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1. 发明专利

TWI568779B 光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻有权
简体标题：光酸产生剂及含该光酸产生剂之光阻
公开(公告)号：TWI568779B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW100111193
申请日：2011-03-31
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：阿葵德恩媚德 , AQAD, EMAD , 李銘啟 , LI, MINGQI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 劉琮 , LIU, CONG
IPC分类号： C08K5/42 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/07 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07D313/00 , C07D315/00 , C07D327/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397

2. 发明专利

TWI556290B 離子植入方法有权
简体标题：离子植入方法
公开(公告)号：TWI556290B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102149240
申请日：2013-12-31
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 吳承翰 , WU, CHENG HAN , 鄭東垣 , CHUNG, DONG WON , 山本芳裕 , YAMAMOTO, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/266 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/0273 , H01L21/31058

3. 发明专利

TWI539233B 包含醯胺成分之光阻劑有权
简体标题：包含酰胺成分之光阻剂
公开(公告)号：TWI539233B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102122487
申请日：2013-06-25
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：劉琮 , LIU, CONG , 吳昌毅 , WU, CHUNYI , 波樂斯葛哈德 , POHLERS, GERHARD , 波寇普茲古葛利P , PROKOPOWICZ, GREGORY P. , 李銘啓 , LI, MINGQI , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI
IPC分类号： G03F7/004 , C08K5/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041

4. 发明专利

TWI516863B 新穎樹脂及包括該樹脂之光阻組成物有权
简体标题：新颖树脂及包括该树脂之光阻组成物
公开(公告)号：TWI516863B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102123772
申请日：2010-05-19
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：劉琮 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , C08F220/18 , C08F220/28 , H01L21/027 , C07C69/54
CPC分类号： G03F7/0397

5. 发明专利

TWI500676B 光酸產生化合物及包括該化合物之光阻劑組成物、包括該光阻劑之經塗覆物件及製造物件之方法有权
简体标题：光酸产生化合物及包括该化合物之光阻剂组成物、包括该光阻剂之经涂覆对象及制造对象之方法
公开(公告)号：TWI500676B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102137086
申请日：2013-10-15
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：阿葵德恩媚德 , AQAD, EMAD , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 劉琮 , LIU, CONG , 李銘啓 , LI, MINGQI , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO
IPC分类号： C08K5/36 , G03F7/039 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/027
CPC分类号： C07C381/12 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325

6. 发明专利

TW201441768A 光阻圖案修整方法审中-公开
简体标题：光阻图案修整方法
公开(公告)号：TW201441768A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102148976
申请日：2013-12-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：波樂斯葛哈德 , POHLERS, GERHARD , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 羅威凱文 , ROWELL, KEVIN
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供光阻圖案修整方法。此等方法包括(a)提供半導體基板；(b)在基板上形成光阻圖案，其中光阻圖案係由包括：包括酸不安定基之基質聚合物；光酸產生劑和溶劑之化學放大光阻組成物所形成；(c)在基板之光阻圖案上塗佈光阻修整組成物，其中該修整組成物包含：基質聚合物，無氟之芳香族酸；和溶劑；(d)加熱經塗佈之基板，因而使光阻圖案之表面區域中之光阻基質聚合物的極性改變；以及(e)使光阻圖案與清洗劑接觸以移除光阻圖案的表面區域，由而形成經修整之光阻圖案。此等方法在半導體裝置製造上發現特別的應用性。
简体摘要：本发明系提供光阻图案修整方法。此等方法包括(a)提供半导体基板；(b)在基板上形成光阻图案，其中光阻图案系由包括：包括酸不安定基之基质聚合物；光酸产生剂和溶剂之化学放大光阻组成物所形成；(c)在基板之光阻图案上涂布光阻修整组成物，其中该修整组成物包含：基质聚合物，无氟之芳香族酸；和溶剂；(d)加热经涂布之基板，因而使光阻图案之表面区域中之光阻基质聚合物的极性改变；以及(e)使光阻图案与清洗剂接触以移除光阻图案的表面区域，由而形成经修整之光阻图案。此等方法在半导体设备制造上发现特别的应用性。

