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1. 发明专利

TW559943B 蝕刻方法及裝置失效
简体标题：蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW559943B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091121963
申请日：2002-09-25
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：一木克則 , 山內和雄 , 檜山浩國 , 寒川誠二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要：一種蝕刻裝置，包括：握持工件之工件保持器、於真空室內產生電漿之電漿產生器、配置於工件保持器和電漿產生器之間的開孔電極、以及配置於真空室內之開孔電極上游端的柵極。該開孔電極內具有開孔。該蝕刻裝置復包括用以供應電壓至開孔電極和柵極之間的電壓供應設備，以加速產生自電漿產生器之電漿的離子並使抽出之離子通過開孔電極之開孔，以產生具有能量在10eV至50eV範圍的準直中性粒子束。本案代表圖：第2圖1 粒子束產生室 2 處理室3 真空室 4 擋板(開孔電極)5 柵極 10 線圈11 氣體輸入口 12 氣體供應管13 氣體供應源 20 高頻率電源供應器21 工件保持器 22 氣體輸出口23 氣體輸出管 24 真空幫浦25、26 直流(DC)電源 X 工件30 電漿
简体摘要：一种蚀刻设备，包括：握持工件之工件保持器、于真空室内产生等离子之等离子产生器、配置于工件保持器和等离子产生器之间的开孔电极、以及配置于真空室内之开孔电极上游端的栅极。该开孔电极内具有开孔。该蚀刻设备复包括用以供应电压至开孔电极和栅极之间的电压供应设备，以加速产生自等离子产生器之等离子的离子并使抽出之离子通过开孔电极之开孔，以产生具有能量在10eV至50eV范围的准直中性粒子束。本案代表图：第2图1 粒子束产生室 2 处理室3 真空室 4 挡板(开孔电极)5 栅极 10 线圈11 气体输入口 12 气体供应管13 气体供应源 20 高频率电源供应器21 工件保持器 22 气体输出口23 气体输出管 24 真空帮浦25、26 直流(DC)电源 X 工件30 等离子

2. 发明专利

TW541220B 研磨方法及研磨裝置失效
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW541220B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW089116751
申请日：2000-08-18
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：和田雄高 , 檜山浩國 , 廣川一人 , 松尾尚典
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B53/017
摘要：不受限於磨石之成分，又不受限於研磨對象之基板種類，提供一種可恆常出現自動停止功能之基板之研磨方法。
研磨以磨石12研磨表面形成有凹凸之晶圓(Device wafer)14之方法中，邊供給界面活性劑，及／或，邊進行磨石面之整修，邊研磨。
简体摘要：不受限于磨石之成分，又不受限于研磨对象之基板种类，提供一种可恒常出现自动停止功能之基板之研磨方法。研磨以磨石12研磨表面形成有凹凸之晶圆(Device wafer)14之方法中，边供给界面活性剂，及／或，边进行磨石面之整修，边研磨。

3. 发明专利

TW474852B 工件之研磨方法及裝置有权
简体标题：工件之研磨方法及设备
公开(公告)号：TW474852B
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：TW089108089
申请日：2000-04-28
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：廣川一人 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 松尾尚典 , 清水展
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/67219 , B08B1/04 , B24B37/042 , B24B37/245 , H01L21/67745
摘要：一種能夠同時進行建立穩定移除速率、小階高度磨減率，及為各式的研磨主體減少研磨面上缺陷，一方面製造較少環境問題和需要較低處理成本之研磨方法和裝置。此種為研磨半導體裝置晶圓表面的方法包含：首先經由第一種固定研磨劑式研磨方法研磨半導體晶圓的表面；然後以不同於第一種固定研磨劑式研磨方法之第二種固定研磨劑式研磨方法，對於該半導體晶圓之已研磨面作結束研磨。
简体摘要：一种能够同时进行创建稳定移除速率、小阶高度磨减率，及为各式的研磨主体减少研磨面上缺陷，一方面制造较少环境问题和需要较低处理成本之研磨方法和设备。此种为研磨半导体设备晶圆表面的方法包含：首先经由第一种固定研磨剂式研磨方法研磨半导体晶圆的表面；然后以不同于第一种固定研磨剂式研磨方法之第二种固定研磨剂式研磨方法，对于该半导体晶圆之已研磨面作结束研磨。

