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1. 发明专利

TW201841187A 電子束的照射區域調整方法及其調整系統、電子束的照射範疇修正方法以及電子束照射裝置审中-公开
简体标题：电子束的照射区域调整方法及其调整系统、电子束的照射范畴修正方法以及电子束照射设备
公开(公告)号：TW201841187A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106142951
申请日：2017-12-07
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 末松健一 , SUEMATSU, KENICHI , 本究 , TSUKAMOTO, KIWAMU , 渡辺賢治 , WATANABE, KENJI , 吉川省二 , YOSHIKAWA, SHOJI , 岡田真一 , OKADA, SHINICHI , 寺尾健二 , TERAO, KENJI
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/302 , H01J37/305
摘要：本發明的電子束的照射區域調整方法係對以偏向器令電子束偏向而對照射對象進行照射的電子束照射裝置中的電子束的照射區域進行調整之方法，包含下列步驟：電子束照射步驟，係根據電子束照射控制參數控制前述偏向器，藉此，相對於用以檢測與所照射的電子束對應的電流之調整板一邊改變照射位置一邊照射電子束；電流取得步驟，係取得從前述調整板檢測的電流；圖像形成步驟，係形成與所取得的電流值對應的圖像資料；判定步驟，係根據所形成的圖像資料，進行電子束的照射區域是否適當的判定；及控制參數更新步驟，係當判定為照射區域是不適當時，更新前述電子束照射控制參數。
简体摘要：本发明的电子束的照射区域调整方法系对以偏向器令电子束偏向而对照射对象进行照射的电子束照射设备中的电子束的照射区域进行调整之方法，包含下列步骤：电子束照射步骤，系根据电子束照射控制参数控制前述偏向器，借此，相对于用以检测与所照射的电子束对应的电流之调整板一边改变照射位置一边照射电子束；电流取得步骤，系取得从前述调整板检测的电流；图像形成步骤，系形成与所取得的电流值对应的图像数据；判定步骤，系根据所形成的图像数据，进行电子束的照射区域是否适当的判定；及控制参数更新步骤，系当判定为照射区域是不适当时，更新前述电子束照射控制参数。

2. 发明专利

TWI443704B 荷電粒子束裝置及使用該裝置之元件製造方法有权
简体标题：荷电粒子束设备及使用该设备之组件制造方法
公开(公告)号：TWI443704B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW096133807
申请日：2007-09-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊賢治 , WATANABE, KENJI , 村上武司 , MURAKAMI, TAKESHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/304 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216

3. 发明专利

TWI513989B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI513989B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103106431
申请日：2006-07-14
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：加賀徹 , KAGA, TORU , 內藤儀彥 , NAITO, YOSHIHIKO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU , 田島涼 , TAJIMA, RYO
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/307 , G01R31/2884 , G11C29/02 , G11C29/025

4. 发明专利

TWI512304B 半導體裝置及其檢查方法有权
简体标题：半导体设备及其检查方法
公开(公告)号：TWI512304B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW095125778
申请日：2006-07-14
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：加賀徹 , KAGA, TORU , 內藤儀彥 , NAITO, YOSHIHIKO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU , 田島涼 , TAJIMA, RYO
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/307 , G01R31/2884 , G11C29/02 , G11C29/025

5. 发明专利

TW201637063A 檢查裝置审中-公开
简体标题：检查设备
公开(公告)号：TW201637063A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105107011
申请日：2016-03-08
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 當間康 , TOMA, YASUSHI , 渡辺賢治 , WATANABE, KENJI , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 吉川省二 , YOSHIKAWA, SHOJI , 林丈英 , HAYASHI, TAKEHIDE , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 本究 , TSUKAMOTO, KIWAMU
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/04 , G01N23/225
CPC分类号： H01J37/073 , H01J37/20
摘要：本發明提供一種可在試料之檢查區域整面進行均勻之檢查的檢查裝置。本發明之檢查裝置係具備：一次光學系統，係對台座上之試料照射一次射束；檢測器，係包含藉由將一次射束照射至試料而生成從試料產生之二次射束的影像；以及二次光學系統，係將二次射束導引至二維感測器；其中，一次光學系統係具備：雷射光源(1701)，係產生高斯分佈之雷射光；均質機(1703)，係將高斯分佈之雷射光進行強度分佈轉換而形成均勻分佈之雷射光；以及光電面(1702)，係藉由照射均勻分佈之雷射光而產生一次射束。
简体摘要：本发明提供一种可在试料之检查区域整面进行均匀之检查的检查设备。本发明之检查设备系具备：一次光学系统，系对台座上之试料照射一次射束；检测器，系包含借由将一次射束照射至试料而生成从试料产生之二次射束的影像；以及二次光学系统，系将二次射束导引至二维传感器；其中，一次光学系统系具备：激光光源(1701)，系产生高斯分布之激光光；均质机(1703)，系将高斯分布之激光光进行强度分布转换而形成均匀分布之激光光；以及光电面(1702)，系借由照射均匀分布之激光光而产生一次射束。

