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1. 发明专利

TW201816917A 用於介電蝕刻腔室之腔室填充物套組审中-公开
简体标题：用于介电蚀刻腔室之腔室填充物套组
公开(公告)号：TW201816917A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121340
申请日：2017-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：湯班森 Q , TONG, BENSON Q. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 白斯萊恩 , BISE, RYAN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
摘要：提供一種在一介電蝕刻腔室中用於平衡電場的腔室填充物套組。一傳送模組填充物包含：一電導體；一抗蝕刻表面，其中該抗蝕刻表面包含匹配該蝕刻腔室之一部分圓柱狀的孔之一內彎曲表面；及一晶圓傳送口孔，其中該傳送模組填充物係裝配進該蝕刻腔室的一傳送口孔中。一傳送模組密封板係配置成機械及電連接至該部分圓柱狀的腔體及該傳送模組填充物。一偏壓外罩填充物係配置成機械及電連接至一偏壓外罩壁且包含一導體及一抗蝕刻表面，其中該抗蝕刻表面包含匹配該部分圓柱狀的孔之一彎曲表面。
简体摘要：提供一种在一介电蚀刻腔室中用于平衡电场的腔室填充物套组。一发送模块填充物包含：一电导体；一抗蚀刻表面，其中该抗蚀刻表面包含匹配该蚀刻腔室之一部分圆柱状的孔之一内弯曲表面；及一晶圆发送口孔，其中该发送模块填充物系装配进该蚀刻腔室的一发送口孔中。一发送模块密封板系配置成机械及电连接至该部分圆柱状的腔体及该发送模块填充物。一偏压外罩填充物系配置成机械及电连接至一偏压外罩壁且包含一导体及一抗蚀刻表面，其中该抗蚀刻表面包含匹配该部分圆柱状的孔之一弯曲表面。

2. 发明专利

TW201517163A 混合式特徵部蝕刻及斜角蝕刻系統审中-公开
简体标题：混合式特征部蚀刻及斜角蚀刻系统
公开(公告)号：TW201517163A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124122
申请日：2014-07-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/00 , H01J37/3178 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/32568 , H01J37/32642 , H01L2221/00
摘要：一種具有至少一電漿處理腔室的電漿處理系統，該電漿處理腔室用於進行一基板之電漿處理以及使用至少一第一處理狀態及一第二處理狀態。電漿係在該第一處理狀態過程中存在於基板的中心區域上方，以在第一處理狀態過程中至少對中心區域進行電漿處理。電漿在第二處理狀態過程中，不存在於基板的中心區域上方但存在於鄰近斜角邊緣區之處，以在第二處理狀態過程中對斜角邊緣區域至少進行電漿處理。在第二處理狀態過程中，上電極係處於無線射頻浮接狀態且基板係設置在下電極的表面上。
简体摘要：一种具有至少一等离子处理腔室的等离子处理系统，该等离子处理腔室用于进行一基板之等离子处理以及使用至少一第一处理状态及一第二处理状态。等离子系在该第一处理状态过程中存在于基板的中心区域上方，以在第一处理状态过程中至少对中心区域进行等离子处理。等离子在第二处理状态过程中，不存在于基板的中心区域上方但存在于邻近斜角边缘区之处，以在第二处理状态过程中对斜角边缘区域至少进行等离子处理。在第二处理状态过程中，上电极系处于无线射频浮接状态且基板系设置在下电极的表面上。

3. 发明专利

TWI622120B 在電漿處理室中提供間隙高度及平面化調整之基板支架有权
简体标题：在等离子处理室中提供间隙高度及平面化调整之基板支架
公开(公告)号：TWI622120B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW102118849
申请日：2013-05-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安東力克傑洛肯特 , ANTOLLK, JERREL KENT , 王彥坤維特 , WANG, YEN-KUN VICTOR , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01L21/67069 , H01L21/6719