4. 发明专利

TW519506B 研磨工具及其製造方法有权
简体标题：研磨工具及其制造方法
公开(公告)号：TW519506B
公开(公告)日：2003-02-01
申请号：TW090118119
申请日：2001-07-25
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：廣川一人 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 松尾尚典
IPC分类号： B24D
CPC分类号： B24D18/00 , B24B37/24 , B24D3/32 , B24D3/346 , H01L21/30625
摘要：本發明提供一種可適用各種形態之研磨物件的研磨工具，其能夠穩定研磨速度和減少缺陷(像是在研磨表面之刮痕)的形成而獲得優良的表面細部。該工具是以搖擺運動藉由在研磨物件上加壓並滑動的方式操作，該表面是以研磨料粒子來研磨，該粒子是埋在主要是由熱塑性樹脂所組成的基體(matrix)中，該熱塑性樹脂係例如丁二烯-苯乙烯、聚丁二烯或壓克力橡膠類MBS樹脂。該研磨工具包含其中含有研磨料粒子之固定研磨料研磨工具或含有非固定研磨料粒子的研磨墊。
简体摘要：本发明提供一种可适用各种形态之研磨对象的研磨工具，其能够稳定研磨速度和减少缺陷(像是在研磨表面之刮痕)的形成而获得优良的表面细部。该工具是以摇摆运动借由在研磨对象上加压并滑动的方式操作，该表面是以研磨料粒子来研磨，该粒子是埋在主要是由热塑性树脂所组成的基体(matrix)中，该热塑性树脂系例如丁二烯-苯乙烯、聚丁二烯或压克力橡胶类MBS树脂。该研磨工具包含其中含有研磨料粒子之固定研磨料研磨工具或含有非固定研磨料粒子的研磨垫。

5. 发明专利

TW474847B 研磨裝置及整修方法有权
简体标题：研磨设备及整修方法
公开(公告)号：TW474847B
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：TW089116873
申请日：2000-08-19
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：松尾尚典 , 檜山浩國 , 和田雄高 , 廣川一人
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/14 , B24B53/001 , B24B53/12 , B24B55/02
摘要：一種用以研磨基板表面之裝置，係使該基板可滑動地貼合於研磨構件之研磨面，並具有整修構件以整修固定研磨構件之研磨面。該整修構件具備設有突起之整修面，該突起之角度部分係不小於100。之鈍角。
简体摘要：一种用以研磨基板表面之设备，系使该基板可滑动地贴合于研磨构件之研磨面，并具有整修构件以整修固定研磨构件之研磨面。该整修构件具备设有突起之整修面，该突起之角度部分系不小于100。之钝角。

6. 发明专利

TW541572B 利用自電漿產生之正和負離子或中性化正和負離子而產生的中性化粒子來處理工件表面之方法失效
简体标题：利用自等离子产生之正和负离子或中性化正和负离子而产生的中性化粒子来处理工件表面之方法
公开(公告)号：TW541572B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW091105701
申请日：2002-03-25
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：一木克則 , 山內和雄 , 檜山浩國 , 寒川誠二
IPC分类号： B23K , H01J , H01L , H01K , H05H
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/317 , H01J37/32357 , H01J37/32706 , H05H1/46
摘要：一電漿產生器在電漿中產生正離子和負離子。一離子引出部選擇性地自電漿中引出所產生之正離子和負離子，且在預定之方向加速所引出之離子。正離子和負離子被選擇性地施加到工件。電漿產生器施加高頻電壓到真空腔室內之製程氣體，以產生由來自製程氣體之正離子和電子所組成的電漿，及中斷高頻電壓使電子附著到殘餘的製程氣體以產生負離子。高頻電壓的施加及高頻電壓之中斷被交替地重複。
简体摘要：一等离子产生器在等离子中产生正离子和负离子。一离子引出部选择性地自等离子中引出所产生之正离子和负离子，且在预定之方向加速所引出之离子。正离子和负离子被选择性地施加到工件。等离子产生器施加高频电压到真空腔室内之制程气体，以产生由来自制程气体之正离子和电子所组成的等离子，及中断高频电压使电子附着到残余的制程气体以产生负离子。高频电压的施加及高频电压之中断被交替地重复。

