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1. 发明专利

TW201828440A 在半導體互連件中的通孔及間隙审中-公开
简体标题：在半导体互连件中的通孔及间隙
公开(公告)号：TW201828440A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106128145
申请日：2017-08-18
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 林啟文 , LIN, KEVIN
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
摘要：本案揭露用以無遮罩間隙(例如，氣隙)整合入多層互連件的系統與方法，所述多層互連件具有一或更多互連線(例如，金屬互連線)嵌於所述互連件的介電層內。在各種實施例中，所述系統與方法可以作用以降低在互連件間的相鄰通孔間的電短路。在一實施例中，間隔層可以提供至在互連件中之層間介電質(ILD)的遮罩部份中。ILD的這些遮罩部份可以保護在相鄰互連線(例如，金屬互連線)間的區域，在後續的金屬層沈積期間，例如在互連件的製造順序期間，不受到電短路。再者，通孔可以包圍一間隙(例如，氣隙)，而不必額外遮罩步驟。再者，此等間隙可以固有地自對準通孔及/或間隔層。再者，這些間隙可以作用以降低電容並藉以增加互連件的效能(電路時序、功率消耗等)。
简体摘要：本案揭露用以无遮罩间隙(例如，气隙)集成入多层互连件的系统与方法，所述多层互连件具有一或更多互连接(例如，金属互连接)嵌于所述互连件的介电层内。在各种实施例中，所述系统与方法可以作用以降低在互连件间的相邻通孔间的电短路。在一实施例中，间隔层可以提供至在互连件中之层间介电质(ILD)的遮罩部份中。ILD的这些遮罩部份可以保护在相邻互连接(例如，金属互连接)间的区域，在后续的金属层沉积期间，例如在互连件的制造顺序期间，不受到电短路。再者，通孔可以包围一间隙(例如，气隙)，而不必额外遮罩步骤。再者，此等间隙可以固有地自对准通孔及/或间隔层。再者，这些间隙可以作用以降低电容并借以增加互连件的性能(电路时序、功率消耗等)。

2. 发明专利

TWI673846B 產生具有增加重疊邊界的交替硬遮罩覆蓋互連結構之新穎方法有权
简体标题：产生具有增加重叠边界的交替硬遮罩覆盖互链接构之新颖方法
公开(公告)号：TWI673846B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104138811
申请日：2015-11-23
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 格斯坦弗羅瑞恩 , GSTREIN, FLORIAN , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 林啟文 , LIN, KEVIN , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 洋金陶德 , YOUNKIN, TODD R.
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205

3. 发明专利

TW201735303A 用於形成具有改善的調正及電容降低之導電特徵的技術审中-公开
简体标题：用于形成具有改善的调正及电容降低之导电特征的技术
公开(公告)号：TW201735303A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138462
申请日：2016-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/535 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53295
摘要：揭露用於形成具有改善的調正及電容降低之導電特徵的技術。依據某些實施例，個別導電特徵可藉由消去製程(例如，消去圖案化)而被形成於半導體基底之上。針對既定特徵，第一及第二障壁層(共形的或其他的)可被配置沿著其側壁，而頭盔狀硬遮罩體可被配置於其頂部表面之上。額外導電特徵可被形成於現存的特徵之間，使用該些障壁層為調正間隔物，藉此將特徵節距減半(或者減少)。另一硬遮罩材料之層可被配置於額外形成的特徵之上。該層及該些頭盔狀硬遮罩體可有不同的材料組成，以提供相對於彼此的蝕刻選擇性。額外層可被形成於所得的形貌之上，利用硬遮罩蝕刻選擇性以形成用於相鄰積體電路層之互連。
简体摘要：揭露用于形成具有改善的调正及电容降低之导电特征的技术。依据某些实施例，个别导电特征可借由消去制程(例如，消去图案化)而被形成于半导体基底之上。针对既定特征，第一及第二障壁层(共形的或其他的)可被配置沿着其侧壁，而头盔状硬遮罩体可被配置于其顶部表面之上。额外导电特征可被形成于现存的特征之间，使用该些障壁层为调正间隔物，借此将特征节距减半(或者减少)。另一硬遮罩材料之层可被配置于额外形成的特征之上。该层及该些头盔状硬遮罩体可有不同的材料组成，以提供相对于彼此的蚀刻选择性。额外层可被形成于所得的形貌之上，利用硬遮罩蚀刻选择性以形成用于相邻集成电路层之互连。