4. 发明专利

TW201631654A 為求均勻處理半導體基板處理設備中之半導體基板而採用之氣體噴射方法审中-公开
简体标题：为求均匀处理半导体基板处理设备中之半导体基板而采用之气体喷射方法
公开(公告)号：TW201631654A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104136111
申请日：2015-11-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅傑斯詹姆士 , ROGERS, JAMES , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 斯波爾丁凱爾 , SPAULDING, KYLE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244
摘要：於包含噴淋頭(其包括其處理曝露表面之分離扇區中的氣體出口)的電漿處理設備中均勻處理半導體基板之上表面的方法，包含藉由使氣體流經該噴淋頭的第一分離扇區，同時防止氣體流經該噴淋頭的相鄰分離扇區來處理該半導體基板之上表面，及藉由使氣體流經該噴淋頭的第二分離扇區，同時防止氣體流經該噴淋頭的相鄰分離扇區來處理該半導體基板之上表面。流經該噴淋頭的第一分離扇區及第二分離扇區之氣體流動係為時均化的，以使該半導體基板之上表面受到均勻處理。
简体摘要：于包含喷淋头(其包括其处理曝露表面之分离扇区中的气体出口)的等离子处理设备中均匀处理半导体基板之上表面的方法，包含借由使气体流经该喷淋头的第一分离扇区，同时防止气体流经该喷淋头的相邻分离扇区来处理该半导体基板之上表面，及借由使气体流经该喷淋头的第二分离扇区，同时防止气体流经该喷淋头的相邻分离扇区来处理该半导体基板之上表面。流经该喷淋头的第一分离扇区及第二分离扇区之气体流动系为时均化的，以使该半导体基板之上表面受到均匀处理。

5. 发明专利

TW201405700A 在電漿處理室中提供間隙高度及平面化調整之基板支架审中-公开
简体标题：在等离子处理室中提供间隙高度及平面化调整之基板支架
公开(公告)号：TW201405700A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102118849
申请日：2013-05-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安東力克傑洛肯特 , ANTOLLK, JERREL KENT , 王彥坤維特 , WANG, YEN-KUN VICTOR , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要：一種用於電漿處理設備中的半導體基板支架，包含：夾頭體，該夾頭體具有充氣室及在充氣室與夾頭體之外緣間延伸的三個徑向延伸孔，其中該夾頭體的尺寸被設計成用以支撐直徑至少450 mm的半導體基板。該半導體基板支架更包含三管狀支撐臂，該管狀支撐臂包含從該夾頭體之外緣向外徑向延伸的第一部以及自該第一部垂直地延伸的第二部。管狀支撐臂提供管道，經由管道可與夾頭體中的對應孔連通。每一該管狀支撐臂的該第二部係用以與處理室外部的一對應的致動機構銜合，該致動機構可操作以達到電漿處理室內部中該夾頭體的垂直移動與平面化調整。
简体摘要：一种用于等离子处理设备中的半导体基板支架，包含：夹头体，该夹头体具有充气室及在充气室与夹头体之外缘间延伸的三个径向延伸孔，其中该夹头体的尺寸被设计成用以支撑直径至少450 mm的半导体基板。该半导体基板支架更包含三管状支撑臂，该管状支撑臂包含从该夹头体之外缘向外径向延伸的第一部以及自该第一部垂直地延伸的第二部。管状支撑臂提供管道，经由管道可与夹头体中的对应孔连通。每一该管状支撑臂的该第二部系用以与处理室外部的一对应的致动机构衔合，该致动机构可操作以达到等离子处理室内部中该夹头体的垂直移动与平面化调整。

6. 发明专利

TW201401939A 用以控制電漿處理室中之電漿的方法及設備审中-公开
简体标题：用以控制等离子处理室中之等离子的方法及设备
公开(公告)号：TW201401939A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102111934
申请日：2013-04-02
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：帕那格普洛斯席爾多爾斯 , PANAGOPOULOS, THEODOROS , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要：本發明揭露用以控制電漿處理系統中之電漿的方法及設備，該電漿處理系統具有至少一感應式耦合電漿(ICP)處理腔室。該ICP腔室至少使用第一/中心RF線圈、設置成與第一/中心RF線圈同心之第二/邊緣RF線圈、以及具有至少一第三/中間RF線圈的RF線圈組，該第三/中間RF線圈係以使得第三/中間RF線圈設置在第一/中心RF線圈與第二/邊緣RF線圈之間的方式而設置成與第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈同心。於處理期間，供給相同方向的RF電流至第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈，而供給相反方向(相對於供給至第一/中心RF線圈及第二/邊緣RF線圈的電流之方向)的RF電流至第三/中間RF線圈。
简体摘要：本发明揭露用以控制等离子处理系统中之等离子的方法及设备，该等离子处理系统具有至少一感应式耦合等离子(ICP)处理腔室。该ICP腔室至少使用第一/中心RF线圈、设置成与第一/中心RF线圈同心之第二/边缘RF线圈、以及具有至少一第三/中间RF线圈的RF线圈组，该第三/中间RF线圈系以使得第三/中间RF线圈设置在第一/中心RF线圈与第二/边缘RF线圈之间的方式而设置成与第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈同心。于处理期间，供给相同方向的RF电流至第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈，而供给相反方向(相对于供给至第一/中心RF线圈及第二/边缘RF线圈的电流之方向)的RF电流至第三/中间RF线圈。

