专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201817829A 光致抗蝕劑面漆組合物及加工光致抗蝕劑組合物之方法审中-公开
简体标题：光致抗蚀剂面漆组合物及加工光致抗蚀剂组合物之方法
公开(公告)号：TW201817829A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106136390
申请日：2017-10-23
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：劉聰 , LIU, CONG , 康桃樂絲H , KANG, DORIS H. , 王德岩 , WANG, DEYAN , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 李明琦 , LI, MINGQI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER
IPC分类号： C09D133/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20
摘要：光致抗蝕劑面漆組合物，其包括：包括通式(I)之第一重複單元及通式(II)之第二重複單元之第一聚合物：其中：R1獨立地表示H、F或視情況氟化之C1至C4烷基；R2表示視情況氟化之直鏈、分支鏈或環狀C1至C20烷基；L1表示單鍵或多價鍵聯基團；且n為1至5之整數；包括通式(III)之第一重複單元及通式(IV)之第二重複單元之第二聚合物：其中：R3獨立地表示H、F或視情況氟化之C1至C4烷基；R4表示直鏈、分支鏈或環狀C1至C20烷基；R5表示直鏈、分支鏈或環狀C1至C20氟烷基；L2表示單鍵或多價鍵聯基團；且n為1至5之整數；以及溶劑。亦提供塗佈有所述面漆組合物之經塗佈基板及加工光致抗蝕劑組合物之方法。本發明尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：光致抗蚀剂面漆组合物，其包括：包括通式(I)之第一重复单元及通式(II)之第二重复单元之第一聚合物：其中：R1独立地表示H、F或视情况氟化之C1至C4烷基；R2表示视情况氟化之直链、分支链或环状C1至C20烷基；L1表示单键或多价键联基团；且n为1至5之整数；包括通式(III)之第一重复单元及通式(IV)之第二重复单元之第二聚合物：其中：R3独立地表示H、F或视情况氟化之C1至C4烷基；R4表示直链、分支链或环状C1至C20烷基；R5表示直链、分支链或环状C1至C20氟烷基；L2表示单键或多价键联基团；且n为1至5之整数；以及溶剂。亦提供涂布有所述面漆组合物之经涂布基板及加工光致抗蚀剂组合物之方法。本发明尤其适用于制造半导体设备。

2. 发明专利

TW201732460A 圖案修整方法审中-公开
简体标题：图案修整方法
公开(公告)号：TW201732460A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104509
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：修整光阻劑圖案之方法包括：(a)提供半導體基板；(b)在所述半導體基板上形成光阻劑圖案，其中所述光阻劑圖案由包括以下的光阻劑組合物形成：包括酸不穩定基團之第一聚合物；及光酸產生劑；(c)在所述光阻劑圖案上塗佈圖案修整組合物，其中所述圖案修整組合物包括第二聚合物及溶劑系統，其中所述溶劑系統包括以所述溶劑系統計組合量為50重量%或更多之一種或多種單醚溶劑；(d)將所述經塗佈半導體基板加熱，由此引起所述光阻劑圖案之表面區域在待施加的沖洗劑中之溶解度變化；以及(e)使所述光阻劑圖案與沖洗劑接觸以去除所述光阻劑圖案之所述表面區域，進而形成經修整光阻劑圖案。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：修整光阻剂图案之方法包括：(a)提供半导体基板；(b)在所述半导体基板上形成光阻剂图案，其中所述光阻剂图案由包括以下的光阻剂组合物形成：包括酸不稳定基团之第一聚合物；及光酸产生剂；(c)在所述光阻剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包括第二聚合物及溶剂系统，其中所述溶剂系统包括以所述溶剂系统计组合量为50重量%或更多之一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体基板加热，由此引起所述光阻剂图案之表面区域在待施加的冲洗剂中之溶解度变化；以及(e)使所述光阻剂图案与冲洗剂接触以去除所述光阻剂图案之所述表面区域，进而形成经修整光阻剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

