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1. 发明专利

TW201824549A 在ＭＯＳ電晶體中用以降低子通道洩漏的外延緩衝审中-公开
简体标题：在ＭＯＳ晶体管中用以降低子信道泄漏的外延缓冲
公开(公告)号：TW201824549A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127483
申请日：2017-08-14
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 卡瓦李耶羅傑克 , KAVALIEROS, JACK , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN , 朱功班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 強普納森卡希克 , JAMBUNATHAN, KARTHIK , 成承訓 , SUNG, SEUNG HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/8238
摘要：積體電路電晶體結構被揭露，其包含與下層單晶矽基板晶格匹配的單晶緩衝體結構。緩衝體結構可以被用以降低在非平坦電晶體的鰭下洩漏，但也可以用在平坦架構中。在一些實施例中，該緩衝體結構為晶格匹配至矽的高能隙介電材料的單一連續層。以下的技術可以被用於包含任意數量的IV族與III-V族半導體通道材料的NMOS與PMOS電晶體上。
简体摘要：集成电路晶体管结构被揭露，其包含与下层单晶硅基板晶格匹配的单晶缓冲体结构。缓冲体结构可以被用以降低在非平坦晶体管的鳍下泄漏，但也可以用在平坦架构中。在一些实施例中，该缓冲体结构为晶格匹配至硅的高能隙介电材料的单一连续层。以下的技术可以被用于包含任意数量的IV族与III-V族半导体信道材料的NMOS与PMOS晶体管上。

2. 发明专利

TW202018951A 電晶體觸點區域強化审中-公开
简体标题：晶体管触点区域强化
公开(公告)号：TW202018951A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108116888
申请日：2019-05-16
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：梅安卓里沙 , MEHANDRU, RISHABH , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 賽亞史蒂芬 , CEA, STEPHEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
摘要：一種半導體裝置，包括半導體本體，其包括表面以及形成在該半導體本體中的第一區和第二區，其中，通道區位於該第一區與該第二區之間，並且，該第二區包括子區，其包括毯狀摻雜物；在該第一區上方之該半導體本體之表面上的第一導電觸點；在該第一區的底部的絕緣體上半導體(SOI)；形成在該通道中的袋狀通道摻雜物(PCD)，其中，該PCD的第一部分與該SOI的第一部分相鄰；在該子區域的底部上的第二導電觸點，其中，該第二導電觸點的第一部分與該SOI的第二部分相鄰，並且，該第二導電觸點的第二部分與該PCD的第二部分相鄰。
简体摘要：一种半导体设备，包括半导体本体，其包括表面以及形成在该半导体本体中的第一区和第二区，其中，信道区位于该第一区与该第二区之间，并且，该第二区包括子区，其包括毯状掺杂物；在该第一区上方之该半导体本体之表面上的第一导电触点；在该第一区的底部的绝缘体上半导体(SOI)；形成在该信道中的袋状信道掺杂物(PCD)，其中，该PCD的第一部分与该SOI的第一部分相邻；在该子区域的底部上的第二导电触点，其中，该第二导电触点的第一部分与该SOI的第二部分相邻，并且，该第二导电触点的第二部分与该PCD的第二部分相邻。

3. 发明专利

TWI680583B 具有不對稱外形之鰭部結構的裝置及形成方法有权
简体标题：具有不对称外形之鳍部结构的设备及形成方法
公开(公告)号：TWI680583B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW104138802
申请日：2015-11-23
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：瑞奇曼第威利 , RACHMADY, WILLY , 梅茲馬修 , METZ, MATTHEW V. , 莫哈帕拉錢德拉 , MOHAPATRA, CHANDRA , 狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 雷奧洛比納迪亞 , RAHHAL-ORABI, NADIA , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

4. 发明专利

TWI665667B 應變輔助的自旋力矩切換自旋轉移力矩記憶體有权
简体标题：应变辅助的自旋力矩切换自旋转移力矩内存
公开(公告)号：TWI665667B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104127159
申请日：2015-08-20
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：曼尼佩楚尼沙西坎斯 , MANIPATRUNI, SASIKANTH , 尼可諾夫狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 坎恩艾希夫 , KHAN, ASIF , 金瑞松 , KIM, RASEONG , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： G11C11/16

5. 发明专利

TW201830703A 自對準閘極邊緣和局部互連結構及其製造方法审中-公开
简体标题：自对准闸极边缘和局部互链接构及其制造方法
公开(公告)号：TW201830703A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107113364
申请日：2014-10-29
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：韋伯米爾頓 , WEBB, MILTON CLAIR , 鮑爾馬克 , BOHR, MARK , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 廖思雅 , LIAO, SZUYA S.
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335 , H01L21/336
摘要：本發明說明自對準閘極邊緣和局部互連結構及製造自對準閘極邊緣及局部互連結構的方法。於實例中，半導體結構包括配置在基板上方且具有一長度於第一方向上之半導體鰭部。閘極結構係配置在該半導體鰭部之上，該閘極結構於正交於該第一方向之第二方向上具有在第二端對面之第一端。一對閘極邊緣隔離結構係以該半導體鰭部為中心。該對閘極邊緣隔離結構的第一者係直接配置鄰接於該閘極結構的該第一端，及該對閘極邊緣隔離結構的第二者係直接配置鄰接於該閘極結構的該第二端。
简体摘要：本发明说明自对准闸极边缘和局部互链接构及制造自对准闸极边缘及局部互链接构的方法。于实例中，半导体结构包括配置在基板上方且具有一长度于第一方向上之半导体鳍部。闸极结构系配置在该半导体鳍部之上，该闸极结构于正交于该第一方向之第二方向上具有在第二端对面之第一端。一对闸极边缘隔离结构系以该半导体鳍部为中心。该对闸极边缘隔离结构的第一者系直接配置邻接于该闸极结构的该第一端，及该对闸极边缘隔离结构的第二者系直接配置邻接于该闸极结构的该第二端。

