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1. 发明专利

TWI650796B 變壓器耦合電容調諧匹配電路及具有變壓器耦合電容調諧匹配電路的電漿蝕刻腔室有权
简体标题：变压器耦合电容调谐匹配电路及具有变压器耦合电容调谐匹配电路的等离子蚀刻腔室
公开(公告)号：TWI650796B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106130537
申请日：2013-10-22
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG,MAOLIN , 馬須理齊 , MARSH,RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

2. 发明专利

TWI642083B 錘頭變壓耦合電漿線圈支座及使用於該線圈支座之電漿處理系統及腔室有权
简体标题：锤头变压耦合等离子线圈支座及使用于该线圈支座之等离子处理系统及腔室
公开(公告)号：TWI642083B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW103120393
申请日：2014-06-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065

3. 发明专利

TW201740427A 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配電路审中-公开
简体标题：用于等离子蚀刻腔室之变压器耦合电容调谐匹配电路
公开(公告)号：TW201740427A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106130537
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG,MAOLIN , 馬須理齊 , MARSH,RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON,ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
摘要：一種匹配電路，包括下列元件：一電力輸入電路，耦合至RF源；一內線圈輸入電路，耦合在電力輸入電路與內線圈的輸入端之間，內線圈輸入電路包括一電感以及與電感串聯耦合之一電容，電感連接至電力輸入電路，且電容連接至內線圈的輸入端，第一節點係定義在電力輸入電路與內線圈輸入電路之間；一內線圈輸出電路，耦合在內線圈的輸出端與接地之間，內線圈輸出電路定義一直接通路連接部至接地；一外線圈輸入電路，耦合在第一節點與外線圈的輸入端之間；以及一外線圈輸出電路，耦合在外線圈的輸出端與接地之間。
简体摘要：一种匹配电路，包括下列组件：一电力输入电路，耦合至RF源；一内线圈输入电路，耦合在电力输入电路与内线圈的输入端之间，内线圈输入电路包括一电感以及与电感串联耦合之一电容，电感连接至电力输入电路，且电容连接至内线圈的输入端，第一节点系定义在电力输入电路与内线圈输入电路之间；一内线圈输出电路，耦合在内线圈的输出端与接地之间，内线圈输出电路定义一直接通路连接部至接地；一外线圈输入电路，耦合在第一节点与外线圈的输入端之间；以及一外线圈输出电路，耦合在外线圈的输出端与接地之间。

4. 发明专利

TWI515761B 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽有权
简体标题：具有变压器耦合型等离子线圈区域间的等离子密度去耦合结构之法拉第屏蔽
公开(公告)号：TWI515761B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102138117
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 吳垠 , WU, YING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H05K9/00

5. 发明专利

TWI488213B 法拉第屏及使用該法拉第屏的電漿處理室有权
简体标题：法拉第屏及使用该法拉第屏的等离子处理室
公开(公告)号：TWI488213B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101114694
申请日：2012-04-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN , 龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/321 , H01J37/32633

6. 发明专利

TW201432777A 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽审中-公开
简体标题：具有变压器耦合型等离子线圈区域间的等离子密度去耦合结构之法拉第屏蔽
公开(公告)号：TW201432777A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102138117
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 吳垠 , WU, YING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H05K9/00
摘要：本發明提供法拉第屏蔽、以及結合法拉第屏蔽之電漿處理腔室。電漿腔室包括：一靜電夾盤，用以接收基板；一介電窗，連接至腔室的頂部，介電窗係設置在靜電夾盤上方；以及一法拉第屏蔽。法拉第屏蔽係設置在腔室內部，且定義在靜電夾盤與介電窗之間。法拉第屏蔽包括：一內部區域，具有包括第一及第二複數槽孔之內徑範圍；以及一外部區域，具有包括第三複數槽孔之外徑範圍。內部區域鄰接外部區域。法拉第屏蔽亦包括一帶環，帶環將內部區域與外部區域隔開，以使第一及第二複數槽孔不與第三複數槽孔連接。
简体摘要：本发明提供法拉第屏蔽、以及结合法拉第屏蔽之等离子处理腔室。等离子腔室包括：一静电夹盘，用以接收基板；一介电窗，连接至腔室的顶部，介电窗系设置在静电夹盘上方；以及一法拉第屏蔽。法拉第屏蔽系设置在腔室内部，且定义在静电夹盘与介电窗之间。法拉第屏蔽包括：一内部区域，具有包括第一及第二复数槽孔之内径范围；以及一外部区域，具有包括第三复数槽孔之外径范围。内部区域邻接外部区域。法拉第屏蔽亦包括一带环，带环将内部区域与外部区域隔开，以使第一及第二复数槽孔不与第三复数槽孔连接。

