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1. 发明专利

TW347570B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW347570B
公开(公告)日：1998-12-11
申请号：TW086119636
申请日：1997-12-23
申请人：東芝股份有限公司
发明人：和田純一 , 坂田敦子 , 堅田富夫 , 臼井孝公 , 蓮沼正彥 , 柴田英毅 , 金子尚史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76867 , H01L21/2855 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76859 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76886 , H01L21/76889
摘要：本發明係半導體裝置之製造方法，係在具有配線層之Si基板上形成絕緣膜，並在絕緣膜中形成接續於配線層之接續孔及配線溝，並將接續孔之內部以Si膜充填，依序在全面上形成Al膜、Ti膜，再以熱處理將Si膜與Al膜置換，令Si膜吸收於Ti膜，將接續孔及配線溝之內部以Al膜充填，最後，將Si膜吸收於Ti膜所生成之Ti矽化物與過剩之Ti所構成之Ti-Ti矽化物膜除去，在接續孔及配線溝內分別形成Al接線及Al配線。
简体摘要：本发明系半导体设备之制造方法，系在具有配线层之Si基板上形成绝缘膜，并在绝缘膜中形成接续于配线层之接续孔及配线沟，并将接续孔之内部以Si膜充填，依序在全面上形成Al膜、Ti膜，再以热处理将Si膜与Al膜置换，令Si膜吸收于Ti膜，将接续孔及配线沟之内部以Al膜充填，最后，将Si膜吸收于Ti膜所生成之Ti硅化物与过剩之Ti所构成之Ti-Ti硅化物膜除去，在接续孔及配线沟内分别形成Al接线及Al配线。

3. 发明专利

TW581823B 無電解電鍍液及使用該無電解電鍍液之配線形成方法有权
简体标题：无电解电镀液及使用该无电解电镀液之配线形成方法
公开(公告)号：TW581823B
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW089127647
申请日：2000-12-22
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION , 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：井上裕章 HIROAKI INOUE , 三島浩二 , 中村憲二 KENJI NAKAMURA , 奧山修一 SHUICHI OKUYAMA , 松田哲朗 , 金子尚史
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/405 , C23C18/1605 , C23C18/1653 , H01L21/288
摘要：本發明提供一種可控制電鍍速度、對半導體特性影響小且對操作者無健康管理問題之無電解電鍍液以及使用該電鍍液之無電解電鍍步驟之銅配線形成方法。該無電解銅電鍍液之特徵為含有兩價銅離子、錯合劑、醛酸及有機鹼。該無電解銅電鍍液適用於由形成補助種晶層以補強設於半導體基板表面配線溝內之銅種晶層的步驟，及以包含上述補助種晶層之種晶層作為饋電層而進行電解電鍍之步驟而在上述半導體基板表面之配線溝內填板銅金屬者。
简体摘要：本发明提供一种可控制电镀速度、对半导体特性影响小且对操作者无健康管理问题之无电解电镀液以及使用该电镀液之无电解电镀步骤之铜配线形成方法。该无电解铜电镀液之特征为含有两价铜离子、错合剂、醛酸及有机碱。该无电解铜电镀液适用于由形成补助种晶层以补强设于半导体基板表面配线沟内之铜种晶层的步骤，及以包含上述补助种晶层之种晶层作为馈电层而进行电解电镀之步骤而在上述半导体基板表面之配线沟内填板铜金属者。

4. 发明专利

TW451266B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW451266B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089103038
申请日：2000-02-22
申请人：東芝股份有限公司
发明人：東和幸 , 松永範昭 , 豐田啓 , 田明廣 , 松田哲朗 , 金子尚史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76858 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係形成一種阻障性及均一性佳並可減少結線間容量及結線電阻之結線。
於絕緣膜l上選擇性地形成Si金屬層2作為蝕刻掩模，使用Si金屬層2選擇性地除去絕緣膜l而形成溝圖案4，於Si金屬層2直接殘存之溝圖案內形成Cu金屬層6，在Si金屬層2與Cu金屬層6上，藉氮氣中之熱處理，以Cu與蝕刻掩模形成Ti金屬層7作為一顯示相異共晶反應之阻障構件，以氮氣熱處理Ti金屬層7，俾選擇性地使Cu金屬層6上之 Ti金屬層7氮化，選擇性除去Si金屬層2上之Ti金屬層7而於Cu金屬層6上選擇性形成TiN膜9作為阻障層。
简体摘要：本发明系形成一种阻障性及均一性佳并可减少结线间容量及结线电阻之结线。于绝缘膜l上选择性地形成Si金属层2作为蚀刻掩模，使用Si金属层2选择性地除去绝缘膜l而形成沟图案4，于Si金属层2直接残存之沟图案内形成Cu金属层6，在Si金属层2与Cu金属层6上，藉氮气中之热处理，以Cu与蚀刻掩模形成Ti金属层7作为一显示相异共晶反应之阻障构件，以氮气热处理Ti金属层7，俾选择性地使Cu金属层6上之 Ti金属层7氮化，选择性除去Si金属层2上之Ti金属层7而于Cu金属层6上选择性形成TiN膜9作为阻障层。

