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1. 发明专利

TWI633810B 電漿系統中故障裝置之決定有权
简体标题：等离子系统中故障设备之决定
公开(公告)号：TWI633810B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW103108482
申请日：2014-03-11
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 沙圖亞瑟 , SATO, ARTHUR
IPC分类号： H05H1/46

2. 发明专利

TWI668725B 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制有权
简体标题：使用模型化、回授及阻抗匹配之蚀刻速率的控制
公开(公告)号：TWI668725B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW103133992
申请日：2014-09-30
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 傑法瑞恩德瑞尼沙伊德賈法 , JAFARIAN-TEHRANI, SEYED JAFAR , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TWI647735B 使用模型化以建立與電漿系統相關的離子能量有权
简体标题：使用模型化以创建与等离子系统相关的离子能量
公开(公告)号：TWI647735B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103108488
申请日：2014-03-11
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

4. 发明专利

TWI609406B 調諧與電漿阻抗有關之參數的方法有权
简体标题：调谐与等离子阻抗有关之参数的方法
公开(公告)号：TWI609406B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103101032
申请日：2014-01-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2001/4682

5. 发明专利

TW201528322A 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制审中-公开
简体标题：使用模型化、回授及阻抗匹配之蚀刻速率的控制
公开(公告)号：TW201528322A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103133992
申请日：2014-09-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 傑法瑞恩德瑞尼沙伊德賈法 , JAFARIAN-TEHRANI, SEYED JAFAR , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01J37/32
摘要：描述用以達成蝕刻速率的方法。該方法包括接收與對電漿腔室內的工作件進行處理相關聯的一計算變數。該方法更包括了將該計算變數傳遞通過一模型以產生在該模型之輸出端的該計算變數之值、辨識與該值相關聯的一計算處理速率、及基於該計算處理速率而辨識一預定處理速率。該方法亦包括了基於該預定處理速率而辨識欲於該輸出端達成的一預定變數、及辨識與該預定變數的實部及虛部相關聯之特性。該方法包括控制可變電路組件來達成該等特性以進一步達成該預定變數。
简体摘要：描述用以达成蚀刻速率的方法。该方法包括接收与对等离子腔室内的工作件进行处理相关联的一计算变量。该方法更包括了将该计算变量传递通过一模型以产生在该模型之输出端的该计算变量之值、辨识与该值相关联的一计算处理速率、及基于该计算处理速率而辨识一预定处理速率。该方法亦包括了基于该预定处理速率而辨识欲于该输出端达成的一预定变量、及辨识与该预定变量的实部及虚部相关联之特性。该方法包括控制可变电路组件来达成该等特性以进一步达成该预定变量。

6. 发明专利

TW201503765A 電漿系統中故障裝置之決定审中-公开
简体标题：等离子系统中故障设备之决定
公开(公告)号：TW201503765A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103108482
申请日：2014-03-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 沙圖亞瑟 , SATO, ARTHUR
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32926 , G01R31/40 , H01J37/32917 , H01J37/3299
摘要：揭露電漿系統中之故障裝置的決定系統與方法。其中一方法包含接收電漿是否產生於該電漿系統之電漿室內的指示。電漿系統包含處理部件及能量輸送部件。該方法更包含判斷該電漿系統是否操作於限制範圍內以回應生成該電漿之該指示的該接收；當該處理部件係自該能量輸送部件分離時，決定該能量輸送部件之輸出處之一變數的值；及比較該決定值與該變數的預錄值。該方法包含：判斷該決定值是否超出該預錄值的範圍；及在判斷出該決定值係超出該預錄值之該範圍時，決定該故障裝置係位於該能量輸送部件內。
简体摘要：揭露等离子系统中之故障设备的决定系统与方法。其中一方法包含接收等离子是否产生于该等离子系统之等离子室内的指示。等离子系统包含处理部件及能量输送部件。该方法更包含判断该等离子系统是否操作于限制范围内以回应生成该等离子之该指示的该接收；当该处理部件系自该能量输送部件分离时，决定该能量输送部件之输出处之一变量的值；及比较该决定值与该变量的预录值。该方法包含：判断该决定值是否超出该预录值的范围；及在判断出该决定值系超出该预录值之该范围时，决定该故障设备系位于该能量输送部件内。