4. 发明专利

TW201735302A 用於形成具有改進的對準及電容降低的導電特徵的技術审中-公开
简体标题：用于形成具有改进的对准及电容降低的导电特征的技术
公开(公告)号：TW201735302A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138458
申请日：2016-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/53295
摘要：揭露用於形成具有改進的對準及電容降低之導電特徵的技術。依據某些實施例，個別導電特徵可藉由金屬鑲嵌製程而被形成於半導體基底之上。針對既定特徵，第一及第二障壁層(共形的或其他的)可被配置沿著其側壁，而頭盔狀硬遮罩體可被配置於其頂部表面之上。額外導電特徵可被形成於現存的特徵之間，使用該些障壁層作為對準間隔物，藉此將特徵節距減半(或者減少)。另一硬遮罩材料之層可被配置於額外形成的特徵之上。該層及該些頭盔狀硬遮罩體可有不同的材料組成，以提供相對於彼此的蝕刻選擇性。額外層可被形成於所得的形貌之上，利用硬遮罩蝕刻選擇性以形成用於相鄰積體電路層之互連。
简体摘要：揭露用于形成具有改进的对准及电容降低之导电特征的技术。依据某些实施例，个别导电特征可借由金属镶嵌制程而被形成于半导体基底之上。针对既定特征，第一及第二障壁层(共形的或其他的)可被配置沿着其侧壁，而头盔状硬遮罩体可被配置于其顶部表面之上。额外导电特征可被形成于现存的特征之间，使用该些障壁层作为对准间隔物，借此将特征节距减半(或者减少)。另一硬遮罩材料之层可被配置于额外形成的特征之上。该层及该些头盔状硬遮罩体可有不同的材料组成，以提供相对于彼此的蚀刻选择性。额外层可被形成于所得的形貌之上，利用硬遮罩蚀刻选择性以形成用于相邻集成电路层之互连。

5. 发明专利

TW201721741A 用於無遮罩氣隙及替代層間介電質（ＩＬＤ）層製程的極薄帽介電層审中-公开
简体标题：用于无遮罩气隙及替代层间介电质（ＩＬＤ）层制程的极薄帽介电层
公开(公告)号：TW201721741A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124630
申请日：2016-08-03
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY D. , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 伊克波亞莎 , IQBAL, ASAD , 布魯克斯約翰 , BROOKS, JOHN D.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/764
CPC分类号： H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76834 , H01L21/76885
摘要：帽層，沉積在基板上的第一介電層上的複數導電特徵上。第二介電層，沉積在帽層的第一部分上。蝕刻停止層，沉積在帽層的第二部分上。
简体摘要：帽层，沉积在基板上的第一介电层上的复数导电特征上。第二介电层，沉积在帽层的第一部分上。蚀刻停止层，沉积在帽层的第二部分上。

6. 发明专利

TW201810577A 用於後段製程（ＢＥＯＬ）互連體製造的基於介電質頭盔的方法及由此產生的結構审中-公开
简体标题：用于后段制程（ＢＥＯＬ）互连体制造的基于介电质头盔的方法及由此产生的结构
公开(公告)号：TW201810577A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117050
申请日：2017-05-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN LAI , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY D. , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/033
CPC分类号： H01L21/768
摘要：描述了用於後段製程(BEOL)互連體製造的基於介電質頭盔的方法以及所產生的結構。在實施例中，半導體結構包含基板。複數交替的第一和第二導電線類型係沿著後段製程(BEOL)金屬化層的相同方向設置，該BEOL金屬化層設置在層間介電質(ILD)層中，該ILD層設置在該基板之上。介電質層設置在該第一導電線類型的最上表面上但未沿著該第一導電線類型的側壁，且沿著該第二導電線類型的側壁設置但未在該第二導電線類型的最上表面上。
简体摘要：描述了用于后段制程(BEOL)互连体制造的基于介电质头盔的方法以及所产生的结构。在实施例中，半导体结构包含基板。复数交替的第一和第二导电线类型系沿着后段制程(BEOL)金属化层的相同方向设置，该BEOL金属化层设置在层间介电质(ILD)层中，该ILD层设置在该基板之上。介电质层设置在该第一导电线类型的最上表面上但未沿着该第一导电线类型的侧壁，且沿着该第二导电线类型的侧壁设置但未在该第二导电线类型的最上表面上。

