基本信息:
- 专利标题: 應變輔助的自旋力矩切換自旋轉移力矩記憶體
- 专利标题(英):Strain assisted spin torque switching spin transfer torque memory
- 专利标题(中):应变辅助的自旋力矩切换自旋转移力矩内存
- 申请号:TW104127159 申请日:2015-08-20
- 公开(公告)号:TWI665667B 公开(公告)日:2019-07-11
- 发明人: 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 , MANIPATRUNI, SASIKANTH , 尼可諾夫 狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 坎恩 艾希夫 , KHAN, ASIF , 金瑞松 , KIM, RASEONG , 甘尼 塔何 , GHANI, TAHIR , 楊 艾恩 , YOUNG, IAN A.
- 申请人: 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人: 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人: 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人: 林志剛
- 优先权: PCT/US14/57356 20140925
- 主分类号: G11C11/16
- IPC分类号: G11C11/16
公开/授权文献:
- TW201633302A 應變輔助的自旋力矩切換自旋轉移力矩記憶體 公开/授权日:2016-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
--G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |