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    • 2. 发明专利
    • 電晶體觸點區域強化
    • 晶体管触点区域强化
    • TW202018951A
    • 2020-05-16
    • TW108116888
    • 2019-05-16
    • 美商英特爾股份有限公司INTEL CORPORATION
    • 梅安卓 里沙MEHANDRU, RISHABH甘尼 塔何GHANI, TAHIR賽亞 史蒂芬CEA, STEPHEN
    • H01L29/78H01L29/06
    • 一種半導體裝置,包括半導體本體,其包括表面以及形成在該半導體本體中的第一區和第二區,其中,通道區位於該第一區與該第二區之間,並且,該第二區包括子區,其包括毯狀摻雜物;在該第一區上方之該半導體本體之表面上的第一導電觸點;在該第一區的底部的絕緣體上半導體(SOI);形成在該通道中的袋狀通道摻雜物(PCD),其中,該PCD的第一部分與該SOI的第一部分相鄰;在該子區域的底部上的第二導電觸點,其中,該第二導電觸點的第一部分與該SOI的第二部分相鄰,並且,該第二導電觸點的第二部分與該PCD的第二部分相鄰。
    • 一种半导体设备,包括半导体本体,其包括表面以及形成在该半导体本体中的第一区和第二区,其中,信道区位于该第一区与该第二区之间,并且,该第二区包括子区,其包括毯状掺杂物;在该第一区上方之该半导体本体之表面上的第一导电触点;在该第一区的底部的绝缘体上半导体(SOI);形成在该信道中的袋状信道掺杂物(PCD),其中,该PCD的第一部分与该SOI的第一部分相邻;在该子区域的底部上的第二导电触点,其中,该第二导电触点的第一部分与该SOI的第二部分相邻,并且,该第二导电触点的第二部分与该PCD的第二部分相邻。