6. 发明专利

TW202015238A 使用犧牲源極／汲極層增加的電晶體源極／汲極接觸面積审中-公开
简体标题：使用牺牲源极／汲极层增加的晶体管源极／汲极接触面积
公开(公告)号：TW202015238A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108117114
申请日：2019-05-17
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：克倫達克斯 , CRUM, DAX , 古哈比斯瓦吉 , GUHA, BISWAJEET , 許威廉 , HSU, WILLIAM , 賽亞史蒂芬 , CEA, STEPHEN , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L21/28
摘要：此處提供了使用犧牲S/D層的包含增加的電晶體源極/汲極(S/D)接觸面積的積體電路結構。在S/D材料的磊晶生長之前，將包含與S/D材料不同的材料的犧牲層沉積到S/D溝槽中，使得犧牲層用來作為在S/D材料之下的空間支架。在S/D接觸處理期間，可以相對於S/D材料選擇性地蝕刻犧牲層以至少部分地移除犧牲層，在S/D材料之下留下空間以使接觸金屬填充。在某些情況中，接觸金屬也在S/D材料的部分之間。在某些情況中，例如當採用S/D區的任一側上的介電質壁結構時，接觸金屬圍繞epi S/D。藉由增加S/D接觸面積，減小了接觸電阻，從而改善了電晶體裝置的性能。
简体摘要：此处提供了使用牺牲S/D层的包含增加的晶体管源极/汲极(S/D)接触面积的集成电路结构。在S/D材料的磊晶生长之前，将包含与S/D材料不同的材料的牺牲层沉积到S/D沟槽中，使得牺牲层用来作为在S/D材料之下的空间支架。在S/D接触处理期间，可以相对于S/D材料选择性地蚀刻牺牲层以至少部分地移除牺牲层，在S/D材料之下留下空间以使接触金属填充。在某些情况中，接触金属也在S/D材料的部分之间。在某些情况中，例如当采用S/D区的任一侧上的介电质壁结构时，接触金属围绕epi S/D。借由增加S/D接触面积，减小了接触电阻，从而改善了晶体管设备的性能。

7. 发明专利

TWI688041B 使用犧牲次鰭部層而被形成於矽基板上的奈米線通道、使用犧牲次鰭部層以形成奈米線通道於矽基板上之方法、及計算系統有权
简体标题：使用牺牲次鳍部层而被形成于硅基板上的奈米线信道、使用牺牲次鳍部层以形成奈米线信道于硅基板上之方法、及计算系统
公开(公告)号：TWI688041B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW104138967
申请日：2015-11-24
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 梅茲馬修 , METZ, MATTHEW V. , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 瑞奇曼第威利 , RACHMADY, WILLY , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 莫哈帕拉錢德拉 , MOHAPATRA, CHANDRA , 珈納薩納斯 , GARDNER, SANAZ K. , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/43

8. 发明专利

TWI682498B 用於致能深寬比捕獲（ＡＲＴ）溝槽中的III-V閘極全環繞（ＧＡＡ）的ＩｎＧａＡｓ磊晶結構及溼蝕刻製程有权
简体标题：用于致能深宽比捕获（ＡＲＴ）沟槽中的III-V闸极全环绕（ＧＡＡ）的ＩｎＧａＡｓ磊晶结构及湿蚀刻制程
公开(公告)号：TWI682498B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104138545
申请日：2015-11-20
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：珈納薩納斯 , GARDNER, SANAZ K. , 瑞奇曼第威利 , RACHMADY, WILLY , 梅茲馬修 , METZ, MATTHEW V. , 狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 莫哈帕拉錢德拉 , MOHAPATRA, CHANDRA , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 雷奧洛比納迪亞 , RAHHAL-ORABI, NADIA , 薛力格南西 , ZELICK, NANCY M. , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/336 , H01L23/528

9. 发明专利

TWI671909B 防止子通道漏電流的設備有权
简体标题：防止子信道漏电流的设备
公开(公告)号：TWI671909B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104138311
申请日：2015-11-19
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：強普納森卡希克 , JAMBUNATHAN, KARTHIK , 葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN , 莫哈帕拉錢德拉 , MOHAPATRA, CHANDRA , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 希亞史蒂芬 , CEA, STEPHEN M. , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR
IPC分类号： H01L29/78

10. 发明专利

TWI664733B 高遷移率通道元件之載子約束有权
简体标题：高迁移率信道组件之载子约束
公开(公告)号：TWI664733B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104137344
申请日：2015-11-12
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 梅茲馬修 , METZ, MATTHEW V. , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 瑞奇曼第威利 , RACHMADY, WILLY , 甘尼塔何 , GHANI, TAHIR , 莫希安拿 , MURTHY, ANAND , 莫哈帕拉錢德拉 , MOHAPATRA, CHANDRA , 肯拿哈洛德 , KENNEL, HAROLD W. , 葛雷斯葛蘭 , GLASS, GLENN
IPC分类号： H01L29/78

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