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1. 发明专利

TW200849756A 雷射二極體晶片及其製造方法审中-公开
简体标题：激光二极管芯片及其制造方法
公开(公告)号：TW200849756A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097107490
申请日：2008-03-04
申请人：牛尾電機股份有限公司 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：今井勇次 IMAI, YUJI
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：本發明的課題是在於提供一種可取得大的發光强度及高發光效率,且可放出較廣的波長寬的光,因此可作為照明裝置的光源的構成材料適用之雷射二極體晶片及其製造方法。雷射二極體晶片是具有在基板上至少依序積層第1包覆層、活性層及第2包覆層,且第1包覆層、活性層及第2包覆層的各個構成材料為特定的組合所成的構成,分別在平行形成於第2包覆層的上面之複數的溝狀凹部內具備液體氧化膜所燒成的電流狹窄層,在藉由該等複數的電流狹窄層所劃成的發光單位區域的各個活性層內形成有發光點,該電流狹窄層的最大深度為5.0��m以下。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可取得大的发光强度及高发光效率,且可放出较广的波长宽的光,因此可作为照明设备的光源的构成材料适用之激光二极管芯片及其制造方法。激光二极管芯片是具有在基板上至少依序积层第1包覆层、活性层及第2包覆层,且第1包覆层、活性层及第2包覆层的各个构成材料为特定的组合所成的构成,分别在平行形成于第2包覆层的上面之复数的沟状凹部内具备液体氧化膜所烧成的电流狭窄层,在借由该等复数的电流狭窄层所划成的发光单位区域的各个活性层内形成有发光点,该电流狭窄层的最大深度为5.0��m以下。

2. 发明专利

TW200847388A 發光二極體(LED)元件及其製造方法失效
简体标题：发光二极管(LED)组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200847388A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097107333
申请日：2008-03-03
申请人：牛尾電機股份有限公司 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：今井勇次 IMAI, YUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/641 , H01L25/0753 , H01L2224/29144 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/0105
摘要：本發明的課題是在於提供一種具有良好的放熱性,且具有可在放熱構件上同時接合複數的LED晶片的構造之LED元件及其製造方法。亦即,本發明之LED元件,係LED晶片會被接合於放熱構件上而成的構成,其特徵為:該LED晶片會藉由形成於該放熱構件的上面之AuSn系合金層來接合,在該AuSn系合金層形成有延伸於與放熱構件的上面垂直的方向之柱狀結晶。又,本發明之LED元件的製造方法,係用以製造LED晶片會被接合於放熱構件上而成的構成之LED元件,其特徵係具有:在放熱構件的上面直接形成Sn膜之工程;在LED晶片的下面形成Au膜之工程;在形成於放熱構件的上面之Sn膜上,載置形成Au膜的LED晶片之工程;及在混合氣體流動的環境中加熱載置LED晶片的放熱構件,將LED晶片接合於放熱構件上之工程。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种具有良好的放热性,且具有可在放热构件上同时接合复数的LED芯片的构造之LED组件及其制造方法。亦即,本发明之LED组件,系LED芯片会被接合于放热构件上而成的构成,其特征为:该LED芯片会借由形成于该放热构件的上面之AuSn系合金层来接合,在该AuSn系合金层形成有延伸于与放热构件的上面垂直的方向之柱状结晶。又,本发明之LED组件的制造方法,系用以制造LED芯片会被接合于放热构件上而成的构成之LED组件,其特征系具有:在放热构件的上面直接形成Sn膜之工程;在LED芯片的下面形成Au膜之工程;在形成于放热构件的上面之Sn膜上,载置形成Au膜的LED芯片之工程;及在混合气体流动的环境中加热载置LED芯片的放热构件,将LED芯片接合于放热构件上之工程。

3. 发明专利

TW200849673A 發光二極體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管芯片之制造方法
公开(公告)号：TW200849673A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097108353
申请日：2008-03-10
申请人：牛尾電機股份有限公司 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：今井勇次 IMAI, YUJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2224/32225
摘要：本發明係提供一種在其工程上,可輕易且有效去除用在形成氮化物系半導體層的藍寶石基板的發光二極體晶片之製造方法。本發明之發光二極體晶片之製造方法係用以製造具有氮化物系半導體層之發光二極體晶片的方法,其特徵為具有:對於具有在藍寶石基板上形成有氮化物系緩衝層,且在該氮化物系緩衝層上形成有氮化物系半導體層而成之構造的發光二極體晶片構造體,藉由化學蝕刻將氮化物系緩衝層去除的化學蝕刻工程。
简体摘要：本发明系提供一种在其工程上,可轻易且有效去除用在形成氮化物系半导体层的蓝宝石基板的发光二极管芯片之制造方法。本发明之发光二极管芯片之制造方法系用以制造具有氮化物系半导体层之发光二极管芯片的方法,其特征为具有:对于具有在蓝宝石基板上形成有氮化物系缓冲层,且在该氮化物系缓冲层上形成有氮化物系半导体层而成之构造的发光二极管芯片构造体,借由化学蚀刻将氮化物系缓冲层去除的化学蚀刻工程。

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