7. 发明专利

TW201441608A 使用模型化以決定與電漿系統有關的晶圓偏壓审中-公开
简体标题：使用模型化以决定与等离子系统有关的晶圆偏压
公开(公告)号：TW201441608A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103102747
申请日：2014-01-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： G01N27/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32926 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J2237/327
摘要：描述用於決定晶圓偏壓的系統和方法。該等方法其中一者包含偵測一產生器的輸出，以確定一產生器輸出的複電壓與電流(V&I)。該產生器係連接至一阻抗匹配電路，且該阻抗匹配電路係連接至一電漿腔室的一靜電夾頭(ESC)。該方法更包含：由該產生器輸出的複V&I，決定在沿著介於該阻抗匹配電路的模型的輸出與該ESC的模型之間的一路徑的一點處的一預測複V&I。該決定該預測複V&I的操作係使用至少部份該路徑的模型而加以執行。該方法包含使用該預測複VI作為一函數的輸入，以將該預測複VI映射成在該ESC的模型處的晶圓偏壓。
简体摘要：描述用于决定晶圆偏压的系统和方法。该等方法其中一者包含侦测一产生器的输出，以确定一产生器输出的复电压与电流(V&I)。该产生器系连接至一阻抗匹配电路，且该阻抗匹配电路系连接至一等离子腔室的一静电夹头(ESC)。该方法更包含：由该产生器输出的复V&I，决定在沿着介于该阻抗匹配电路的模型的输出与该ESC的模型之间的一路径的一点处的一预测复V&I。该决定该预测复V&I的操作系使用至少部份该路径的模型而加以运行。该方法包含使用该预测复VI作为一函数的输入，以将该预测复VI映射成在该ESC的模型处的晶圆偏压。

8. 发明专利

TWI599272B 根據三個或更多狀態之功率及頻率調整有权
简体标题：根据三个或更多状态之功率及频率调整
公开(公告)号：TWI599272B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102133223
申请日：2013-09-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H05H7/02

9. 发明专利

TWI592978B 用以處理在電漿處理腔室中之基板的方法有权
简体标题：用以处理在等离子处理腔室中之基板的方法
公开(公告)号：TWI592978B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102122171
申请日：2013-06-21
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H01J37/32

10. 发明专利

TW201503216A 使用模型化以建立與電漿系統相關的離子能量审中-公开
简体标题：使用模型化以创建与等离子系统相关的离子能量
公开(公告)号：TW201503216A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103108488
申请日：2014-03-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J.
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
摘要：揭露決定離子能量的系統與方法。方法中的一者包含偵測一產生器的輸出以識別產生器輸出複數電壓與電流 (V&I)。產生器係耦合至一阻抗匹配電路且此阻抗匹配電路係耦合至一靜電夾頭(ESC)。該方法更包含自該產生器輸出複數V&I決定沿著一路徑上之一點處的投影複數V&I，此路徑係介於該阻抗匹配電路之模型的一輸出與該ESC的模型之間。利用該部件之至少一部件的模型來進行該投影複數V&I的決定步驟。該方法包含應用該投影複數V&I作為一函數之輸入以將該投影複數V&I映射至在該ESC模型處的晶圓偏壓並自該晶圓偏壓決定離子能量。
简体摘要：揭露决定离子能量的系统与方法。方法中的一者包含侦测一产生器的输出以识别产生器输出复数电压与电流 (V&I)。产生器系耦合至一阻抗匹配电路且此阻抗匹配电路系耦合至一静电夹头(ESC)。该方法更包含自该产生器输出复数V&I决定沿着一路径上之一点处的投影复数V&I，此路径系介于该阻抗匹配电路之模型的一输出与该ESC的模型之间。利用该部件之至少一部件的模型来进行该投影复数V&I的决定步骤。该方法包含应用该投影复数V&I作为一函数之输入以将该投影复数V&I映射至在该ESC模型处的晶圆偏压并自该晶圆偏压决定离子能量。

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