专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI440216B 具有量子阱結構之光電半導體本體有权
简体标题：具有量子阱结构之光电半导体本体
公开(公告)号：TWI440216B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW099123097
申请日：2010-07-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 歐夫爵根 , OFF, JUERGEN , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS
IPC分类号： H01L33/06 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347

2. 发明专利

TWI449212B 半導體晶片有权
简体标题：半导体芯片
公开(公告)号：TWI449212B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW099146097
申请日：2010-12-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：彼得馬提亞 , PETER, MATTHIAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 歐夫爵根 , OFF, JUERGEN , 布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 赫特柯恩約阿欣 , HERTKORN, JOACHIM
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI483421B 具有積體式靜電放電保護的發出輻射之半導體晶片有权
简体标题：具有积体式静电放电保护的发出辐射之半导体芯片
公开(公告)号：TWI483421B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW101115037
申请日：2012-04-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅夫勒安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN , 布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/14 , H01L23/60
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32

4. 发明专利

TWI442600B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI442600B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099146210
申请日：2010-12-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：彼得馬修斯 , PETER, MATTHIAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 曼威瑟尼可勞斯 , GMEINWIESER, NIKOLAUS , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 盧加爾漢斯侏根 , LUGAUER, HANS-JUERGEN , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI524554B 光電半導體晶片及其製造方法有权
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：TWI524554B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103113254
申请日：2014-04-10
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅夫勒安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 包爾亞當 , BAUER, ADAM , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201501355A 光電半導體晶片及其製造方法审中-公开
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：TW201501355A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103113254
申请日：2014-04-10
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：羅夫勒安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 包爾亞當 , BAUER, ADAM , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電半導體晶片之製造方法包括：製備一基板；生長第一層；進行一種蝕刻過程以產生V-缺陷；生長第二層；以及生長一種量子膜結構。
简体摘要：一种光电半导体芯片之制造方法包括：制备一基板；生长第一层；进行一种蚀刻过程以产生V-缺陷；生长第二层；以及生长一种量子膜结构。

7. 发明专利

TWI443799B 光電半導體晶片及其製造方法有权
简体标题：光电半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：TWI443799B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW099146345
申请日：2010-12-28
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：布登迪契雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 瓦特亞歷山大 , WALTER, ALEXANDER , 彼得馬提亞 , PETER, MATTHIAS , 梅爾托拜西 , MEYER, TOBIAS , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 麥渥德赫伯特 , MAIWALD, HUBERT
IPC分类号： H01L23/60 , H01L33/22
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L31/02363 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI572055B 半導體層序列及操作光電半導體晶片之方法有权
简体标题：半导体层串行及操作光电半导体芯片之方法
公开(公告)号：TWI572055B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103114474
申请日：2014-04-22
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：梅爾圖比爾斯 , MEYER, TOBIAS , 歐夫朱根
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01S5/1096 , H01S5/3086 , H01S5/3408 , H01S5/34333 , H05B33/0803

9. 发明专利

TW201503408A 半導體層序列及操作光電半導體晶片之方法审中-公开
简体标题：半导体层串行及操作光电半导体芯片之方法
公开(公告)号：TW201503408A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103114474
申请日：2014-04-22
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：梅爾圖比爾斯 , MEYER, TOBIAS , 歐夫朱根
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01S5/1096 , H01S5/3086 , H01S5/3408 , H01S5/34333 , H05B33/0803
摘要：半導體層序列(2)包括n型傳導層(21)，p型傳導層(22)，以及位於其間的主動區(3)。該主動區(3)包括N個量子阱，其中N大於等於2。在第一工作點(W1)處，該等量子阱(33)在第一電流密度有第一發射波長，以及在第二工作點(W2)處，在第二電流密度有第二發射波長。該等第一發射波長中之至少兩個彼此不同，以及該等第二發射波長中之至少一些與該等第一發射波長不同。該第一電流密度小於該第二電流密度，以及該等電流密度彼此相差至少2倍。在第一工作點處，一特定第一量子阱的第一發射波長至少有一個大於另一第二量子阱之第一發射波長的另一個。在第二工作點處，此第一量子阱的第二發射波長小於或等於第二量子阱的第二發射波長，使得這些第一及第二量子阱的第一及第二發射波長向第二工作點的任何差值消失或改變正負號。
简体摘要：半导体层串行(2)包括n型传导层(21)，p型传导层(22)，以及位于其间的主动区(3)。该主动区(3)包括N个量子阱，其中N大于等于2。在第一工作点(W1)处，该等量子阱(33)在第一电流密度有第一发射波长，以及在第二工作点(W2)处，在第二电流密度有第二发射波长。该等第一发射波长中之至少两个彼此不同，以及该等第二发射波长中之至少一些与该等第一发射波长不同。该第一电流密度小于该第二电流密度，以及该等电流密度彼此相差至少2倍。在第一工作点处，一特定第一量子阱的第一发射波长至少有一个大于另一第二量子阱之第一发射波长的另一个。在第二工作点处，此第一量子阱的第二发射波长小于或等于第二量子阱的第二发射波长，使得这些第一及第二量子阱的第一及第二发射波长向第二工作点的任何差值消失或改变正负号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式