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1. 发明专利

TWI624669B 積體式慣性感測器及形成其之方法、迴轉儀、及判定行動裝置之旋轉角速率的方法有权
简体标题：积体式惯性传感器及形成其之方法、掉头仪、及判定行动设备之旋转角速率的方法
公开(公告)号：TWI624669B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW102142051
申请日：2013-11-19
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：馬慶 , MA, QING , 艾德菲拉斯 , EID, FERAS , 林凱文 , LIN, KEVIN , 史旺喬安娜M , SWAN, JOHANNA M. , 鄭榮宏 , TEH, WENG HONG , 拉歐維魯利R , RAO, VALLURI R.
IPC分类号： G01P15/11 , H01L27/22

2. 发明专利

TW201432266A 在封裝增層中之電感式慣性感測器架構及製造技術审中-公开
简体标题：在封装增层中之电感式惯性传感器架构及制造技术
公开(公告)号：TW201432266A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102142051
申请日：2013-11-19
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：馬慶 , MA, QING , 艾德菲拉斯 , EID, FERAS , 林凱文 , LIN, KEVIN , 史旺喬安娜M , SWAN, JOHANNA M. , 鄭榮宏 , TEH, WENG HONG , 拉歐維魯利R , RAO, VALLURI R.
IPC分类号： G01P15/11 , H01L27/22
CPC分类号： G01C19/56 , G01C19/5776
摘要：本發明係關於使用一磁性驅動及/或感測架構的電感式慣性感測器。在實施例中，平移迴轉儀利用一導電線圈，該導電線圈被製作成在存在一磁場的情況下依據經驅動通過該線圈的一時變電流在一第一維度上振動。感測線圈記錄依據一第二維度上之一角速度而變化的一電感。在實施例中，該振動線圈使得該等感測線圈中之第一及第二互感依據該角速度而彼此偏離。在實施例中，與一對蜿蜒線圈相關聯的自感依據一第二維度上的一角速度而變化。在實施例中，將封裝增層用以製造該等電感式慣性感測器，從而允許實現在諸如行動裝置的小形狀因數計算平台中有利的封裝層級整合式慣性感測。
简体摘要：本发明系关于使用一磁性驱动及/或传感架构的电感式惯性传感器。在实施例中，平移掉头仪利用一导电线圈，该导电线圈被制作成在存在一磁场的情况下依据经驱动通过该线圈的一时变电流在一第一维度上振动。传感线圈记录依据一第二维度上之一角速度而变化的一电感。在实施例中，该振动线圈使得该等传感线圈中之第一及第二互感依据该角速度而彼此偏离。在实施例中，与一对蜿蜒线圈相关联的自感依据一第二维度上的一角速度而变化。在实施例中，将封装增层用以制造该等电感式惯性传感器，从而允许实现在诸如行动设备的小形状因子计算平台中有利的封装层级集成式惯性传感。

3. 发明专利

TW201814828A 具有選擇性嫁接的光桶地板顏色审中-公开
简体标题：具有选择性嫁接的光桶地板颜色
公开(公告)号：TW201814828A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106128623
申请日：2017-08-23
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 布雷克威爾詹姆斯 , BLACKWELL, JAMES B. , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 林啟文 , LIN, KEVIN , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI
IPC分类号： H01L21/74 , H01L21/302 , G03F1/80
CPC分类号： H01L21/768
摘要：說明了用於半導體結構製造之基於具有選擇性嫁接的光桶地板顏色的方法，以及所獲得的結構。舉例來說，在基板之上形成的層間介電(ILD)層之上形成光柵結構，該光柵結構包含由交替的第一溝槽和第二溝槽分隔開的複數個介電間隔件，在該些第一溝槽中但不在該些第二溝槽中嫁接抗蝕抑制劑(resist-inhibitor)層，在該些第一溝槽中和在該些第二溝槽中形成光阻，暴露和去除在該些第二溝槽之中的選擇溝槽中的該光阻以進行微影曝光來定義一組通孔位置，將該組通孔位置蝕刻進入該ILD層，以及在該ILD層中形成複數條金屬線，其中該複數條金屬線之中選擇的金屬線包括對應於該組通孔位置的下層導電通孔。
简体摘要：说明了用于半导体结构制造之基于具有选择性嫁接的光桶地板颜色的方法，以及所获得的结构。举例来说，在基板之上形成的层间介电(ILD)层之上形成光栅结构，该光栅结构包含由交替的第一沟槽和第二沟槽分隔开的复数个介电间隔件，在该些第一沟槽中但不在该些第二沟槽中嫁接抗蚀抑制剂(resist-inhibitor)层，在该些第一沟槽中和在该些第二沟槽中形成光阻，暴露和去除在该些第二沟槽之中的选择沟槽中的该光阻以进行微影曝光来定义一组通孔位置，将该组通孔位置蚀刻进入该ILD层，以及在该ILD层中形成复数条金属线，其中该复数条金属线之中选择的金属线包括对应于该组通孔位置的下层导电通孔。