5. 发明专利

TW444238B 形成薄膜之方法失效
公开(公告)号：TW444238B
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088113527
申请日：1999-08-07
申请人：東芝股份有限公司
发明人：松田哲朗 , 金子尚史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76858 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76868 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76886 , H01L2221/1089
摘要：一種半導體製造用形成薄膜之方法，包含:形成第l金屬膜之步驟，其係基板上之連續膜;形成第2金屬膜之步驟，其係在形成有前述第l金屬膜之基板上之不連續膜;及形成第3金屬膜之步驟，其係在形成有前述第l及第2金屬膜之基板上以電鍍法形成者。
简体摘要：一种半导体制造用形成薄膜之方法，包含:形成第l金属膜之步骤，其系基板上之连续膜;形成第2金属膜之步骤，其系在形成有前述第l金属膜之基板上之不连续膜;及形成第3金属膜之步骤，其系在形成有前述第l及第2金属膜之基板上以电镀法形成者。

6. 发明专利

TW548339B 鍍銅之方法及其裝置失效
简体标题：镀铜之方法及其设备
公开(公告)号：TW548339B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW089101140
申请日：2000-01-25
申请人：荏原製作所股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人：長井瑞樹 , 君塚亮一 , 松田哲朗 , 金子尚史 , 三島浩二
IPC分类号： C23C
摘要：本發明提供一種基板之鍍銅方法及其裝置，係藉由比較簡單的設備及過程，可防止基板面之金屬銅之局部析出，可使電鍍處理後所進行之化學機械研磨過程中之平坦化容易進行並且可精加工使基板的外觀成為如鏡面之光澤者。詳言之，
本發明係使基板與含有電鍍液中所含有之有機物及／或硫化合物一種以上之處理液12a、12b接觸之過程進行一次以上，其後使其與鍍液接觸並進行電鍍之基板之鍍銅方法。
简体摘要：本发明提供一种基板之镀铜方法及其设备，系借由比较简单的设备及过程，可防止基板面之金属铜之局部析出，可使电镀处理后所进行之化学机械研磨过程中之平坦化容易进行并且可精加工使基板的外观成为如镜面之光泽者。详言之，本发明系使基板与含有电镀液中所含有之有机物及／或硫化合物一种以上之处理液12a、12b接触之过程进行一次以上，其后使其与镀液接触并进行电镀之基板之镀铜方法。

7. 发明专利

TW490718B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW490718B
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：TW090101288
申请日：2001-01-19
申请人：東芝股份有限公司
发明人：豐田啓 , 松田哲朗 , 金子尚史 , 平林英明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76849 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法，包含有：在半導體基板上所形成之絕緣層上形成中間層的步驟；在上述絕緣層及中間層上形成溝的步驟；在上述中間層表面及溝之內面形成第一阻障層的步驟；在上述第一阻障層上沉積配線並埋設於上述溝內的步驟；對上述配線之表面進行平坦化處理，以在上述溝內埋設形成第一阻障層及配線的步驟；去除上述配線之表面部分而形成凹部，俾使上述配線之表面後退至比上述絕緣層之表面還下方之水平面為止的步驟；在上述中間層表面及凹部之內面形成第二阻障層的步驟；對上述第二阻障層之表面施予平坦化處理，以使上述中間層之表面露出的步驟；以及選擇性地去除上述中間層以使上述絕緣層之表面露出的步驟。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法，包含有：在半导体基板上所形成之绝缘层上形成中间层的步骤；在上述绝缘层及中间层上形成沟的步骤；在上述中间层表面及沟之内面形成第一阻障层的步骤；在上述第一阻障层上沉积配线并埋设于上述沟内的步骤；对上述配线之表面进行平坦化处理，以在上述沟内埋设形成第一阻障层及配线的步骤；去除上述配线之表面部分而形成凹部，俾使上述配线之表面后退至比上述绝缘层之表面还下方之水平面为止的步骤；在上述中间层表面及凹部之内面形成第二阻障层的步骤；对上述第二阻障层之表面施予平坦化处理，以使上述中间层之表面露出的步骤；以及选择性地去除上述中间层以使上述绝缘层之表面露出的步骤。