3. 发明专利

TW201716377A 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：热酸产生剂以及光阻剂图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201716377A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133104
申请日：2016-10-13
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 波勒斯格哈德 , POHLERS, GERHARD , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C07C309/29 , C07C309/19 , C07C309/06 , C09K3/00 , C08L101/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/01 , C07C309/28 , C07C309/33 , C07C309/39 , C07C309/40 , C07C309/58 , C07C2603/74 , C07D213/61 , C07D239/26 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2022 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/405
摘要：提供離子性熱酸產生劑，其包括：包括一個或多個氟化醇基團之芳族磺酸的陰離子及陽離子。此外提供包含離子性熱酸產生劑、基質聚合物及溶劑之光阻劑圖案修整組合物，以及使用所述修整組合物修整光阻劑圖案之方法。所述熱酸產生劑、組合物及方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：提供离子性热酸产生剂，其包括：包括一个或多个氟化醇基团之芳族磺酸的阴离子及阳离子。此外提供包含离子性热酸产生剂、基质聚合物及溶剂之光阻剂图案修整组合物，以及使用所述修整组合物修整光阻剂图案之方法。所述热酸产生剂、组合物及方法尤其适用于制造半导体设备。

4. 发明专利

TWI686451B 含有氟化熱酸產生劑的面漆組合物有权
简体标题：含有氟化热酸产生剂的面漆组合物
公开(公告)号：TWI686451B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106135779
申请日：2017-10-18
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 康桃樂絲 , KANG, DORIS , 劉聰 , LIU, CONG , 波勒斯格哈德 , POHLERS, GERHARD , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C09D7/40 , C09D201/00 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI683191B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI683191B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW106146672
申请日：2017-12-31
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 侯希森 , HOU, XISEN , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/38

6. 发明专利

TW201842097A 圖案形成方法及光致抗蝕劑圖案外塗層組合物审中-公开
简体标题：图案形成方法及光致抗蚀剂图案外涂层组合物
公开(公告)号：TW201842097A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107114424
申请日：2018-04-27
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：侯希森 , HOU, XISEN , 劉聰 , LIU, CONG , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER
IPC分类号： C09D133/16 , C09D133/26 , G03F7/039 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：一種圖案形成方法，其包括：（a）提供半導體基板；（b）在所述半導體基板上形成光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案由光致抗蝕劑組合物形成，所述光致抗蝕劑組合物包括：包括酸不穩定基團之第一聚合物；及光酸產生劑；（c）在所述光致抗蝕劑圖案上塗佈圖案外塗層組合物，其中所述圖案外塗層組合物包括第二聚合物及有機溶劑，其中所述有機溶劑包括一或多種酯溶劑，其中所述酯溶劑具有式R1-C(O)O-R2，其中R1為C3-C6烷基且R2為C5-C10烷基；（d）烘烤經塗佈之所述光致抗蝕劑圖案；及（e）用沖洗劑沖洗所述經塗佈之光致抗蝕劑圖案以移除所述第二聚合物。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：一种图案形成方法，其包括：（a）提供半导体基板；（b）在所述半导体基板上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包括：包括酸不稳定基团之第一聚合物；及光酸产生剂；（c）在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包括第二聚合物及有机溶剂，其中所述有机溶剂包括一或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R1-C(O)O-R2，其中R1为C3-C6烷基且R2为C5-C10烷基；（d）烘烤经涂布之所述光致抗蚀剂图案；及（e）用冲洗剂冲洗所述经涂布之光致抗蚀剂图案以移除所述第二聚合物。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

7. 发明专利

TWI628520B 圖案修整方法有权
简体标题：图案修整方法
公开(公告)号：TWI628520B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106104509
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027