7. 发明专利

TW201440126A 離子佈植方法审中-公开
简体标题：离子布植方法
公开(公告)号：TW201440126A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102148977
申请日：2013-12-30
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 吳承翰 , WU, CHENG HAN , 鄭東垣 , CHUNG, DONG WON , 山本芳裕 , YAMAMOTO, YOSHIHIRO , 巴克雷喬治G , BARCLAY, GEORGE G. , 波樂斯葛哈德 , POHLERS, GERHARD
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/311 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/266 , G03F7/091 , G03F7/405 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/0273 , H01L21/31058
摘要：本案提供在半導體裝置中形成離子佈植區域之方法。該等方法包括：(a)提供具有欲離子佈植之複數個區域之半導體基板；(b)在半導體基板上形成光阻圖案，其中，該光阻圖案形成自包括具有酸不穩定基之基質聚合物、光酸產生劑以及溶劑之化學放大型光阻組成物；(c)在光阻圖案上塗佈去浮渣組成物，其中，該去浮渣組成物包括：基質聚合物；選自熱酸產生劑、光酸產生劑以及其組合之酸產生劑；以及溶劑；(d)將塗佈之半導體基板暴露於自去浮渣組成物中之酸產生劑產生酸之條件；(e)使塗佈之半導體基板接觸清洗劑，以移除殘留的去浮渣組成物和來自基板之浮渣；以及(f)使用光阻圖案作為佈植遮罩，而離子佈植半導體基板之複數個區域。該等方法在半導體裝置之製造中有特別應用性。
简体摘要：本案提供在半导体设备中形成离子布植区域之方法。该等方法包括：(a)提供具有欲离子布植之复数个区域之半导体基板；(b)在半导体基板上形成光阻图案，其中，该光阻图案形成自包括具有酸不稳定基之基质聚合物、光酸产生剂以及溶剂之化学放大型光阻组成物；(c)在光阻图案上涂布去浮渣组成物，其中，该去浮渣组成物包括：基质聚合物；选自热酸产生剂、光酸产生剂以及其组合之酸产生剂；以及溶剂；(d)将涂布之半导体基板暴露于自去浮渣组成物中之酸产生剂产生酸之条件；(e)使涂布之半导体基板接触清洗剂，以移除残留的去浮渣组成物和来自基板之浮渣；以及(f)使用光阻图案作为布植遮罩，而离子布植半导体基板之复数个区域。该等方法在半导体设备之制造中有特别应用性。

8. 发明专利

TW201426175A 光阻劑組成物审中-公开
简体标题：光阻剂组成物
公开(公告)号：TW201426175A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW103110845
申请日：2012-05-25
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：李銘啟 , LI, MINGQI , 阿葵德恩媚德 , AQAD, AMAD , 劉琮 , LIU, CONG , 陳慶德 , CHEN, CHING-LUNG , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 瑪緹亞喬瑟夫 , MATTIA, JOSEPH
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要：本發明之光阻劑組成物包括酸敏聚合物，及具有下式之環狀鋶化合物：(Ra)1-(Ar)-S+(-CH2-)m‧-O3S-(CRb2)n-(L)p-X 其中，每一個Ra係獨立為經取代或未經取代之C1-30烷基、C6-30芳基、C7-30芳烷基、或包括至少一個前述者之組合，Ar係單環、多環、或稠合多環之C6-30芳基，每一個Rb係獨立為H、F、直鏈或分支鏈之C1-10氟烷基或直鏈或分支鏈之含雜原子之C1-10氟烷基，L係C1-30連結基(視需要包含雜原子，雜原子包括O、S、N、F或包括至少一個前述雜原子之組合)，X係經取代或未經取代之C5或更多碳之單環、多環或稠合多環之環脂肪族基(視需要包含雜原子，雜原子包括O、S、N、F或包括至少一個前述者之組合)，及l係0至4之整數，m係3至20之整數，n係0至4之整數，及p係0至2之整數。
简体摘要：本发明之光阻剂组成物包括酸敏聚合物，及具有下式之环状锍化合物：(Ra)1-(Ar)-S+(-CH2-)m‧-O3S-(CRb2)n-(L)p-X 其中，每一个Ra系独立为经取代或未经取代之C1-30烷基、C6-30芳基、C7-30芳烷基、或包括至少一个前述者之组合，Ar系单环、多环、或稠合多环之C6-30芳基，每一个Rb系独立为H、F、直链或分支链之C1-10氟烷基或直链或分支链之含杂原子之C1-10氟烷基，L系C1-30链接基(视需要包含杂原子，杂原子包括O、S、N、F或包括至少一个前述杂原子之组合)，X系经取代或未经取代之C5或更多碳之单环、多环或稠合多环之环脂肪族基(视需要包含杂原子，杂原子包括O、S、N、F或包括至少一个前述者之组合)，及l系0至4之整数，m系3至20之整数，n系0至4之整数，及p系0至2之整数。