8. 发明专利

TW486761B 電解裝置及電解方法有权
简体标题：电解设备及电解方法
公开(公告)号：TW486761B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW090112260
申请日：2001-05-22
申请人：東芝股份有限公司 , 荏原製作所股份有限公司
发明人：松田哲朗 , 金子尚史 , 三島浩二 , 牧野夏木 , 國澤淳次
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C25D17/001 , Y10S204/07
摘要：本發明之電解裝置係於陽極與實質上與其呈面對面且平行對向設置的虛擬陰極之間，充滿電解質而供給電流，俾可抑制在對被處理基板電解停止期間之黑膜變質。尤其，對陽極之施加電流再進行被處理基板電解之前，可使於被處理基板之電解成膜特性在最大限度進行安定化，並抑制電力之消耗、陽極之溶解。本裝置係在黑膜之形成很顯著之鍍銅特別有效。
简体摘要：本发明之电解设备系于阳极与实质上与其呈面对面且平行对向设置的虚拟阴极之间，充满电解质而供给电流，俾可抑制在对被处理基板电解停止期间之黑膜变质。尤其，对阳极之施加电流再进行被处理基板电解之前，可使于被处理基板之电解成膜特性在最大限度进行安定化，并抑制电力之消耗、阳极之溶解。本设备系在黑膜之形成很显着之镀铜特别有效。

9. 发明专利

TW480580B 半導體基板處理裝置及處理方法失效
简体标题：半导体基板处理设备及处理方法
公开(公告)号：TW480580B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW089127901
申请日：2000-12-26
申请人：荏原製作所股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人：井上裕章 , 三島浩二 , 國澤淳次 , 木村憲雄 , 牧野夏木 , 村學 , 小田垣美津子 , 中村憲二 , 松本守治 , 松田哲朗 , 奧村勝彌 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早 伸夫
IPC分类号： H01L
摘要：本發明，係有關於藉由以金屬電鍍膜填充形成於半導體基板上之電路圖樣溝及/或孔，將殘留在該充填部份之該金屬電鍍膜去除形成電路配線之半導體基板處理裝置以及處理方法，包括將在表面形成有電路之半導體基板於乾燥狀態下搬出搬入之搬出搬入部，及於已搬入之該半導體基板上形成金屬電鍍膜之金屬電鍍膜成膜單元，及將上述半導體基板之外周部加以蝕刻之斜角蝕刻單元，及將該半導體基板上之該金屬電鍍膜之至少一部份加以研磨之研磨單元，及將上述半導體基板於上述單元間搬運之搬運機構。
简体摘要：本发明，系有关于借由以金属电镀膜填充形成于半导体基板上之电路图样沟及/或孔，将残留在该充填部份之该金属电镀膜去除形成电路配线之半导体基板处理设备以及处理方法，包括将在表面形成有电路之半导体基板于干燥状态下搬出搬入之搬出搬入部，及于已搬入之该半导体基板上形成金属电镀膜之金属电镀膜成膜单元，及将上述半导体基板之外周部加以蚀刻之斜角蚀刻单元，及将该半导体基板上之该金属电镀膜之至少一部份加以研磨之研磨单元，及将上述半导体基板于上述单元间搬运之搬运机构。

10. 发明专利

TW546821B 基板處理方法及基板處理裝置失效
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW546821B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090104701
申请日：2001-03-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：中村裕子 , 金子尚史 , 松田哲朗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6715 , B05C9/02 , B05D1/286
摘要：本發明係於板狀顯像液保持體上供給藥液而製成薄的藥液膜後，使藥液膜與被處理基板之被處理面相向。而後，傾斜被處理基板而使被處理基板與藥液膜接近，或，使被處理基板朝藥液膜側彎曲，而使藥液膜之一部份與被處理基板的一部分接觸。然後，以被處理基板的被處理面與藥液膜呈平行的方式，藉藥液膜與被處理面間之界面張力(interfacial tension)，以藥液膜的接觸面在被處理面全面擴展開來之方式，進行藥液供給。因於被處理基板上可均一地形成薄的藥液膜，故可以很少的消耗量進行藥液處理，而且，可以藥液供給於被處理基板上時不會捲入空氣的方式進行。
简体摘要：本发明系于板状显像液保持体上供给药液而制成薄的药液膜后，使药液膜与被处理基板之被处理面相向。而后，倾斜被处理基板而使被处理基板与药液膜接近，或，使被处理基板朝药液膜侧弯曲，而使药液膜之一部份与被处理基板的一部分接触。然后，以被处理基板的被处理面与药液膜呈平行的方式，藉药液膜与被处理面间之界面张力(interfacial tension)，以药液膜的接触面在被处理面全面扩展开来之方式，进行药液供给。因于被处理基板上可均一地形成薄的药液膜，故可以很少的消耗量进行药液处理，而且，可以药液供给于被处理基板上时不会卷入空气的方式进行。

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