TW201740427A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106130537
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG,MAOLIN , 馬須理齊 , MARSH,RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
摘要：一種匹配電路，包括下列元件：一電力輸入電路，耦合至RF源；一內線圈輸入電路，耦合在電力輸入電路與內線圈的輸入端之間，內線圈輸入電路包括一電感以及與電感串聯耦合之一電容，電感連接至電力輸入電路，且電容連接至內線圈的輸入端，第一節點係定義在電力輸入電路與內線圈輸入電路之間；一內線圈輸出電路，耦合在內線圈的輸出端與接地之間，內線圈輸出電路定義一直接通路連接部至接地；一外線圈輸入電路，耦合在第一節點與外線圈的輸入端之間；以及一外線圈輸出電路，耦合在外線圈的輸出端與接地之間。
简体摘要：一种匹配电路，包括下列组件：一电力输入电路，耦合至RF源；一内线圈输入电路，耦合在电力输入电路与内线圈的输入端之间，内线圈输入电路包括一电感以及与电感串联耦合之一电容，电感连接至电力输入电路，且电容连接至内线圈的输入端，第一节点系定义在电力输入电路与内线圈输入电路之间；一内线圈输出电路，耦合在内线圈的输出端与接地之间，内线圈输出电路定义一直接通路连接部至接地；一外线圈输入电路，耦合在第一节点与外线圈的输入端之间；以及一外线圈输出电路，耦合在外线圈的输出端与接地之间。

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