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1. 发明专利

TW201428764A 具串列及並列模式之記憶體系統與方法审中-公开
简体标题：具串行及并列模式之内存系统与方法
公开(公告)号：TW201428764A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW103111551
申请日：2007-12-11
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：派恩宏賓 , PYEON, HONG BEOM , 歐海金 , OH, HAKJUNE , 金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C11/4093
CPC分类号： G11C7/1045 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C7/1075 , G11C7/1078 , G11C2207/107
摘要：本發明所提供的方法與系統允許使用串列存取或是使用並列存取來實施存取一或多個記憶體庫的方法。於串列模式中，每一鏈路均係作為一獨立的串列鏈路。相反地，於串列模式中，該等鏈路則係共同作為一並列鏈路。其中對於串列模式針對每一鏈路獨立接收輸入與輸出控制，在並列模式期間所有的鏈路共同使用單一組輸入與輸出控制。
简体摘要：本发明所提供的方法与系统允许使用串行存取或是使用并列存取来实施存取一或多个内存库的方法。于串行模式中，每一链路均系作为一独立的串行链路。相反地，于串行模式中，该等链路则系共同作为一并列链路。其中对于串行模式针对每一链路独立接收输入与输出控制，在并列模式期间所有的链路共同使用单一组输入与输出控制。

2. 发明专利

TW201442039A 獨立連結與記憶庫選擇审中-公开
简体标题：独立链接与记忆库选择
公开(公告)号：TW201442039A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103125753
申请日：2007-12-21
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：派恩宏賓 , PYEON, HONG BEOM , 歐海金 , OH, HAKJUNE , 金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C8/12 , G11C11/408
CPC分类号： G06F13/4022 , G11C7/1048 , G11C7/18 , G11C11/408
摘要：本發明提供一種記憶體系統，其具有複數個記憶庫及複數個連結控制器。針對每一記憶庫，存在第一交換邏輯，其用於接收每一連結控制器之輸出，及用於僅將該等連結控制器中之一者的輸出傳送至該記憶庫。針對每一連結控制器，存在第二交換邏輯，其用於接收每一記憶庫之輸出，及用於僅將該等記憶庫中之一者的輸出傳送至該連結控制器。根據本發明之一實施例，存在一交換器控制器邏輯，其用於控制該第一交換邏輯及該第二交換邏輯兩者之操作，以防止多個連結控制器對同一記憶庫之同時或重疊之存取，且用於防止同一連結控制器對多個記憶庫之同時或重疊之存取。
简体摘要：本发明提供一种内存系统，其具有复数个记忆库及复数个链接控制器。针对每一记忆库，存在第一交换逻辑，其用于接收每一链接控制器之输出，及用于仅将该等链接控制器中之一者的输出发送至该记忆库。针对每一链接控制器，存在第二交换逻辑，其用于接收每一记忆库之输出，及用于仅将该等记忆库中之一者的输出发送至该链接控制器。根据本发明之一实施例，存在一交换器控制器逻辑，其用于控制该第一交换逻辑及该第二交换逻辑两者之操作，以防止多个链接控制器对同一记忆库之同时或重叠之存取，且用于防止同一链接控制器对多个记忆库之同时或重叠之存取。

3. 发明专利

TWI536394B 獨立連結與記憶庫選擇有权
简体标题：独立链接与记忆库选择
公开(公告)号：TWI536394B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103125753
申请日：2007-12-21
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：派恩宏賓 , PYEON, HONG BEOM , 歐海金 , OH, HAKJUNE , 金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C8/12 , G11C11/408
CPC分类号： G06F13/4022 , G11C7/1048 , G11C7/18 , G11C11/408

4. 发明专利

TWI437575B 具串列及並列模式之記憶體系統與方法有权
简体标题：具串行及并列模式之内存系统与方法
公开(公告)号：TWI437575B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW096147300
申请日：2007-12-11
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：宏賓派恩 , PYEON, HONG BEOM , 海金歐 , OH, HAKJUNE , 金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C11/4093
CPC分类号： G11C7/1045 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C7/1075 , G11C7/1078 , G11C2207/107

5. 发明专利

TWI387969B 具有多個外部電源供應器的非揮發性半導體記憶體有权
简体标题：具有多个外部电源供应器的非挥发性半导体内存
公开(公告)号：TWI387969B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW097102393
申请日：2008-01-22
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金京奇 , KIM, JIN-KI , 彼得吉林翰 , GILLINGHAM, PETER
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/26

6. 发明专利

TW201434047A 具分頁抹除之非揮發性半導體記憶體审中-公开
简体标题：具分页抹除之非挥发性半导体内存
公开(公告)号：TW201434047A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103119146
申请日：2007-03-20
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/14 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/04 , G11C7/20 , G11C8/08 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/344 , G11C16/3445
摘要：本發明揭示於一非揮發性記憶體中，可將少於一完整區塊者當作一或多個分頁來抹除。透過傳送電晶體施加一選擇電壓至複數條選定字線中的每一條且透過傳送電晶體施加一非選擇電壓至一選定區塊中的複數條非選定字線中的每一條。一基板電壓被施加至該選定區塊的基板。一共同選擇電壓可被施加至每一條選定字線，且該共同非選擇電壓可被施加至每一條非選定字線。選擇電壓與非選擇電壓可被施加至一選定區塊中的任何字線。一分頁抹除驗證作業可被套用至一具有複數個已抹除分頁與複數個未抹除分頁的區塊。
简体摘要：本发明揭示于一非挥发性内存中，可将少于一完整区块者当作一或多个分页来抹除。透过发送晶体管施加一选择电压至复数条选定字线中的每一条且透过发送晶体管施加一非选择电压至一选定区块中的复数条非选定字线中的每一条。一基板电压被施加至该选定区块的基板。一共同选择电压可被施加至每一条选定字线，且该共同非选择电压可被施加至每一条非选定字线。选择电压与非选择电压可被施加至一选定区块中的任何字线。一分页抹除验证作业可被套用至一具有复数个已抹除分页与复数个未抹除分页的区块。

7. 发明专利

TWI445006B 具分頁抹除之非揮發性半導體記憶體失效
简体标题：具分页抹除之非挥发性半导体内存
公开(公告)号：TWI445006B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW096109567
申请日：2007-03-20
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/04 , G11C7/20 , G11C8/08 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/344 , G11C16/3445

8. 发明专利

TWI453748B 快閃記憶體程式禁止方案失效
简体标题：闪存进程禁止方案
公开(公告)号：TWI453748B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW096145695
申请日：2007-11-30
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金鎮祺 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/22
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3418 , G11C16/3427

9. 发明专利

TWI449048B 多個獨立序列式連結記憶體有权
简体标题：多个独立串行式链接内存
公开(公告)号：TWI449048B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW095136449
申请日：2006-09-29
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金鎮祺 , KIM, JIN-KI , 潘弘柏 , PYEON, HONG BEOM
IPC分类号： G11C16/04 , G11C7/10
CPC分类号： G06F3/0611 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F13/4243 , G11C5/066 , G11C7/1021 , G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C8/10 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C2207/107 , G11C2216/30

10. 发明专利

TWI445001B 具完全獨立局部陣列再新功能之動態隨機存取記憶體有权
简体标题：具完全独立局部数组再新功能之动态随机存取内存
公开(公告)号：TWI445001B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW096112915
申请日：2007-04-12
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金鎮祺 , KIM, JIN-KI , 吳學俊 , OH, HAKJUNE
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C11/406 , G11C11/40607 , G11C11/40618 , G11C11/40622

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