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1. 发明专利

TW201841079A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201841079A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106146672
申请日：2017-12-31
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 侯希森 , HOU, XISEN , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/38
摘要：一種圖案形成方法，包括：（a）提供基板；（b）在基板上形成光致抗蝕劑圖案；（c）向光致抗蝕劑圖案施用圖案處理組成物，所述圖案處理組成物包括有包括第一有機溶劑及第二有機溶劑之溶劑混合物，其中第一有機溶劑之沸點超過第二有機溶劑之沸點，且其中第一有機溶劑之沸點為210℃或更高；以及（d）隨後加熱光致抗蝕劑圖案。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：一种图案形成方法，包括：（a）提供基板；（b）在基板上形成光致抗蚀剂图案；（c）向光致抗蚀剂图案施用图案处理组成物，所述图案处理组成物包括有包括第一有机溶剂及第二有机溶剂之溶剂混合物，其中第一有机溶剂之沸点超过第二有机溶剂之沸点，且其中第一有机溶剂之沸点为210℃或更高；以及（d）随后加热光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

2. 发明专利

TWI683191B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI683191B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106146672
申请日：2017-12-31
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 侯希森 , HOU, XISEN , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/38

3. 发明专利

TW201732460A 圖案修整方法审中-公开
简体标题：图案修整方法
公开(公告)号：TW201732460A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104509
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：修整光阻劑圖案之方法包括：(a)提供半導體基板；(b)在所述半導體基板上形成光阻劑圖案，其中所述光阻劑圖案由包括以下的光阻劑組合物形成：包括酸不穩定基團之第一聚合物；及光酸產生劑；(c)在所述光阻劑圖案上塗佈圖案修整組合物，其中所述圖案修整組合物包括第二聚合物及溶劑系統，其中所述溶劑系統包括以所述溶劑系統計組合量為50重量%或更多之一種或多種單醚溶劑；(d)將所述經塗佈半導體基板加熱，由此引起所述光阻劑圖案之表面區域在待施加的沖洗劑中之溶解度變化；以及(e)使所述光阻劑圖案與沖洗劑接觸以去除所述光阻劑圖案之所述表面區域，進而形成經修整光阻劑圖案。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：修整光阻剂图案之方法包括：(a)提供半导体基板；(b)在所述半导体基板上形成光阻剂图案，其中所述光阻剂图案由包括以下的光阻剂组合物形成：包括酸不稳定基团之第一聚合物；及光酸产生剂；(c)在所述光阻剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包括第二聚合物及溶剂系统，其中所述溶剂系统包括以所述溶剂系统计组合量为50重量%或更多之一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体基板加热，由此引起所述光阻剂图案之表面区域在待施加的冲洗剂中之溶解度变化；以及(e)使所述光阻剂图案与冲洗剂接触以去除所述光阻剂图案之所述表面区域，进而形成经修整光阻剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

4. 发明专利

TW201716377A 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：热酸产生剂以及光阻剂图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201716377A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133104
申请日：2016-10-13
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 波勒斯格哈德 , POHLERS, GERHARD , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C07C309/29 , C07C309/19 , C07C309/06 , C09K3/00 , C08L101/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/01 , C07C309/28 , C07C309/33 , C07C309/39 , C07C309/40 , C07C309/58 , C07C2603/74 , C07D213/61 , C07D239/26 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2022 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/405
摘要：提供離子性熱酸產生劑，其包括：包括一個或多個氟化醇基團之芳族磺酸的陰離子及陽離子。此外提供包含離子性熱酸產生劑、基質聚合物及溶劑之光阻劑圖案修整組合物，以及使用所述修整組合物修整光阻劑圖案之方法。所述熱酸產生劑、組合物及方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：提供离子性热酸产生剂，其包括：包括一个或多个氟化醇基团之芳族磺酸的阴离子及阳离子。此外提供包含离子性热酸产生剂、基质聚合物及溶剂之光阻剂图案修整组合物，以及使用所述修整组合物修整光阻剂图案之方法。所述热酸产生剂、组合物及方法尤其适用于制造半导体设备。

5. 发明专利

TW201714874A 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：热酸产生剂以及光阻剂图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201714874A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133105
申请日：2016-10-13
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 波勒斯格哈德 , POHLERS, GERHARD , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C07C309/06 , C07C309/29 , C07D213/61 , C07D213/06 , C07D239/26 , C09K3/00 , C08L101/00 , C08K5/42 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C309/58 , C07C2603/74 , C07D213/61 , C07D239/26 , G03F7/405
摘要：提供離子性熱酸產生劑，其具有以下通式(I)：其中：Ar1表示視情況經取代之碳環或雜環芳族基團；W獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1-5烷氧基及甲醯基之基團；X為陽離子；Y獨立地表示鍵聯基團；Z獨立地表示選自羥基、氟化醇、酯、視情況經取代之烷基、C5或更高碳的視情況經取代之單環、多環、稠合多環環脂族、或芳基之基團，其可視情況包括雜原子，其限制條件為Z的至少一次出現為羥基；a為0或更大之整數；b為1或更大之整數；其限制條件為a+b為至少1且不超過所述芳族基團的可用芳族碳原子之總數。此外提供光阻劑圖案修整組合物，以及使用所述修整組合物修整光阻劑圖案之方法。所述熱酸產生劑、組合物及方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：提供离子性热酸产生剂，其具有以下通式(I)：其中：Ar1表示视情况经取代之碳环或杂环芳族基团；W独立地表示选自羧基、羟基、硝基、氰基、C1-5烷氧基及甲酰基之基团；X为阳离子；Y独立地表示键联基团；Z独立地表示选自羟基、氟化醇、酯、视情况经取代之烷基、C5或更高碳的视情况经取代之单环、多环、稠合多环环脂族、或芳基之基团，其可视情况包括杂原子，其限制条件为Z的至少一次出现为羟基；a为0或更大之整数；b为1或更大之整数；其限制条件为a+b为至少1且不超过所述芳族基团的可用芳族碳原子之总数。此外提供光阻剂图案修整组合物，以及使用所述修整组合物修整光阻剂图案之方法。所述热酸产生剂、组合物及方法尤其适用于制造半导体设备。

