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1. 发明专利

TWI455248B 具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體及其製作方法有权
简体标题：具有掺质停止层的动态随机存取内存及其制作方法
公开(公告)号：TWI455248B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100116025
申请日：2011-05-06
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：楊家銘 , YANG, CHIA MING , 王耀賢 , WANG, YAO HSIEN , 魏振剛 , WEI, CHEN KANG , 李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 嚴子明 , YEAN, MING , 莊弋緯 , CHUANG, YI WEI , 江孝龍 , CHIANG, HSIAO LUNG , 廖鴻昌 , LIAO, HUNG CHANG , 李中元 , LEE, CHUNG YUAN , 趙明琪 , CHAO, MING CHI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8242 , G11C11/401
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/1083

2. 发明专利

TWI520178B 晶圓及用此結構的晶圓鍍膜的方法有权
简体标题：晶圆及用此结构的晶圆镀膜的方法
公开(公告)号：TWI520178B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102108898
申请日：2013-03-13
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：何瑞克 , LAHAUG, ERIC , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 崔振遠 , TSUI, REGAN-STANLEY
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/045 , C23C16/4587 , C23C16/52

3. 发明专利

TWI538023B 具有凹入式閘極結構之記憶體單元及其製作方法有权
简体标题：具有凹入式闸极结构之内存单元及其制作方法
公开(公告)号：TWI538023B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102113655
申请日：2013-04-17
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李偉平 , LEE, WEI PING , 陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 蕭智元 , HSIAO, CHIH YUAN , 高平 , KAO, PING , 江凱崙 , CHIANG, KAI LUN , 賴朝松 , LAI, CHAO SUNG , 王哲麒 , WANG, JER CHYI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876

4. 发明专利

TW201442078A 具有凹入式閘極結構之記憶體單元及其製作方法审中-公开
简体标题：具有凹入式闸极结构之内存单元及其制作方法
公开(公告)号：TW201442078A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102113655
申请日：2013-04-17
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李偉平 , LEE, WEI PING , 陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 蕭智元 , HSIAO, CHIH YUAN , 高平 , KAO, PING , 江凱崙 , CHIANG, KAI LUN , 賴朝松 , LAI, CHAO SUNG , 王哲麒 , WANG, JER CHYI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876
摘要：凹入式閘極結構之記憶體單元，包含一半導體基底、一溝渠絕緣區域、一主動區域、一閘極電極、一含鹵素介電層以及至少一電容結構。溝渠絕緣區域係設置於半導體基底內，以定義出一主動區域。源極區域及汲極區域分別設置於主動區域之兩側，其中源極區域至汲極區域之方向係為一第一方向。閘極溝渠係位於源極區域及汲極區域之間，其中閘極溝渠包含一側壁部分以及一弧狀底面，且弧狀底面從垂直於第一方向之一第二方向剖面來看，為一上凸的曲面輪廓。閘極電極係設置於閘極溝渠內。含鹵素介電層係設置於閘極電極與半導體基底之間。
简体摘要：凹入式闸极结构之内存单元，包含一半导体基底、一沟渠绝缘区域、一主动区域、一闸极电极、一含卤素介电层以及至少一电容结构。沟渠绝缘区域系设置于半导体基底内，以定义出一主动区域。源极区域及汲极区域分别设置于主动区域之两侧，其中源极区域至汲极区域之方向系为一第一方向。闸极沟渠系位于源极区域及汲极区域之间，其中闸极沟渠包含一侧壁部分以及一弧状底面，且弧状底面从垂直于第一方向之一第二方向剖面来看，为一上凸的曲面轮廓。闸极电极系设置于闸极沟渠内。含卤素介电层系设置于闸极电极与半导体基底之间。