4. 发明专利

TW201712837A 由下而上選擇性介電質交聯以防止通孔平台短路审中-公开
简体标题：由下而上选择性介电质交联以防止通孔平台短路
公开(公告)号：TW201712837A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105115779
申请日：2016-05-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT LINDSEY , 布雷克威爾詹姆斯 , BLACKWELL, JAMES B. , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/02282 , H01L21/31144 , H01L21/321 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/53209 , H01L23/53295
摘要：本發明之實施例包含一種具有通孔之互連結構及形成此結構之方法。在一實施例中，該互連結構包括一第一層間介電質(ILD)。一第一互連線及一第二互連線延伸至該第一ILD中。依照一實施例，一第二ILD被定位在該第一互連線與該第二互連線之上。一通孔可延伸穿過該第二ILD且電耦合至該第一互連線。額外地，本發明之實施例包含該通孔之底部表面的一部分被定位於該第二互連線之上。然而，依照本發明之一實施例，一隔離層可被定位在該通孔之該底部表面與該第二互連線之頂部表面之間。
简体摘要：本发明之实施例包含一种具有通孔之互链接构及形成此结构之方法。在一实施例中，该互链接构包括一第一层间介电质(ILD)。一第一互连接及一第二互连接延伸至该第一ILD中。依照一实施例，一第二ILD被定位在该第一互连接与该第二互连接之上。一通孔可延伸穿过该第二ILD且电耦合至该第一互连接。额外地，本发明之实施例包含该通孔之底部表面的一部分被定位于该第二互连接之上。然而，依照本发明之一实施例，一隔离层可被定位在该通孔之该底部表面与该第二互连接之顶部表面之间。

5. 发明专利

TW201605716A 用於靜摩擦力補償的磁性奈米機械裝置审中-公开
简体标题：用于静摩擦力补偿的磁性奈米机械设备
公开(公告)号：TW201605716A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104116275
申请日：2015-05-21
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：穆諾斯豪爾赫 , MUNOZ, JORGE A. , 尼可諾夫狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 坎恩克萊恩 , KUHN, KELIN J. , 希爾凡尼斯派翠克 , THEOFANIS, PATRICK , 帕瓦席奇川 , PAWASHE, CHYTRA , 林啟文 , LIN, KEVIN , 金世淵 , KIM, SEIYON
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要：說明了用於操作電壓的一改進範圍及一懸臂之維度的一改進控制之具有奈米磁鐵的奈米機電(NEMS)裝置。例如，在一實施例中，一種奈米機電(NEMS)裝置包括一基板層、一第一磁性層，設置於基板層上方、一第一介電層，設置於第一磁性層上方、一第二介電層，設置於第一介電層上方、及一懸臂，設置於第二介電層上方。當對懸臂施加一電壓時，懸臂從一第一位置往基板層彎曲至一第二位置。
简体摘要：说明了用于操作电压的一改进范围及一悬臂之维度的一改进控制之具有奈米磁铁的奈米机电(NEMS)设备。例如，在一实施例中，一种奈米机电(NEMS)设备包括一基板层、一第一磁性层，设置于基板层上方、一第一介电层，设置于第一磁性层上方、一第二介电层，设置于第一介电层上方、及一悬臂，设置于第二介电层上方。当对悬臂施加一电压时，悬臂从一第一位置往基板层弯曲至一第二位置。