7. 发明专利

TW201721803A 防止通路擊穿的無遮罩氣隙审中-公开
简体标题：防止通路击穿的无遮罩气隙
公开(公告)号：TW201721803A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124793
申请日：2016-08-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 洋金陶德 , YOUNKIN, TODD R. , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 克里薩克瑪麗 , KRYSAK, MARIE , 柳惠宰 , YOO, HUI JAE , 卓尼克崔斯坦 , TRONIC, TRISTAN A.
IPC分类号： H01L21/764
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76802 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/53238
摘要：第一蝕刻停止層，沉積於在基板上的絕緣層上的複數導電特徵上。第二蝕刻停止層，沉積於在導電特徵之間的氣隙上方。第一蝕刻停止層被蝕刻以形成至導電特徵的至少之一的通孔。
简体摘要：第一蚀刻停止层，沉积于在基板上的绝缘层上的复数导电特征上。第二蚀刻停止层，沉积于在导电特征之间的气隙上方。第一蚀刻停止层被蚀刻以形成至导电特征的至少之一的通孔。

8. 发明专利

TW201635470A 產生具有增加重疊邊界的交替硬遮罩覆蓋互連結構之新穎方法审中-公开
简体标题：产生具有增加重叠边界的交替硬遮罩覆盖互链接构之新颖方法
公开(公告)号：TW201635470A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138811
申请日：2015-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 格斯坦弗羅瑞恩 , GSTREIN, FLORIAN , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 林啟文 , LIN, KEVIN , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 洋金陶德 , YOUNKIN, TODD R.
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2221/1026
摘要：本發明的實施例包括互連結構與形成此等結構之方法。在實施例中，互連結構可包括層間介電質(ILD)，其中第一硬遮罩層位於ILD之頂表面上。某些實施例包括位於ILD中的一或多條第一互連線與定位於每一條第一互連線上的第一介電質頂蓋。例如，第一介電質頂蓋的表面可接觸第一硬遮罩層的頂表面。實施例也可包括ILD中的一或多條第二互連線，與第一互連線呈交替的式樣配置。在實施例中，第二介電質頂蓋係形成在每一條第二互連線的頂表面之上。例如，第二介電質頂蓋的表面接觸第一硬遮罩層的頂表面。
简体摘要：本发明的实施例包括互链接构与形成此等结构之方法。在实施例中，互链接构可包括层间介电质(ILD)，其中第一硬遮罩层位于ILD之顶表面上。某些实施例包括位于ILD中的一或多条第一互连接与定位于每一条第一互连接上的第一介电质顶盖。例如，第一介电质顶盖的表面可接触第一硬遮罩层的顶表面。实施例也可包括ILD中的一或多条第二互连接，与第一互连接呈交替的式样配置。在实施例中，第二介电质顶盖系形成在每一条第二互连接的顶表面之上。例如，第二介电质顶盖的表面接触第一硬遮罩层的顶表面。

9. 发明专利

TWI544576B 形成全包覆互連線的方法有权
简体标题：形成全包覆互连接的方法
公开(公告)号：TWI544576B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103132991
申请日：2014-09-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 柳惠宰 , YOO, HUI JAE , 傑西克里斯多夫 , JEZEWSKI, CHRISTOPHER J. , 契必安拉馬南 , CHEBIAM, RAMANAN V. , 卡佛柯林 , CARVER, COLIN T.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201535593A 具有全包覆線的互連線审中-公开
简体标题：具有全包覆线的互连接
公开(公告)号：TW201535593A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103132991
申请日：2014-09-24
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 柳惠宰 , YOO, HUI JAE , 傑西克里斯多夫 , JEZEWSKI, CHRISTOPHER J. , 契必安拉馬南 , CHEBIAM, RAMANAN V. , 卡佛柯林 , CARVER, COLIN T.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種包括全包覆互連線的金屬化層及一種形成全包覆互連線的方法。開口被形成於介電層中，其中該介電層具有表面且該開口包括壁及底部。擴散阻障層及黏著層被沈積於該介電層上。互連線材料被沈積於該介電層上及回焊至該開口中形成互連線。黏著蓋層及擴散阻障蓋層被沈積於該互連線之上。該互連線被該黏著層及該黏著蓋層圍繞且該黏著層及該黏著蓋層被該擴散阻障層及該擴散蓋層圍繞。
简体摘要：一种包括全包覆互连接的金属化层及一种形成全包覆互连接的方法。开口被形成于介电层中，其中该介电层具有表面且该开口包括壁及底部。扩散阻障层及黏着层被沉积于该介电层上。互连接材料被沉积于该介电层上及回焊至该开口中形成互连接。黏着盖层及扩散阻障盖层被沉积于该互连接之上。该互连接被该黏着层及该黏着盖层围绕且该黏着层及该黏着盖层被该扩散阻障层及该扩散盖层围绕。

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