6. 发明专利

TW201603116A 表面處理裝置审中-公开
简体标题：表面处理设备
公开(公告)号：TW201603116A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104120118
申请日：2015-06-23
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 末松健一 , SUEMATSU, KENICHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 本究 , TSUKAMOTO, KIWAMU , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 吉川省二 , YOSHIKAWA, SHOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/09 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/226 , H01J37/3005 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J37/3177 , H01J2237/24535
摘要：本發明之課題在於提供一種可進行高速處理並可提升處理量之表面處理裝置。本發明之解決手段為一種表面處理裝置，其係照射電子束以進行試樣(20)的表面處理之裝置。表面處理裝置具備：產生電子束之電子源(10)(包含控制電子束的波束形狀之透鏡系)、設置有被電子束照射之試樣(20)之承載台(30)、以及確認電子束的照射位置之光學顯微鏡(110)。照射於試樣(20)之電子束的電流量，設定在10nA至100A。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可进行高速处理并可提升处理量之表面处理设备。本发明之解决手段为一种表面处理设备，其系照射电子束以进行试样(20)的表面处理之设备。表面处理设备具备：产生电子束之电子源(10)(包含控制电子束的波束形状之透镜系)、设置有被电子束照射之试样(20)之承载台(30)、以及确认电子束的照射位置之光学显微镜(110)。照射于试样(20)之电子束的电流量，设置在10nA至100A。

8. 发明专利

TWI485742B 荷電粒子束裝置及使用該裝置之半導體元件製造方法有权
简体标题：荷电粒子束设备及使用该设备之半导体组件制造方法
公开(公告)号：TWI485742B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW103100024
申请日：2007-09-11
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊賢治 , WATANABE, KENJI , 村上武司 , MURAKAMI, TAKESHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/304 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/29 , H01J2237/0047 , H01J2237/1532 , H01J2237/216

9. 发明专利

TW201423128A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201423128A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW103106431
申请日：2006-07-14
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：加賀徹 , KAGA, TORU , 內藤儀彥 , NAITO, YOSHIHIKO , 恒岡正年 , TSUNEOKA, MASATOSHI , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 野路伸治 , NOJI, NOBUHARU , 田島涼 , TAJIMA, RYO
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/307 , G01R31/2884 , G11C29/02 , G11C29/025
摘要：本發明之目的在於提供一種具有可高靈敏度且高速檢測電性不良圖案之半導體裝置及其檢測方法。在一實施方式中，半導體裝置係具有如下構造：即具備包含在第1層以預定間隔排列於列方向之複數個第1配線的一對列配線，且將第1配線端部，經由穿孔，連接在以預定間隔排列於第2層之第2配線的構造，其中第1配線與第2配線為同電位。在一對列配線中之一方的列配線，位於右端之第1配線係與第1導電部連接，而在另一方之列配線位於左端之第1配線係與第2導電部連接。藉由依序以電子束掃描第1導電部與第2導電部，以檢測起因於該等導電部電位差的二次電子發射量之變化，而檢測出電性異常。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种具有可高灵敏度且高速检测电性不良图案之半导体设备及其检测方法。在一实施方式中，半导体设备系具有如下构造：即具备包含在第1层以预定间隔排列于列方向之复数个第1配线的一对列配线，且将第1配线端部，经由穿孔，连接在以预定间隔排列于第2层之第2配线的构造，其中第1配线与第2配线为同电位。在一对列配线中之一方的列配线，位于右端之第1配线系与第1导电部连接，而在另一方之列配线位于左端之第1配线系与第2导电部连接。借由依序以电子束扫描第1导电部与第2导电部，以检测起因于该等导电部电位差的二次电子发射量之变化，而检测出电性异常。

10. 发明专利

TWI684202B 表面處理裝置有权
简体标题：表面处理设备
公开(公告)号：TWI684202B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104120118
申请日：2015-06-23
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：畠山雅規 , HATAKEYAMA, MASAHIRO , 末松健一 , SUEMATSU, KENICHI , 田島涼 , TAJIMA, RYO , 本究 , TSUKAMOTO, KIWAMU , 寺尾健二 , TERAO, KENJI , 吉川省二 , YOSHIKAWA, SHOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/09 , H01J37/305

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