7. 发明专利

TWI606482B 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配電路有权
简体标题：用于等离子蚀刻腔室之变压器耦合电容调谐匹配电路
公开(公告)号：TWI606482B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102138115
申请日：2013-10-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

8. 发明专利

TW201701732A 多輸出射頻匹配網路之一輸出的射頻電流極性之反轉系統及方法审中-公开
简体标题：多输出射频匹配网络之一输出的射频电流极性之反转系统及方法
公开(公告)号：TW201701732A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105106610
申请日：2016-03-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：佐藤亞瑟 H , SATO, ARTHUR H. , 龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H05H1/46 , H05H7/02
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：用於處理基板的一種基板處理工具包含一處理腔室，該處理腔室包含一基板支座。第一及第二線圈係配置在該處理腔室外部。該第一及第二線圈每一者包含第一及第二導線。一線圈驅動電路驅動電流通過該等線圈，以在該處理腔室內產生電漿。一線圈反轉電路係配置成將流經該第一線圈之該第一及第二導線之電流的極性選擇性地加以反轉。該線圈反轉電路包含一H電橋電路。
简体摘要：用于处理基板的一种基板处理工具包含一处理腔室，该处理腔室包含一基板支座。第一及第二线圈系配置在该处理腔室外部。该第一及第二线圈每一者包含第一及第二导线。一线圈驱动电路驱动电流通过该等线圈，以在该处理腔室内产生等离子。一线圈反转电路系配置成将流经该第一线圈之该第一及第二导线之电流的极性选择性地加以反转。该线圈反转电路包含一H电桥电路。

9. 发明专利

TW201725652A 具有熱阻流件之靜電卡盤审中-公开
简体标题：具有热阻流件之静电卡盘
公开(公告)号：TW201725652A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105131840
申请日：2016-10-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 吳垠 , WU, YING , 周關 , CHAU, QUAN
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67109
摘要：提出用以提供增強的靜電卡盤之設備、系統、及技術。這樣的設備、系統、及技術可包括例如：靜電卡盤中之共同RF與DC電極(於半導體處理室外部位置，高電壓DC功率源與高電壓RF功率源至引導到半導體處理室內部之靜電卡盤的共同導電路徑之連接件)、位於靜電卡盤上表面上之極薄的介電層、及/或可用以控制靜電卡盤內之熱流的軸向熱阻流件。
简体摘要：提出用以提供增强的静电卡盘之设备、系统、及技术。这样的设备、系统、及技术可包括例如：静电卡盘中之共同RF与DC电极(于半导体处理室外部位置，高电压DC功率源与高电压RF功率源至引导到半导体处理室内部之静电卡盘的共同导电路径之连接件)、位于静电卡盘上表面上之极薄的介电层、及/或可用以控制静电卡盘内之热流的轴向热阻流件。

10. 发明专利

TWI528869B 電漿處理系統中之電流控制有权
简体标题：等离子处理系统中之电流控制
公开(公告)号：TWI528869B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW099135763
申请日：2010-10-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 傑法瑞恩德瑞尼沙伊德賈法 , JAFARIAN-TEHRANI, SEYED JAFAR , 沙圖亞瑟 , SATO, ARTHUR , 班傑明尼爾馬汀保羅 , BENJAMIN, NEIL MARTIN PAUL , 威廉斯諾曼 , WILLIAMS, NORMAN
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32935

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