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1. 发明专利

TWI455291B 垂直式電晶體及其製造方法有权
简体标题：垂直式晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI455291B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098136881
申请日：2009-10-30
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 李中元 , LEE, CHUNG YUAN
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/10876 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66666

2. 发明专利

TWI416727B Ｐ型金屬氧化層半導體場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：Ｐ型金属氧化层半导体场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI416727B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098141479
申请日：2009-12-04
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 李中元 , LEE, CHUNG YUAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/2815 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7846

3. 发明专利

TWI538023B 具有凹入式閘極結構之記憶體單元及其製作方法有权
简体标题：具有凹入式闸极结构之内存单元及其制作方法
公开(公告)号：TWI538023B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102113655
申请日：2013-04-17
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李偉平 , LEE, WEI PING , 陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 蕭智元 , HSIAO, CHIH YUAN , 高平 , KAO, PING , 江凱崙 , CHIANG, KAI LUN , 賴朝松 , LAI, CHAO SUNG , 王哲麒 , WANG, JER CHYI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876

4. 发明专利

TW201442078A 具有凹入式閘極結構之記憶體單元及其製作方法审中-公开
简体标题：具有凹入式闸极结构之内存单元及其制作方法
公开(公告)号：TW201442078A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102113655
申请日：2013-04-17
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 楊家銘 , YANG, CHIA MING , 李偉平 , LEE, WEI PING , 陳昕輝 , CHEN, HSIN HUEI , 蕭智元 , HSIAO, CHIH YUAN , 高平 , KAO, PING , 江凱崙 , CHIANG, KAI LUN , 賴朝松 , LAI, CHAO SUNG , 王哲麒 , WANG, JER CHYI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10823 , H01L27/10876
摘要：凹入式閘極結構之記憶體單元，包含一半導體基底、一溝渠絕緣區域、一主動區域、一閘極電極、一含鹵素介電層以及至少一電容結構。溝渠絕緣區域係設置於半導體基底內，以定義出一主動區域。源極區域及汲極區域分別設置於主動區域之兩側，其中源極區域至汲極區域之方向係為一第一方向。閘極溝渠係位於源極區域及汲極區域之間，其中閘極溝渠包含一側壁部分以及一弧狀底面，且弧狀底面從垂直於第一方向之一第二方向剖面來看，為一上凸的曲面輪廓。閘極電極係設置於閘極溝渠內。含鹵素介電層係設置於閘極電極與半導體基底之間。
简体摘要：凹入式闸极结构之内存单元，包含一半导体基底、一沟渠绝缘区域、一主动区域、一闸极电极、一含卤素介电层以及至少一电容结构。沟渠绝缘区域系设置于半导体基底内，以定义出一主动区域。源极区域及汲极区域分别设置于主动区域之两侧，其中源极区域至汲极区域之方向系为一第一方向。闸极沟渠系位于源极区域及汲极区域之间，其中闸极沟渠包含一侧壁部分以及一弧状底面，且弧状底面从垂直于第一方向之一第二方向剖面来看，为一上凸的曲面轮廓。闸极电极系设置于闸极沟渠内。含卤素介电层系设置于闸极电极与半导体基底之间。

5. 发明专利

TW201121046A Ｐ型金屬氧化層半導體場效電晶體及其製造方法 VERTICAL PMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：Ｐ型金属氧化层半导体场效应管及其制造方法 VERTICAL PMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
公开(公告)号：TW201121046A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141479
申请日：2009-12-04
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：陳昕輝 , 李中元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/2815 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7846
摘要：一種P型金屬氧化層半導體場效電晶體，包括：一基底、一第一氮化物層、一閘極結構、二閘極氧化膜、一閘極堆疊層及一第二氮化物層，該基底具有一基底氧化層及一第一摻雜區，該第一氮化物層設於基底氧化層上，該閘極結構包含有：一第一應變矽鍺層、一磊晶矽層及一第二應變矽鍺層，該第一應變矽鍺層設於基底氧化層及第一氮化物層上，該磊晶矽層設於第一應變矽鍺層上，該第二應變矽鍺層設於磊晶矽層上，該第二應變矽鍺層之表層內設有一第二摻雜區，該二閘極氧化膜設於閘極結構之二側，該閘極堆疊層設於閘極結構之二側及第一氮化物層上，該第二氮化物層設於閘極結構之二側及閘極堆疊層上；藉此，可大幅降低電晶體橫向單位面積，增加半導體元件之積集度，且能提升電晶體的操作效能。本發明另提供一種P型金屬氧化層半導體場效電晶體製造方法。
简体摘要：一种P型金属氧化层半导体场效应管，包括：一基底、一第一氮化物层、一闸极结构、二闸极氧化膜、一闸极堆栈层及一第二氮化物层，该基底具有一基底氧化层及一第一掺杂区，该第一氮化物层设于基底氧化层上，该闸极结构包含有：一第一应变硅锗层、一磊晶硅层及一第二应变硅锗层，该第一应变硅锗层设于基底氧化层及第一氮化物层上，该磊晶硅层设于第一应变硅锗层上，该第二应变硅锗层设于磊晶硅层上，该第二应变硅锗层之表层内设有一第二掺杂区，该二闸极氧化膜设于闸极结构之二侧，该闸极堆栈层设于闸极结构之二侧及第一氮化物层上，该第二氮化物层设于闸极结构之二侧及闸极堆栈层上；借此，可大幅降低晶体管横向单位面积，增加半导体组件之积集度，且能提升晶体管的操作性能。本发明另提供一种P型金属氧化层半导体场效应管制造方法。

6. 发明专利

TW201115722A 垂直式電晶體及其製造方法 VERTICAL TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：垂直式晶体管及其制造方法 VERTICAL TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
公开(公告)号：TW201115722A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW098136881
申请日：2009-10-30
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：陳昕輝 , 李中元
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/10876 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66666
摘要：一種垂直式電晶體,包括:一基底、一基底氧化層、一磊晶矽層、一絕緣氧化層、二閘極氧化膜及一閘極堆疊層,該基底氧化層設於基底上,該基底氧化層凹設有一閘極凹槽,該基底之表層內相對於閘極凹槽設有至少一第一摻雜區,該磊晶矽層設於該基底及基底氧化層上,磊晶矽層之表層內設有至少一第二摻雜區,該絕緣氧化層設於磊晶矽層上,該二閘極氧化膜設於磊晶矽層相對之二側,該閘極堆疊層堆疊於二閘極氧化膜及基底氧化層上;藉此,相較於傳統之平面式電晶體,可大幅降低電晶體橫向單位面積,增加半導體元件之積集度,且能保持電晶體之效能。本發明另提供一種垂直式電晶體製造方法。
简体摘要：一种垂直式晶体管,包括:一基底、一基底氧化层、一磊晶硅层、一绝缘氧化层、二闸极氧化膜及一闸极堆栈层,该基底氧化层设于基底上,该基底氧化层凹设有一闸极凹槽,该基底之表层内相对于闸极凹槽设有至少一第一掺杂区,该磊晶硅层设于该基底及基底氧化层上,磊晶硅层之表层内设有至少一第二掺杂区,该绝缘氧化层设于磊晶硅层上,该二闸极氧化膜设于磊晶硅层相对之二侧,该闸极堆栈层堆栈于二闸极氧化膜及基底氧化层上;借此,相较于传统之平面式晶体管,可大幅降低晶体管横向单位面积,增加半导体组件之积集度,且能保持晶体管之性能。本发明另提供一种垂直式晶体管制造方法。

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