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1. 发明专利

TWI419226B 斜角部清理裝置有权
简体标题：斜角部清理设备
公开(公告)号：TWI419226B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097104234
申请日：2008-02-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：金允聖 , KIM, YUNSANG , 安祖D 貝利三世 , BAILEY III, ANDREW D. , 葛瑞格里S 薩克士頓 , SEXTON, GREGORY S. , 金其昌 , KIM, KEECHAM , 安卓斯庫提 , KUTHI, ANDRAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02087

2. 发明专利

TWI469210B 具有可變功率之邊緣電極有权
简体标题：具有可变功率之边缘电极
公开(公告)号：TWI469210B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW097107513
申请日：2008-03-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：葛瑞格里S 薩克士頓 , SEXTON, GREGORY S. , 安祖D 貝利三世 , BAILEY III, ANDREW D. , 安卓斯庫提 , KUTHI, ANDRAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02087 , B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01L21/67069

3. 发明专利

TWI443737B 具有介電罩蓋之邊緣電極有权
简体标题：具有介电罩盖之边缘电极
公开(公告)号：TWI443737B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW097107517
申请日：2008-03-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：葛瑞格里S 薩克士頓 , SEXTON, GREGORY S. , 安祖D 貝利三世 , BAILEY III, ANDREW D. , 安卓斯庫提 , KUTHI, ANDRAS , 金允聖 , KIM, YUNSANG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32559 , H01J37/32642 , H01J37/32862 , H01L21/02057 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136

4. 发明专利

TWI419225B 附有間隙控制的傾斜蝕刻機有权
简体标题：附有间隙控制的倾斜蚀刻机
公开(公告)号：TWI419225B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097102882
申请日：2008-01-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安祖D 貝利三世 , BAILEY III, ANDREW D. , 亞倫M 休普 , SCHOEPP, ALAN M. , 葛瑞格里薩克士頓 , SEXTON, GREGORY , 安卓斯庫提 , KUTHI, ANDRAS , 金允聖 , KIM, YUNSANG , 威廉S 甘迺迪 , KENNEDY, WILLIAM S.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0209 , H01J37/32366 , H01J37/32568 , H01J2237/335 , H01L21/67069

5. 发明专利

TWI374271B 脈衝式射頻偏壓處理中用以量測及控制晶圓電位的方法與設備 METHODS OF AND APPARATUS FOR MEASURING AND CONTROLLING WAFER POTENTIAL IN PULSED RF BIAS PROCESSING 有权
简体标题：脉冲式射频偏压处理中用以量测及控制晶圆电位的方法与设备 METHODS OF AND APPARATUS FOR MEASURING AND CONTROLLING WAFER POTENTIAL IN PULSED RF BIAS PROCESSING
公开(公告)号：TWI374271B
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：TW096135099
申请日：2007-09-20
申请人：蘭姆研究公司
发明人：安卓斯庫提 , 史蒂芬黃 , 詹姆士C 維特 , 貴格依蘭斯汀 , 王榮平 , 敖端
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01L22/26
摘要：一種偵測及控制施加於處理半導體晶圓用的電漿腔室之電壓電位的設備及方法。該電漿腔室包括用以監控及調整將被施加於電漿腔室中之夾盤的脈衝式射頻偏壓電壓信號之電路，該夾盤係用以安裝晶圓以備處理。該電路包括射頻偏壓電壓偵測器，用以偵測施加於夾盤之脈衝式射頻偏壓電壓信號的個別脈衝。並設有計時電路，以決定取樣各該個別的偵測到的信號的時間、及取樣及保持電路。取樣及保持電路在取樣時間被觸發，以對各該個別的偵測到的脈衝進行取樣，以決定並保持表示各個偵測到的脈衝的最大峰對峰電壓值的電壓值，另設有取樣及保持電路以提供表示至少一個偵測到的信號的最大峰對峰電壓值的回饋信號。更包括回饋電路，可根據回饋信號及射頻偏壓電壓信號之所欲電壓值之間的差量，調整施加於夾盤之脈衝式射頻偏壓電壓信號之電壓。
简体摘要：一种侦测及控制施加于处理半导体晶圆用的等离子腔室之电压电位的设备及方法。该等离子腔室包括用以监控及调整将被施加于等离子腔室中之夹盘的脉冲式射频偏压电压信号之电路，该夹盘系用以安装晶圆以备处理。该电路包括射频偏压电压侦测器，用以侦测施加于夹盘之脉冲式射频偏压电压信号的个别脉冲。并设有计时电路，以决定采样各该个别的侦测到的信号的时间、及采样及保持电路。采样及保持电路在采样时间被触发，以对各该个别的侦测到的脉冲进行采样，以决定并保持表示各个侦测到的脉冲的最大峰对峰电压值的电压值，另设有采样及保持电路以提供表示至少一个侦测到的信号的最大峰对峰电压值的回馈信号。更包括回馈电路，可根据回馈信号及射频偏压电压信号之所欲电压值之间的差量，调整施加于夹盘之脉冲式射频偏压电压信号之电压。