7. 发明专利

TW200300579A 蝕刻方法及裝置 ETCHING METHOD AND APPARATUS 审中-公开
简体标题：蚀刻方法及设备 ETCHING METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TW200300579A
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW091133466
申请日：2002-11-15
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION , 東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：寒川誠二 SEIJI SAMUKAWA , 一木克則 KATSUNORI ICHIKI , 山內和雄 , 檜山浩國
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32357 , H01L21/3065
摘要：一種蝕刻裝置，包括：固持工作部件之工作部件固持器、於真空反應室內產生電漿之電漿產生器、配置於該工作部件固特器及該電漿產生器之間的開孔電極、以及配置於該真空反應室內之開孔電極上游的柵極。該開孔電極內具有開孔。該蝕刻裝置復包括用以供應開孔電極及柵極間之電壓的電壓供應單元，以加速產生自電漿產生器之電漿的離子並使抽引之離子(extracted ions)通過開孔電極之開孔。產生第一準直中性粒子束並應用於工作部件以蝕刻該工作部件之加工層表面。產生第二準直中性粒子束，以該第二中性粒子束濺射用以覆蓋該加工層表面之至少一部分之遮罩俾於加工層側壁上形成保護膜，該保護膜係用以防止該加工層側壁受到該第一中性粒子束之蝕刻。
简体摘要：一种蚀刻设备，包括：固持工作部件之工作部件固持器、于真空反应室内产生等离子之等离子产生器、配置于该工作部件固特器及该等离子产生器之间的开孔电极、以及配置于该真空反应室内之开孔电极上游的栅极。该开孔电极内具有开孔。该蚀刻设备复包括用以供应开孔电极及栅极间之电压的电压供应单元，以加速产生自等离子产生器之等离子的离子并使抽引之离子(extracted ions)通过开孔电极之开孔。产生第一准直中性粒子束并应用于工作部件以蚀刻该工作部件之加工层表面。产生第二准直中性粒子束，以该第二中性粒子束溅射用以覆盖该加工层表面之至少一部分之遮罩俾于加工层侧壁上形成保护膜，该保护膜系用以防止该加工层侧壁受到该第一中性粒子束之蚀刻。

8. 发明专利

TW421619B 研磨生成物之排出機構及研磨裝置失效
简体标题：研磨生成物之排出机构及研磨设备
公开(公告)号：TW421619B
公开(公告)日：2001-02-11
申请号：TW088121347
申请日：1999-12-07
申请人：荏原製作所股份有限公司
发明人：和田雄高 , 檜山浩國 , 廣川一人 , 松尾尚典
IPC分类号： B24B
摘要：本發明之目的在提供一種可將以磨料研磨被研磨基板時所產生的研磨生成物有效排出之研磨生成物排出機構及研磨裝置。
本發明之研磨裝置，係於將被研磨基板之被研磨面按壓於磨料表面、使兩者作相對運動而對被研磨面加以研磨之研磨裝置中，備有於研磨上述被研磨面之際、可將上述磨料的研磨面所產生之研磨生成物排出的研磨生成物排出機構為其特徵。
简体摘要：本发明之目的在提供一种可将以磨料研磨被研磨基板时所产生的研磨生成物有效排出之研磨生成物排出机构及研磨设备。本发明之研磨设备，系于将被研磨基板之被研磨面按压于磨料表面、使两者作相对运动而对被研磨面加以研磨之研磨设备中，备有于研磨上述被研磨面之际、可将上述磨料的研磨面所产生之研磨生成物排出的研磨生成物排出机构为其特征。

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