专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201529233A 研磨方法及研磨裝置审中-公开
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW201529233A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136252
申请日：2014-10-21
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊博光 , WATANABE, HIROMITSU , 山口都章 , YAMAGUCHI, KUNIAKI , 小畠厳貴 , KOBATA, ITSUKI , 和田雄高 , WADA, YUTAKA
IPC分类号： B24B55/02
CPC分类号： B24B57/00 , B24B37/04 , B24B37/34
摘要：提供一種防止在研磨墊上排出粗大粒子同時研磨基板之研磨方法。本發明之研磨方法係向研磨墊1上供給通過過濾器14之研磨液，同時使基板W與研磨墊1滑動接觸來研磨該基板W，其中使研磨液之流量及壓力中任何一方的研磨液之物理量增加至到達指定的設定值，同時使研磨液通過過濾器14，向研磨墊1上供給通過過濾器14之研磨液，同時在研磨墊1上研磨基板W。
简体摘要：提供一种防止在研磨垫上排出粗大粒子同时研磨基板之研磨方法。本发明之研磨方法系向研磨垫1上供给通过过滤器14之研磨液，同时使基板W与研磨垫1滑动接触来研磨该基板W，其中使研磨液之流量及压力中任何一方的研磨液之物理量增加至到达指定的设置值，同时使研磨液通过过滤器14，向研磨垫1上供给通过过滤器14之研磨液，同时在研磨垫1上研磨基板W。

2. 发明专利

TWI645938B 研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI645938B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103136252
申请日：2014-10-21
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：渡邊博光 , WATANABE, HIROMITSU , 山口都章 , YAMAGUCHI, KUNIAKI , 小畠厳貴 , KOBATA, ITSUKI , 和田雄高 , WADA, YUTAKA
IPC分类号： B24B55/02

3. 发明专利

TW201825622A 化學機械研磨後之基板洗淨技術审中-公开
简体标题：化学机械研磨后之基板洗净技术
公开(公告)号：TW201825622A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106126710
申请日：2017-08-08
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：福永明 , FUKUNAGA, AKIRA , 嶋昇平 , SHIMA, SHOHEI , 和田雄高 , WADA, YUTAKA
IPC分类号： C09G1/06 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明揭示一種基板洗淨方法，其係在對基板進行化學機械研磨之後，以包含下述(A)、(B)及(C)中至少任一者的洗淨液洗淨基板的方法。(A)對基板上之金屬具有供電子性的還原劑；(B)將溶存氧還原的脫氧劑；(C)抗蝕劑。此外，並揭示使用此方法的半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及用於該等的洗淨液。
简体摘要：本发明揭示一种基板洗净方法，其系在对基板进行化学机械研磨之后，以包含下述(A)、(B)及(C)中至少任一者的洗净液洗净基板的方法。(A)对基板上之金属具有供电子性的还原剂；(B)将溶存氧还原的脱氧剂；(C)抗蚀剂。此外，并揭示使用此方法的半导体设备之制造方法、基板处理设备及用于该等的洗净液。

4. 发明专利

TW421619B 研磨生成物之排出機構及研磨裝置失效
简体标题：研磨生成物之排出机构及研磨设备
公开(公告)号：TW421619B
公开(公告)日：2001-02-11
申请号：TW088121347
申请日：1999-12-07
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：和田雄高 , 檜山浩國 , 廣川一人 , 松尾尚典
IPC分类号： B24B
摘要：本發明之目的在提供一種可將以磨料研磨被研磨基板時所產生的研磨生成物有效排出之研磨生成物排出機構及研磨裝置。
本發明之研磨裝置，係於將被研磨基板之被研磨面按壓於磨料表面、使兩者作相對運動而對被研磨面加以研磨之研磨裝置中，備有於研磨上述被研磨面之際、可將上述磨料的研磨面所產生之研磨生成物排出的研磨生成物排出機構為其特徵。
简体摘要：本发明之目的在提供一种可将以磨料研磨被研磨基板时所产生的研磨生成物有效排出之研磨生成物排出机构及研磨设备。本发明之研磨设备，系于将被研磨基板之被研磨面按压于磨料表面、使两者作相对运动而对被研磨面加以研磨之研磨设备中，备有于研磨上述被研磨面之际、可将上述磨料的研磨面所产生之研磨生成物排出的研磨生成物排出机构为其特征。

5. 发明专利

TW541220B 研磨方法及研磨裝置失效
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW541220B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW089116751
申请日：2000-08-18
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：和田雄高 , 檜山浩國 , 廣川一人 , 松尾尚典
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B53/017
摘要：不受限於磨石之成分，又不受限於研磨對象之基板種類，提供一種可恆常出現自動停止功能之基板之研磨方法。
研磨以磨石12研磨表面形成有凹凸之晶圓(Device wafer)14之方法中，邊供給界面活性劑，及／或，邊進行磨石面之整修，邊研磨。
简体摘要：不受限于磨石之成分，又不受限于研磨对象之基板种类，提供一种可恒常出现自动停止功能之基板之研磨方法。研磨以磨石12研磨表面形成有凹凸之晶圆(Device wafer)14之方法中，边供给界面活性剂，及／或，边进行磨石面之整修，边研磨。