5. 发明专利

TW201435982A 晶圓及用此結構的晶圓鍍膜的方法审中-公开
简体标题：晶圆及用此结构的晶圆镀膜的方法
公开(公告)号：TW201435982A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102108898
申请日：2013-03-13
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：何瑞克 , LAHAUG, ERIC , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 崔振遠 , TSUI, REGAN-STANLEY
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/045 , C23C16/4587 , C23C16/52
摘要：一種晶圓，其可用於鍍膜。此晶圓包括一正面、相對於正面的一背面以及多個凹槽。背面具有一中心區域以及一周圍區域，而多個凹槽存在於背面。在周圍區域內任兩個相鄰凹槽之間的間距會小於在中心區域內任兩個相鄰凹槽之間的間距。
简体摘要：一种晶圆，其可用于镀膜。此晶圆包括一正面、相对于正面的一背面以及多个凹槽。背面具有一中心区域以及一周围区域，而多个凹槽存在于背面。在周围区域内任两个相邻凹槽之间的间距会小于在中心区域内任两个相邻凹槽之间的间距。

6. 发明专利

TWI447859B 動態隨機存取記憶體的淺溝槽隔絕結構及其製造方法有权
简体标题：动态随机存取内存的浅沟槽隔绝结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI447859B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW101108354
申请日：2012-03-12
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：辜亞敏 , KUMAR, ARVIND , 何瑞克 , LAHAUG, ERIC , 達塔達文西庫馬爾 , DATTA, DEVESH KUMAR , 周健華 , CHOW, KEEN-WAH , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 余瑞德 , FISHBURN, FREDRICK DAVID
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/762 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L27/10847

7. 发明专利

TW201338096A 動態隨機存取記憶體的淺溝槽隔絕結構及其製造方法审中-公开
简体标题：动态随机存取内存的浅沟槽隔绝结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201338096A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108354
申请日：2012-03-12
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：辜亞敏 , KUMAR, ARVIND , 何瑞克 , LAHAUG, ERIC , 達塔達文西庫馬爾 , DATTA, DEVESH KUMAR , 周健華 , CHOW, KEEN-WAH , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 余瑞德 , FISHBURN, FREDRICK DAVID
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/762 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L27/10847
摘要：本發明提供一種動態隨機存取記憶體(DRAM)的淺溝槽隔絕(STI)結構及其製造方法，該方法的步驟為(a)提供一基材；(b)在該基材中蝕刻至少一溝渠；(c)在該溝渠底部或側邊摻雜一摻雜物；(d)在該溝渠內填充氧化物；及(e)拋光磨平該溝渠及該氧化物的上方。藉此，該STI結構的摻雜物周邊或角落之處的應力集中現象可大幅減小，用以消除矽材質的晶格缺陷，並改善DRAM的數據資料維持時間(Retention time)之變異性問題。
简体摘要：本发明提供一种动态随机存取内存(DRAM)的浅沟槽隔绝(STI)结构及其制造方法，该方法的步骤为(a)提供一基材；(b)在该基材中蚀刻至少一沟渠；(c)在该沟渠底部或侧边掺杂一掺杂物；(d)在该沟渠内填充氧化物；及(e)抛光磨平该沟渠及该氧化物的上方。借此，该STI结构的掺杂物周边或角落之处的应力集中现象可大幅减小，用以消除硅材质的晶格缺陷，并改善DRAM的数据数据维持时间(Retention time)之变异性问题。

8. 发明专利

TW201246456A 具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體及其製作方法 DRAM WITH DOPANT STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有掺质停止层的动态随机存取内存及其制作方法 DRAM WITH DOPANT STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201246456A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100116025
申请日：2011-05-06
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：楊家銘 , 王耀賢 , 魏振剛 , 李建錡 , 嚴子明 , 莊弋緯 , 江孝龍 , 廖鴻昌 , 李中元 , 趙明琪
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/1083
摘要：本發明揭露一種具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體，其包含：一基底，一溝渠式電晶體以及一電容與溝渠式電晶體電連結，溝渠式電晶體具有一閘極結構埋入於基底中，一源極摻雜區和一汲極摻雜區分別位於閘極結構之兩側，一硼摻雜區設於基底中且位於源極摻雜區之下方，一摻質停止層設於基底中且位於硼摻雜區之中或是硼摻雜區的下方，其中摻質停止層包含一摻質，摻質係選自下列群組包含：碳、矽、鍺、鍚、氯、氟和溴。
简体摘要：本发明揭露一种具有掺质停止层的动态随机存取内存，其包含：一基底，一沟渠式晶体管以及一电容与沟渠式晶体管电链接，沟渠式晶体管具有一闸极结构埋入于基底中，一源极掺杂区和一汲极掺杂区分别位于闸极结构之两侧，一硼掺杂区设于基底中且位于源极掺杂区之下方，一掺质停止层设于基底中且位于硼掺杂区之中或是硼掺杂区的下方，其中掺质停止层包含一掺质，掺质系选自下列群组包含：碳、硅、锗、钖、氯、氟和溴。