7. 发明专利

TWI636502B 混合式特徵部蝕刻及斜角蝕刻系統有权
简体标题：混合式特征部蚀刻及斜角蚀刻系统
公开(公告)号：TWI636502B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103124122
申请日：2014-07-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/3065

8. 发明专利

TWI526123B 用以冷卻射頻加熱式腔室元件的系統有权
简体标题：用以冷却射频加热式腔室组件的系统
公开(公告)号：TWI526123B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101136958
申请日：2012-10-05
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 斯里拉曼沙拉維納布里恩 , SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32082 , H01J37/32119 , H01J37/32238

9. 发明专利

TW201801184A 蝕刻介電層中之特徵部的方法审中-公开
简体标题：蚀刻介电层中之特征部的方法
公开(公告)号：TW201801184A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106108091
申请日：2017-03-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布立格茲史考特 , BRIGGS, SCOTT , 哈得森艾瑞克 , HUDSON, ERIC , 貝勞列昂尼德 , BELAU, LEONID , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：提供一種在腔室中蝕刻含有矽氧化物之蝕刻層中之特徵部的方法，該含有矽氧化物之蝕刻層係設置於圖案化遮罩下方。使包括含鎢氣體的蝕刻氣體流至腔室中。使包括含鎢氣體的蝕刻氣體形成為電漿。將矽氧化物蝕刻層曝露於由包括含鎢氣體的蝕刻氣體所形成的電漿。當曝露於由包括含鎢氣體之該蝕刻氣體所形成的該電漿時，在該矽氧化物蝕刻層中蝕刻特徵部。
简体摘要：提供一种在腔室中蚀刻含有硅氧化物之蚀刻层中之特征部的方法，该含有硅氧化物之蚀刻层系设置于图案化遮罩下方。使包括含钨气体的蚀刻气体流至腔室中。使包括含钨气体的蚀刻气体形成为等离子。将硅氧化物蚀刻层曝露于由包括含钨气体的蚀刻气体所形成的等离子。当曝露于由包括含钨气体之该蚀刻气体所形成的该等离子时，在该硅氧化物蚀刻层中蚀刻特征部。

10. 发明专利

TW201322832A 用以冷卻射頻加熱式腔室元件的系統审中-公开
简体标题：用以冷却射频加热式腔室组件的系统
公开(公告)号：TW201322832A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101136958
申请日：2012-10-05
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 斯里拉曼沙拉維納布里恩 , SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN , 馬須理齊 , MARSH, RICKY , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN
IPC分类号： H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32082 , H01J37/32119 , H01J37/32238
摘要：在一實施例中，電漿處理裝置可包含一介電窗、一真空腔室、一能源以及至少一氣流倍增器。該介電窗可包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面。該真空腔室以及介電窗之電漿外露表面可協作來圍住電漿處理氣體。該能源可傳輸電磁能通過介電窗，並在介電窗內形成一溫度提高區域。該至少一氣流倍增器可與介電窗流體相通。該至少一氣流倍增器可在至少約1in-H2O的反壓下運作並提供至少約30cfm的氣體。
简体摘要：在一实施例中，等离子处理设备可包含一介电窗、一真空腔室、一能源以及至少一气流倍增器。该介电窗可包含一等离子外露表面以及一气体外露表面。该真空腔室以及介电窗之等离子外露表面可协作来围住等离子处理气体。该能源可传输电磁能通过介电窗，并在介电窗内形成一温度提高区域。该至少一气流倍增器可与介电窗流体相通。该至少一气流倍增器可在至少约1in-H2O的反压下运作并提供至少约30cfm的气体。

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