6. 发明专利

TW201538538A 光阻圖案修整組成物及方法审中-公开
简体标题：光阻图案修整组成物及方法
公开(公告)号：TW201538538A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146504
申请日：2014-12-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：劉琮 , LIU, CONG , 李承炫 , LEE, SEUNG-HYUN , 羅威凱文 , ROWELL, KEVIN , 波樂斯葛哈德 , POHLERS, GERHARD , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 尹文恩 , YIN, WENYAN , 依斯泰勒湯瑪士A , ESTELLE, THOMAS A. , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO
IPC分类号： C08F20/38 , G03F7/027 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0392
摘要：本發明係提供用於修整光阻圖案之組成物及方法。該光阻圖案修整組成物包含：基質聚合物，其包含由下列通式(I)之單體所形成的單元：其中：R1係選自氫、氟、C1-C3烷基及C1-C3氟烷基；R2係選自C1-C15伸烷基；以及R3係選自C1-C3氟烷基；不含氟之芳香族酸；以及溶劑。該組成物及方法在半導體裝置之製造中發現特定應用性。
简体摘要：本发明系提供用于修整光阻图案之组成物及方法。该光阻图案修整组成物包含：基质聚合物，其包含由下列通式(I)之单体所形成的单元：其中：R1系选自氢、氟、C1-C3烷基及C1-C3氟烷基；R2系选自C1-C15伸烷基；以及R3系选自C1-C3氟烷基；不含氟之芳香族酸；以及溶剂。该组成物及方法在半导体设备之制造中发现特定应用性。

7. 发明专利

TWI628520B 圖案修整方法有权
简体标题：图案修整方法
公开(公告)号：TWI628520B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106104509
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027

8. 发明专利

TW201732011A 圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201732011A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104510
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： C09K3/00 , C08L33/06 , C08L33/16 , C08L25/18 , C08K5/05 , C08K5/06 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F1/40 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：光阻劑圖案修整組合物包括：可溶於0.26當量濃度氫氧化四甲基銨水溶液中之聚合物；及溶劑系統，其中所述溶劑系統包括以所述溶劑系統計組合量為50至98重量%的一種或多種單醚溶劑。所述組合物尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：光阻剂图案修整组合物包括：可溶于0.26当量浓度氢氧化四甲基铵水溶液中之聚合物；及溶剂系统，其中所述溶剂系统包括以所述溶剂系统计组合量为50至98重量%的一种或多种单醚溶剂。所述组合物尤其适用于制造半导体设备。

9. 发明专利

TW201441768A 光阻圖案修整方法审中-公开
简体标题：光阻图案修整方法
公开(公告)号：TW201441768A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102148976
申请日：2013-12-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：波樂斯葛哈德 , POHLERS, GERHARD , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 羅威凱文 , ROWELL, KEVIN
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供光阻圖案修整方法。此等方法包括(a)提供半導體基板；(b)在基板上形成光阻圖案，其中光阻圖案係由包括：包括酸不安定基之基質聚合物；光酸產生劑和溶劑之化學放大光阻組成物所形成；(c)在基板之光阻圖案上塗佈光阻修整組成物，其中該修整組成物包含：基質聚合物，無氟之芳香族酸；和溶劑；(d)加熱經塗佈之基板，因而使光阻圖案之表面區域中之光阻基質聚合物的極性改變；以及(e)使光阻圖案與清洗劑接觸以移除光阻圖案的表面區域，由而形成經修整之光阻圖案。此等方法在半導體裝置製造上發現特別的應用性。
简体摘要：本发明系提供光阻图案修整方法。此等方法包括(a)提供半导体基板；(b)在基板上形成光阻图案，其中光阻图案系由包括：包括酸不安定基之基质聚合物；光酸产生剂和溶剂之化学放大光阻组成物所形成；(c)在基板之光阻图案上涂布光阻修整组成物，其中该修整组成物包含：基质聚合物，无氟之芳香族酸；和溶剂；(d)加热经涂布之基板，因而使光阻图案之表面区域中之光阻基质聚合物的极性改变；以及(e)使光阻图案与清洗剂接触以移除光阻图案的表面区域，由而形成经修整之光阻图案。此等方法在半导体设备制造上发现特别的应用性。

10. 发明专利

TWI617611B 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法有权
简体标题：光致抗蚀剂图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TWI617611B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104141987
申请日：2015-12-14
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN
IPC分类号： C08L33/04 , C08K5/42 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/42 , C07C309/01 , C07C309/28 , C07C309/33 , C07C309/39 , C07C309/40 , G03F7/004 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/405

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