6. 发明专利

TW454430B 電漿處理系統與設備,及用以輸送射頻功率至電漿處理室之方法有权
简体标题：等离子处理系统与设备,及用以输送射频功率至等离子处理室之方法
公开(公告)号：TW454430B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW089112931
申请日：2000-06-28
申请人：蘭姆研究公司
发明人：安德里斯費雪 , 巴柏克卡德克達言 , 安卓斯庫提
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082 , H01J37/32577
摘要：本發明提供一種電漿處理設備與系統，及用以輸送射頻功率至電漿處理室之方法。電漿處理系統包括一個射頻產生器、一個電漿室、一個匹配網路盒、第一電纜、第二電纜，及用以隔離匹配網路盒之裝置。射頻產生器產生射頻功率以傳送至電漿室。電漿室接收射頻功率以處理晶圓且在電漿處理期間由內阻抗來做為特徵。電漿室有一面或多面牆壁可用以反射射頻電流。匹配網路盒能夠接收射頻電流且造成阻抗使得電漿室的內阻抗可以和射頻產生器的阻抗相匹配。第一電纜連接射頻產生器與匹配網路盒以在射頻產生器與匹配網路盒之間傳送射頻功率。第二電纜連接匹配網路盒與電漿室以在匹配網路盒與電漿室之間傳送射頻功率。第二電纜為射頻返回電流提供一個從電漿室至匹配網路盒之間的返回途徑。電性隔離裝置使匹配網路盒隔離防止其與電漿室作電性接觸，俾僅有第二電纜可以提供射頻返回電流一個從電漿室至匹配網路盒之間的返回途徑。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备与系统，及用以输送射频功率至等离子处理室之方法。等离子处理系统包括一个射频产生器、一个等离子室、一个匹配网络盒、第一电缆、第二电缆，及用以隔离匹配网络盒之设备。射频产生器产生射频功率以发送至等离子室。等离子室接收射频功率以处理晶圆且在等离子处理期间由内阻抗来做为特征。等离子室有一面或多面墙壁可用以反射射频电流。匹配网络盒能够接收射频电流且造成阻抗使得等离子室的内阻抗可以和射频产生器的阻抗相匹配。第一电缆连接射频产生器与匹配网络盒以在射频产生器与匹配网络盒之间发送射频功率。第二电缆连接匹配网络盒与等离子室以在匹配网络盒与等离子室之间发送射频功率。第二电缆为射频返回电流提供一个从等离子室至匹配网络盒之间的返回途径。电性隔离设备使匹配网络盒隔离防止其与等离子室作电性接触，俾仅有第二电缆可以提供射频返回电流一个从等离子室至匹配网络盒之间的返回途径。

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