6. 发明专利

TW201826532A 石墨烯奈米帶互連及互連襯墊审中-公开
简体标题：石墨烯奈米带互连及互连衬垫
公开(公告)号：TW201826532A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106128142
申请日：2017-08-18
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：梅斯特雷卡洛阿蘭薩蘇 , MAESTRE CARO, ARANZAZU , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET , 林啟文 , LIN, KEVIN , 考迪洛羅曼 , CAUDILLO, ROMAN , 托羅斯潔西卡 , TORRES, JESSICA , 伯傑斯基史帝芬尼 , BOJARSKI, STEPHANIE
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/768
摘要：描述了用於金屬互連的石墨阻障層。所述石墨阻障層基本上共形於互連的金屬特徵部分，並且具有在0.3奈米(nm)至2nm範圍之厚度。此厚度比在5nm至10nm範圍的傳統擴散阻障(例如，氮化鉭)的厚度小得多。因為相比於傳統(例如，鉭為基礎的)襯裡互連，比例上較多的導電金屬可以被沉積在互連中，較薄的石墨阻障層改善了金屬互連的導電性。此外，不同於為不佳電導體的傳統屏障層，石墨是導電的。這也改善了整體互連的電導率。
简体摘要：描述了用于金属互连的石墨阻障层。所述石墨阻障层基本上共形于互连的金属特征部分，并且具有在0.3奈米(nm)至2nm范围之厚度。此厚度比在5nm至10nm范围的传统扩散阻障(例如，氮化钽)的厚度小得多。因为相比于传统(例如，钽为基础的)衬里互连，比例上较多的导电金属可以被沉积在互连中，较薄的石墨阻障层改善了金属互连的导电性。此外，不同于为不佳电导体的传统屏障层，石墨是导电的。这也改善了整体互连的电导率。

7. 发明专利

TW201735303A 用於形成具有改善的調正及電容降低之導電特徵的技術审中-公开
简体标题：用于形成具有改善的调正及电容降低之导电特征的技术
公开(公告)号：TW201735303A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138462
申请日：2016-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/535 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53295
摘要：揭露用於形成具有改善的調正及電容降低之導電特徵的技術。依據某些實施例，個別導電特徵可藉由消去製程(例如，消去圖案化)而被形成於半導體基底之上。針對既定特徵，第一及第二障壁層(共形的或其他的)可被配置沿著其側壁，而頭盔狀硬遮罩體可被配置於其頂部表面之上。額外導電特徵可被形成於現存的特徵之間，使用該些障壁層為調正間隔物，藉此將特徵節距減半(或者減少)。另一硬遮罩材料之層可被配置於額外形成的特徵之上。該層及該些頭盔狀硬遮罩體可有不同的材料組成，以提供相對於彼此的蝕刻選擇性。額外層可被形成於所得的形貌之上，利用硬遮罩蝕刻選擇性以形成用於相鄰積體電路層之互連。
简体摘要：揭露用于形成具有改善的调正及电容降低之导电特征的技术。依据某些实施例，个别导电特征可借由消去制程(例如，消去图案化)而被形成于半导体基底之上。针对既定特征，第一及第二障壁层(共形的或其他的)可被配置沿着其侧壁，而头盔状硬遮罩体可被配置于其顶部表面之上。额外导电特征可被形成于现存的特征之间，使用该些障壁层为调正间隔物，借此将特征节距减半(或者减少)。另一硬遮罩材料之层可被配置于额外形成的特征之上。该层及该些头盔状硬遮罩体可有不同的材料组成，以提供相对于彼此的蚀刻选择性。额外层可被形成于所得的形貌之上，利用硬遮罩蚀刻选择性以形成用于相邻集成电路层之互连。

8. 发明专利

TW201735302A 用於形成具有改進的對準及電容降低的導電特徵的技術审中-公开
简体标题：用于形成具有改进的对准及电容降低的导电特征的技术
公开(公告)号：TW201735302A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138458
申请日：2016-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53295
摘要：揭露用於形成具有改進的對準及電容降低之導電特徵的技術。依據某些實施例，個別導電特徵可藉由金屬鑲嵌製程而被形成於半導體基底之上。針對既定特徵，第一及第二障壁層(共形的或其他的)可被配置沿著其側壁，而頭盔狀硬遮罩體可被配置於其頂部表面之上。額外導電特徵可被形成於現存的特徵之間，使用該些障壁層作為對準間隔物，藉此將特徵節距減半(或者減少)。另一硬遮罩材料之層可被配置於額外形成的特徵之上。該層及該些頭盔狀硬遮罩體可有不同的材料組成，以提供相對於彼此的蝕刻選擇性。額外層可被形成於所得的形貌之上，利用硬遮罩蝕刻選擇性以形成用於相鄰積體電路層之互連。
简体摘要：揭露用于形成具有改进的对准及电容降低之导电特征的技术。依据某些实施例，个别导电特征可借由金属镶嵌制程而被形成于半导体基底之上。针对既定特征，第一及第二障壁层(共形的或其他的)可被配置沿着其侧壁，而头盔状硬遮罩体可被配置于其顶部表面之上。额外导电特征可被形成于现存的特征之间，使用该些障壁层作为对准间隔物，借此将特征节距减半(或者减少)。另一硬遮罩材料之层可被配置于额外形成的特征之上。该层及该些头盔状硬遮罩体可有不同的材料组成，以提供相对于彼此的蚀刻选择性。额外层可被形成于所得的形貌之上，利用硬遮罩蚀刻选择性以形成用于相邻集成电路层之互连。