9. 发明专利

TWI407262B 浸潤式微影組成物及製程有权
简体标题：浸润式微影组成物及制程
公开(公告)号：TWI407262B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW097142597
申请日：2008-11-05
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：王大洋 , WANG, DEYAN , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 巴克雷喬治G , BARCLAY, GEORGE G.
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0757 , H01L21/0274

10. 发明专利

TW201319024A 光酸產生劑及包含光酸產生劑之光阻劑审中-公开
简体标题：光酸产生剂及包含光酸产生剂之光阻剂
公开(公告)号：TW201319024A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101135249
申请日：2012-09-26
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：阿葵德恩媚德 , AQAD, EMAD , 徐承柏 , XU, CHENG-BAI , 李銘啟 , LI, MINGQI , 山田信太郎 , YAMADA, SHINTARO , 威廉三世威廉 , WILLIAMS III, WILLIAM
IPC分类号： C07C381/12 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/30 , C07C309/65 , C07C311/09 , C07C2603/74 , C07D313/08 , C07D313/10 , C07D327/04 , C07D493/18 , C07D497/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：一種具有式(I)之光酸產生劑化合物：[A-(CHR1)p]k-(L)-(CH2)m-(C(R2)2)n-SO3-Z+ (I)其中，A為經取代或未經取代之單環、多環、或稠合多環C5或碳數更大之環脂肪族基團，其視需要地包括O、S、N、F或包括上述之至少一者之組合；R1為H、單鍵、或經取代或未經取代之C1-30烷基，其中當R1為單鍵時，R1係共價鍵結至A之碳原子；各R2獨立為H、F、或C1-4氟烷基，其中至少一個R2不為氫；L為連接基(linking group)，包括磺酸基、磺醯胺基、或C1-30含有磺酸基或磺醯胺之基團；Z為有機或無機陽離子；p為0至10之整數；k為1或2；m為0或更大之整數；以及n為1或更大之整數。復揭露該光酸產生劑之前驅化合物、包含該光酸產生劑之光阻劑組成物、以及以該光阻劑組成物塗佈之基板。
简体摘要：一种具有式(I)之光酸产生剂化合物：[A-(CHR1)p]k-(L)-(CH2)m-(C(R2)2)n-SO3-Z+ (I)其中，A为经取代或未经取代之单环、多环、或稠合多环C5或碳数更大之环脂肪族基团，其视需要地包括O、S、N、F或包括上述之至少一者之组合；R1为H、单键、或经取代或未经取代之C1-30烷基，其中当R1为单键时，R1系共价键结至A之碳原子；各R2独立为H、F、或C1-4氟烷基，其中至少一个R2不为氢；L为连接基(linking group)，包括磺酸基、磺酰胺基、或C1-30含有磺酸基或磺酰胺之基团；Z为有机或无机阳离子；p为0至10之整数；k为1或2；m为0或更大之整数；以及n为1或更大之整数。复揭露该光酸产生剂之前驱化合物、包含该光酸产生剂之光阻剂组成物、以及以该光阻剂组成物涂布之基板。

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