8. 发明专利

TW201732011A 圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201732011A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104510
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： C09K3/00 , C08L33/06 , C08L33/16 , C08L25/18 , C08K5/05 , C08K5/06 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F1/40 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：光阻劑圖案修整組合物包括：可溶於0.26當量濃度氫氧化四甲基銨水溶液中之聚合物；及溶劑系統，其中所述溶劑系統包括以所述溶劑系統計組合量為50至98重量%的一種或多種單醚溶劑。所述組合物尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：光阻剂图案修整组合物包括：可溶于0.26当量浓度氢氧化四甲基铵水溶液中之聚合物；及溶剂系统，其中所述溶剂系统包括以所述溶剂系统计组合量为50至98重量%的一种或多种单醚溶剂。所述组合物尤其适用于制造半导体设备。

9. 发明专利

TW201841079A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201841079A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106146672
申请日：2017-12-31
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 侯希森 , HOU, XISEN , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/38
摘要：一種圖案形成方法，包括：（a）提供基板；（b）在基板上形成光致抗蝕劑圖案；（c）向光致抗蝕劑圖案施用圖案處理組成物，所述圖案處理組成物包括有包括第一有機溶劑及第二有機溶劑之溶劑混合物，其中第一有機溶劑之沸點超過第二有機溶劑之沸點，且其中第一有機溶劑之沸點為210℃或更高；以及（d）隨後加熱光致抗蝕劑圖案。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：一种图案形成方法，包括：（a）提供基板；（b）在基板上形成光致抗蚀剂图案；（c）向光致抗蚀剂图案施用图案处理组成物，所述图案处理组成物包括有包括第一有机溶剂及第二有机溶剂之溶剂混合物，其中第一有机溶剂之沸点超过第二有机溶剂之沸点，且其中第一有机溶剂之沸点为210℃或更高；以及（d）随后加热光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

10. 发明专利

TW201714874A 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法审中-公开
简体标题：热酸产生剂以及光阻剂图案修整组合物及方法
公开(公告)号：TW201714874A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133105
申请日：2016-10-13
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 劉聰 , LIU, CONG , 羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 波勒斯格哈德 , POHLERS, GERHARD , 李明琦 , LI, MINGQI
IPC分类号： C07C309/06 , C07C309/29 , C07D213/61 , C07D213/06 , C07D239/26 , C09K3/00 , C08L101/00 , C08K5/42 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C309/58 , C07C2603/74 , C07D213/61 , C07D239/26 , G03F7/405
摘要：提供離子性熱酸產生劑，其具有以下通式(I)：其中：Ar1表示視情況經取代之碳環或雜環芳族基團；W獨立地表示選自羧基、羥基、硝基、氰基、C1-5烷氧基及甲醯基之基團；X為陽離子；Y獨立地表示鍵聯基團；Z獨立地表示選自羥基、氟化醇、酯、視情況經取代之烷基、C5或更高碳的視情況經取代之單環、多環、稠合多環環脂族、或芳基之基團，其可視情況包括雜原子，其限制條件為Z的至少一次出現為羥基；a為0或更大之整數；b為1或更大之整數；其限制條件為a+b為至少1且不超過所述芳族基團的可用芳族碳原子之總數。此外提供光阻劑圖案修整組合物，以及使用所述修整組合物修整光阻劑圖案之方法。所述熱酸產生劑、組合物及方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：提供离子性热酸产生剂，其具有以下通式(I)：其中：Ar1表示视情况经取代之碳环或杂环芳族基团；W独立地表示选自羧基、羟基、硝基、氰基、C1-5烷氧基及甲酰基之基团；X为阳离子；Y独立地表示键联基团；Z独立地表示选自羟基、氟化醇、酯、视情况经取代之烷基、C5或更高碳的视情况经取代之单环、多环、稠合多环环脂族、或芳基之基团，其可视情况包括杂原子，其限制条件为Z的至少一次出现为羟基；a为0或更大之整数；b为1或更大之整数；其限制条件为a+b为至少1且不超过所述芳族基团的可用芳族碳原子之总数。此外提供光阻剂图案修整组合物，以及使用所述修整组合物修整光阻剂图案之方法。所述热酸产生剂、组合物及方法尤其适用于制造半导体设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式