9. 发明专利

TW201635471A 使通孔自對準至緊密間距金屬互連層的頂部及底部的結構及方法审中-公开
简体标题：使通孔自对准至紧密间距金属互连层的顶部及底部的结构及方法
公开(公告)号：TW201635471A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138812
申请日：2015-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 曼尼許錢霍克 , CHANDHOK, MANISH , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 科布林斯基莫羅 , KOBRINSKY, MAURO J. , 林啟文 , LIN, KEVIN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/76897 , H01L23/5283 , H01L23/53295
摘要：本發明之實施例包含具有與互連線自對準之頂上通孔及貫穿通孔之互連結構，以及形成此結構之方法。在一實施例中，一互連結構係形成在一層間介電質(ILD)中。一或多個第一互連線可被形成在該ILD中。該互連結構亦可在該ILD中包含一或多個第二互連線，其配置成與該第一互連線呈交替圖案。該第一及第二互連線之各者之頂部表面可凹陷於該ILD之頂部表面下方。該互連結構亦可包含形成於該第一互連線之一或多者之上或該第二互連線之一或多者之上的自對準頂上通孔。在一實施例中，該自對準頂上通孔之頂部表面係與該ILD之頂部表面大致上共平面。
简体摘要：本发明之实施例包含具有与互连接自对准之顶上通孔及贯穿通孔之互链接构，以及形成此结构之方法。在一实施例中，一互链接构系形成在一层间介电质(ILD)中。一或多个第一互连接可被形成在该ILD中。该互链接构亦可在该ILD中包含一或多个第二互连接，其配置成与该第一互连接呈交替图案。该第一及第二互连接之各者之顶部表面可凹陷于该ILD之顶部表面下方。该互链接构亦可包含形成于该第一互连接之一或多者之上或该第二互连接之一或多者之上的自对准顶上通孔。在一实施例中，该自对准顶上通孔之顶部表面系与该ILD之顶部表面大致上共平面。

10. 发明专利

TW201828440A 在半導體互連件中的通孔及間隙审中-公开
简体标题：在半导体互连件中的通孔及间隙
公开(公告)号：TW201828440A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106128145
申请日：2017-08-18
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 林啟文 , LIN, KEVIN
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
摘要：本案揭露用以無遮罩間隙(例如，氣隙)整合入多層互連件的系統與方法，所述多層互連件具有一或更多互連線(例如，金屬互連線)嵌於所述互連件的介電層內。在各種實施例中，所述系統與方法可以作用以降低在互連件間的相鄰通孔間的電短路。在一實施例中，間隔層可以提供至在互連件中之層間介電質(ILD)的遮罩部份中。ILD的這些遮罩部份可以保護在相鄰互連線(例如，金屬互連線)間的區域，在後續的金屬層沈積期間，例如在互連件的製造順序期間，不受到電短路。再者，通孔可以包圍一間隙(例如，氣隙)，而不必額外遮罩步驟。再者，此等間隙可以固有地自對準通孔及/或間隔層。再者，這些間隙可以作用以降低電容並藉以增加互連件的效能(電路時序、功率消耗等)。
简体摘要：本案揭露用以无遮罩间隙(例如，气隙)集成入多层互连件的系统与方法，所述多层互连件具有一或更多互连接(例如，金属互连接)嵌于所述互连件的介电层内。在各种实施例中，所述系统与方法可以作用以降低在互连件间的相邻通孔间的电短路。在一实施例中，间隔层可以提供至在互连件中之层间介电质(ILD)的遮罩部份中。ILD的这些遮罩部份可以保护在相邻互连接(例如，金属互连接)间的区域，在后续的金属层沉积期间，例如在互连件的制造顺序期间，不受到电短路。再者，通孔可以包围一间隙(例如，气隙)，而不必额外遮罩步骤。再者，此等间隙可以固有地自对准通孔及/或间隔层。再者，这些间隙可以作用以降低电容并借以增加互连件的性能(电路时序、功率消耗等)。

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