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1. 发明专利

TW201031909A 離子植入機之旋轉角度誤差之量測方法 MEASURING METHOD FOR TWIST ANGLE DEVIATION OF ION IMPLANTER 审中-公开
简体标题：离子植入机之旋转角度误差之量测方法 MEASURING METHOD FOR TWIST ANGLE DEVIATION OF ION IMPLANTER
公开(公告)号：TW201031909A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098105379
申请日：2009-02-20
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：魏振剛 , 嚴子明 , 鄭恆餘
IPC分类号： G01N , H01L , H01J
摘要：一種離子植入機之旋轉角度誤差之量測方法,其包括步驟如下:提供一具有一定位平台及一植入平台的離子植入機;準備多數個晶圓,分別放置該等晶圓於定位平台上,定位平台將該等晶圓分別旋轉一旋轉角度;分別傳送該等晶圓至植入平台上,植入平台將該等晶圓分別傾斜一傾斜角度;將離子分別植入至該等晶圓內;分別量測該等晶圓的電阻値;得到一旋轉角度與電阻値之變化關係;以及找出最小電阻値對應的旋轉角度,該旋轉角度即為該離子植入機的旋轉角度誤差。藉此,離子植入機的旋轉角度誤差能準確地量測出,並且該誤差能進一步被校正。
简体摘要：一种离子植入机之旋转角度误差之量测方法,其包括步骤如下:提供一具有一定位平台及一植入平台的离子植入机;准备多数个晶圆,分别放置该等晶圆于定位平台上,定位平台将该等晶圆分别旋转一旋转角度;分别发送该等晶圆至植入平台上,植入平台将该等晶圆分别倾斜一倾斜角度;将离子分别植入至该等晶圆内;分别量测该等晶圆的电阻値;得到一旋转角度与电阻値之变化关系;以及找出最小电阻値对应的旋转角度,该旋转角度即为该离子植入机的旋转角度误差。借此,离子植入机的旋转角度误差能准确地量测出,并且该误差能进一步被校正。

2. 发明专利

TWI409456B 離子植入機之旋轉角度誤差之量測方法有权
简体标题：离子植入机之旋转角度误差之量测方法
公开(公告)号：TWI409456B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW098105379
申请日：2009-02-20
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：魏振剛 , WEI, CHEN KANG , 嚴子明 , YEAN, MING , 鄭恆餘 , CHENG, HENG YU
IPC分类号： G01N27/04 , G01N21/88 , H01L21/68 , H01L21/265 , H01J37/317

3. 发明专利

TW201618163A 源極／汲極區的製造方法及具有源極／汲極區的半導體結構审中-公开
简体标题：源极／汲极区的制造方法及具有源极／汲极区的半导体结构
公开(公告)号：TW201618163A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104105009
申请日：2015-02-13
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：周玉娜 , CHOU, YU NA , 魏振剛 , WEI, CHEN KANG , 莊弋緯 , CHUANG, YI WEI , 陳容甄 , CHEN, RONG ZHEN , 游駿偉 , YO, CHUN WEI
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/336 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/2236 , H01L21/2253 , H01L29/0847 , H01L29/66575
摘要：一種源極/汲極區的製造方法，是適用於形成一源極/汲極區於一基材內，所述源極/汲極區的製造方法包括以下步驟。首先，以一第一劑量以及一第一能量，引入一第一材料的一離子束至所述基材的一表面，以將至少一摻雜植入所述基材，至少一所述摻雜具有一第一導電型。接著，以一第二劑量以及一第二能量，引入一第二材料的一電漿至所述基材的所述表面，以將至少一摻雜植入所述基材，至少一所述摻雜具有所述第一導電型，所述第二劑量大於所述第一劑量，且所述電漿的植入深度小於所述離子束的植入深度。
简体摘要：一种源极/汲极区的制造方法，是适用于形成一源极/汲极区于一基材内，所述源极/汲极区的制造方法包括以下步骤。首先，以一第一剂量以及一第一能量，引入一第一材料的一离子束至所述基材的一表面，以将至少一掺杂植入所述基材，至少一所述掺杂具有一第一导电型。接着，以一第二剂量以及一第二能量，引入一第二材料的一等离子至所述基材的所述表面，以将至少一掺杂植入所述基材，至少一所述掺杂具有所述第一导电型，所述第二剂量大于所述第一剂量，且所述等离子的植入深度小于所述离子束的植入深度。

4. 发明专利

TWI455248B 具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體及其製作方法有权
简体标题：具有掺质停止层的动态随机存取内存及其制作方法
公开(公告)号：TWI455248B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100116025
申请日：2011-05-06
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：楊家銘 , YANG, CHIA MING , 王耀賢 , WANG, YAO HSIEN , 魏振剛 , WEI, CHEN KANG , 李建錡 , LEE, CHIEN CHI , 嚴子明 , YEAN, MING , 莊弋緯 , CHUANG, YI WEI , 江孝龍 , CHIANG, HSIAO LUNG , 廖鴻昌 , LIAO, HUNG CHANG , 李中元 , LEE, CHUNG YUAN , 趙明琪 , CHAO, MING CHI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L21/8242 , G11C11/401
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/1083

5. 发明专利

TW201246456A 具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體及其製作方法 DRAM WITH DOPANT STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有掺质停止层的动态随机存取内存及其制作方法 DRAM WITH DOPANT STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201246456A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100116025
申请日：2011-05-06
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：楊家銘 , 王耀賢 , 魏振剛 , 李建錡 , 嚴子明 , 莊弋緯 , 江孝龍 , 廖鴻昌 , 李中元 , 趙明琪
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/1083
摘要：本發明揭露一種具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體，其包含：一基底，一溝渠式電晶體以及一電容與溝渠式電晶體電連結，溝渠式電晶體具有一閘極結構埋入於基底中，一源極摻雜區和一汲極摻雜區分別位於閘極結構之兩側，一硼摻雜區設於基底中且位於源極摻雜區之下方，一摻質停止層設於基底中且位於硼摻雜區之中或是硼摻雜區的下方，其中摻質停止層包含一摻質，摻質係選自下列群組包含：碳、矽、鍺、鍚、氯、氟和溴。
简体摘要：本发明揭露一种具有掺质停止层的动态随机存取内存，其包含：一基底，一沟渠式晶体管以及一电容与沟渠式晶体管电链接，沟渠式晶体管具有一闸极结构埋入于基底中，一源极掺杂区和一汲极掺杂区分别位于闸极结构之两侧，一硼掺杂区设于基底中且位于源极掺杂区之下方，一掺质停止层设于基底中且位于硼掺杂区之中或是硼掺杂区的下方，其中掺质停止层包含一掺质，掺质系选自下列群组包含：碳、硅、锗、钖、氯、氟和溴。

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