6. 发明专利

TW474852B 工件之研磨方法及裝置有权
简体标题：工件之研磨方法及设备
公开(公告)号：TW474852B
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：TW089108089
申请日：2000-04-28
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：廣川一人 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 松尾尚典 , 清水展
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/67219 , B08B1/04 , B24B37/042 , B24B37/245 , H01L21/67745
摘要：一種能夠同時進行建立穩定移除速率、小階高度磨減率，及為各式的研磨主體減少研磨面上缺陷，一方面製造較少環境問題和需要較低處理成本之研磨方法和裝置。此種為研磨半導體裝置晶圓表面的方法包含：首先經由第一種固定研磨劑式研磨方法研磨半導體晶圓的表面；然後以不同於第一種固定研磨劑式研磨方法之第二種固定研磨劑式研磨方法，對於該半導體晶圓之已研磨面作結束研磨。
简体摘要：一种能够同时进行创建稳定移除速率、小阶高度磨减率，及为各式的研磨主体减少研磨面上缺陷，一方面制造较少环境问题和需要较低处理成本之研磨方法和设备。此种为研磨半导体设备晶圆表面的方法包含：首先经由第一种固定研磨剂式研磨方法研磨半导体晶圆的表面；然后以不同于第一种固定研磨剂式研磨方法之第二种固定研磨剂式研磨方法，对于该半导体晶圆之已研磨面作结束研磨。

7. 发明专利

TWI338605B 基板研磨裝置 SUBSTRATE POLISHING APPARATUS 有权
简体标题：基板研磨设备 SUBSTRATE POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TWI338605B
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW093113413
申请日：2004-05-13
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：廣川一人 , 中井俊輔 , 大田真朗 , 和田雄高 , 小林洋一
IPC分类号： B24B , H01L , G05D
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要：一種基板研磨裝置，將例如半導體晶圓之基板的面研磨成平坦似鏡的面。根據本發明之基板研磨裝置具有：旋轉台，具有用以研磨半導體基板(18)之研磨墊(16)；光放射及接收裝置(80、82)，用以放射測量光通過形成於研磨墊(16)之貫穿孔(84)到半導體基板(18)和接收來自半導體基板(18)之反射光，以測量半導體基板(18)上之薄膜；以及供應通道44，用以供應流體到測量光的路徑。供應通道44具有位於貫穿孔(84)中之出口部。
简体摘要：一种基板研磨设备，将例如半导体晶圆之基板的面研磨成平坦似镜的面。根据本发明之基板研磨设备具有：旋转台，具有用以研磨半导体基板(18)之研磨垫(16)；光放射及接收设备(80、82)，用以放射测量光通过形成于研磨垫(16)之贯穿孔(84)到半导体基板(18)和接收来自半导体基板(18)之反射光，以测量半导体基板(18)上之薄膜；以及供应信道44，用以供应流体到测量光的路径。供应信道44具有位于贯穿孔(84)中之出口部。

8. 发明专利

TW519506B 研磨工具及其製造方法有权
简体标题：研磨工具及其制造方法
公开(公告)号：TW519506B
公开(公告)日：2003-02-01
申请号：TW090118119
申请日：2001-07-25
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：廣川一人 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 松尾尚典
IPC分类号： B24D
CPC分类号： B24D18/00 , B24B37/24 , B24D3/32 , B24D3/346 , H01L21/30625
摘要：本發明提供一種可適用各種形態之研磨物件的研磨工具，其能夠穩定研磨速度和減少缺陷(像是在研磨表面之刮痕)的形成而獲得優良的表面細部。該工具是以搖擺運動藉由在研磨物件上加壓並滑動的方式操作，該表面是以研磨料粒子來研磨，該粒子是埋在主要是由熱塑性樹脂所組成的基體(matrix)中，該熱塑性樹脂係例如丁二烯-苯乙烯、聚丁二烯或壓克力橡膠類MBS樹脂。該研磨工具包含其中含有研磨料粒子之固定研磨料研磨工具或含有非固定研磨料粒子的研磨墊。
简体摘要：本发明提供一种可适用各种形态之研磨对象的研磨工具，其能够稳定研磨速度和减少缺陷(像是在研磨表面之刮痕)的形成而获得优良的表面细部。该工具是以摇摆运动借由在研磨对象上加压并滑动的方式操作，该表面是以研磨料粒子来研磨，该粒子是埋在主要是由热塑性树脂所组成的基体(matrix)中，该热塑性树脂系例如丁二烯-苯乙烯、聚丁二烯或压克力橡胶类MBS树脂。该研磨工具包含其中含有研磨料粒子之固定研磨料研磨工具或含有非固定研磨料粒子的研磨垫。

9. 发明专利

TW474847B 研磨裝置及整修方法有权
简体标题：研磨设备及整修方法
公开(公告)号：TW474847B
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：TW089116873
申请日：2000-08-19
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：松尾尚典 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 廣川一人
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/14 , B24B53/001 , B24B53/12 , B24B55/02
摘要：一種用以研磨基板表面之裝置，係使該基板可滑動地貼合於研磨構件之研磨面，並具有整修構件以整修固定研磨構件之研磨面。該整修構件具備設有突起之整修面，該突起之角度部分係不小於100。之鈍角。
简体摘要：一种用以研磨基板表面之设备，系使该基板可滑动地贴合于研磨构件之研磨面，并具有整修构件以整修固定研磨构件之研磨面。该整修构件具备设有突起之整修面，该突起之角度部分系不小于100。之钝角。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式