9. 发明专利

TW201003852A 監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之結構及其方法审中-公开
简体标题：监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之结构及其方法
公开(公告)号：TW201003852A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097125843
申请日：2008-07-09
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：楊家銘 , 蕭智元
IPC分类号： H01L
摘要：一種監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之方法，包括：步驟一：提供一種監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之結構，其中該結構中包括：一基底上之閘極導線(GC)；一形成於該基底內的位元線接觸窗擴散區；以及一形成於該基底內的深埋層連線擴散區，該位元線接觸窗擴散區與該深埋層連線擴散區係在該閘極導線的兩側；步驟二：量測該閘極導線與該深埋層連線擴散區間之第一電容值及該閘極導線與該位元線接觸窗擴散區間之第二電容值；以及步驟三：將該第一電容值與該第二電容值進行一運算步驟以得到一運算結果。藉由該運算結果即可得知閘極導線與深溝槽結構的對準情況以及進行補償的方向。
简体摘要：一种监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之方法，包括：步骤一：提供一种监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之结构，其中该结构中包括：一基底上之闸极导线(GC)；一形成于该基底内的比特线接触窗扩散区；以及一形成于该基底内的深埋层连接扩散区，该比特线接触窗扩散区与该深埋层连接扩散区系在该闸极导线的两侧；步骤二：量测该闸极导线与该深埋层连接扩散区间之第一电容值及该闸极导线与该比特线接触窗扩散区间之第二电容值；以及步骤三：将该第一电容值与该第二电容值进行一运算步骤以得到一运算结果。借由该运算结果即可得知闸极导线与深沟槽结构的对准情况以及进行补偿的方向。

10. 发明专利

TWI373102B 監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之結構及其方法有权
简体标题：监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之结构及其方法
公开(公告)号：TWI373102B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097125843
申请日：2008-07-09
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：楊家銘 , 蕭智元
IPC分类号： H01L
摘要：一種監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之方法，包括：步驟一：提供一種監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之結構，其中該結構中包括：一基底上之閘極導線(GC)；一形成於該基底內的位元線接觸窗擴散區；以及一形成於該基底內的深埋層連線擴散區，該位元線接觸窗擴散區與該深埋層連線擴散區係在該閘極導線的兩側；步驟二：量測該閘極導線與該深埋層連線擴散區間之第一電容值及該閘極導線與該位元線接觸窗擴散區間之第二電容值；以及步驟三：將該第一電容值與該第二電容值進行一運算步驟以得到一運算結果。藉由該運算結果即可得知閘極導線與深溝槽結構的對準情況以及進行補償的方向。
简体摘要：一种监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之方法，包括：步骤一：提供一种监控深沟槽型动态随机存取内存之闸极与深沟槽相对距离变异之结构，其中该结构中包括：一基底上之闸极导线(GC)；一形成于该基底内的比特线接触窗扩散区；以及一形成于该基底内的深埋层连接扩散区，该比特线接触窗扩散区与该深埋层连接扩散区系在该闸极导线的两侧；步骤二：量测该闸极导线与该深埋层连接扩散区间之第一电容值及该闸极导线与该比特线接触窗扩散区间之第二电容值；以及步骤三：将该第一电容值与该第二电容值进行一运算步骤以得到一运算结果。借由该运算结果即可得知闸极导线与深沟槽结构的对准情况以及进行补偿的方向。

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