专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201721746A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201721746A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124462
申请日：2016-08-02
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：利根川丘 , TONEGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/7802 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題是在於使半導體裝置的特性提升。其解決手段是以能夠具有：形成於配線(M1)上，具有開口部(OA1)的保護膜(PRO1)、及形成於開口部(OA1)內的電鍍膜(OPM1)之方式，構成半導體裝置。而且，在開口部(OA1)的側面設有縫隙(SL)，在此縫隙(SL)內也配置有電鍍膜(OPM1)。藉由如此在開口部(OA1)的側面設置縫隙(SL)，在其內部也使電鍍膜(OPM1)成長，在以後的電鍍膜的形成時，電鍍液的侵入路徑會變長。因此，不易在配線(焊墊領域(PD))(M1)產生腐蝕部。並且，即使產生腐蝕部，也因為縫隙(SL)的部分比配線(焊墊領域(PD))(M1)還先犠牲腐蝕，所以可抑制腐蝕部進展至配線(焊墊領域(PD))(M1)。
简体摘要：本发明的课题是在于使半导体设备的特性提升。其解决手段是以能够具有：形成于配线(M1)上，具有开口部(OA1)的保护膜(PRO1)、及形成于开口部(OA1)内的电镀膜(OPM1)之方式，构成半导体设备。而且，在开口部(OA1)的侧面设有缝隙(SL)，在此缝隙(SL)内也配置有电镀膜(OPM1)。借由如此在开口部(OA1)的侧面设置缝隙(SL)，在其内部也使电镀膜(OPM1)成长，在以后的电镀膜的形成时，电镀液的侵入路径会变长。因此，不易在配线(焊垫领域(PD))(M1)产生腐蚀部。并且，即使产生腐蚀部，也因为缝隙(SL)的部分比配线(焊垫领域(PD))(M1)还先犠牲腐蚀，所以可抑制腐蚀部进展至配线(焊垫领域(PD))(M1)。

6. 发明专利

TW201347060A 功率半導體裝置及其製造方法、以及接合線审中-公开
简体标题：功率半导体设备及其制造方法、以及接合线
公开(公告)号：TW201347060A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102106688
申请日：2013-02-26
申请人：日鐵住金微金屬股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 學校法人早稻田大學 , WASEDA UNIVERSITY
发明人：巽宏平 , TATSUMI, KOHEI , 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZOU
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05118 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05184 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/05684 , H01L2224/32245 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45611 , H01L2224/45618 , H01L2224/45624 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/45666 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/45672 , H01L2224/45684 , H01L2224/45686 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48472 , H01L2224/48818 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/48866 , H01L2224/48869 , H01L2224/48871 , H01L2224/48872 , H01L2224/48884 , H01L2224/73265 , H01L2224/78313 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/20103 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01202 , H01L2924/20107 , H01L2924/20106 , H01L2224/29099 , H01L2924/01023 , H01L2924/01074 , H01L2924/01049
摘要：本發明之課題為提供一種功率半導體裝置及其製造方法、以及接合線，在功率半導體裝置之電流容量的大容量化且高溫環境下使用時，即使產生熱應力也可以毫無問題的使用，並可降低線本身的發熱，且即使在高溫環境下也可以確保接合部的可靠性。一種功率半導體裝置，係藉由金屬線將功率半導體元件上的金屬電極(元件電極)與另一金屬電極(連接電極)兩者進行楔形連接者，其中金屬線為直徑大於50μm且2mm以下之Ag或Ag合金線，而元件電極為在表面上具有1層以上50Å厚以上之Ni、Cr、Cu、Pd、V、Ti、Pt、Zn、Ag、Au、W、Al之金屬層或該等之合金層。藉此，儘管是使用Ag線，仍可確保與電極之接合部的可靠性，且在大電流下使用時，可降低金屬線本身的發熱，並可改善在高溫下的耐熱性。
简体摘要：本发明之课题为提供一种功率半导体设备及其制造方法、以及接合线，在功率半导体设备之电流容量的大容量化且高温环境下使用时，即使产生热应力也可以毫无问题的使用，并可降低线本身的发热，且即使在高温环境下也可以确保接合部的可靠性。一种功率半导体设备，系借由金属线将功率半导体组件上的金属电极(组件电极)与另一金属电极(连接电极)两者进行楔形连接者，其中金属线为直径大于50μm且2mm以下之Ag或Ag合金线，而组件电极为在表面上具有1层以上50Å厚以上之Ni、Cr、Cu、Pd、V、Ti、Pt、Zn、Ag、Au、W、Al之金属层或该等之合金层。借此，尽管是使用Ag线，仍可确保与电极之接合部的可靠性，且在大电流下使用时，可降低金属线本身的发热，并可改善在高温下的耐热性。

7. 发明专利

TW201301459A 具有穿透基板互連之半導體構造，以及形成穿透基板互連之方法审中-公开
简体标题：具有穿透基板互连之半导体构造，以及形成穿透基板互连之方法
公开(公告)号：TW201301459A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101118066
申请日：2012-05-21
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：伍德亞倫G , WOOD, ALAN G. , 愛爾蘭菲利浦J , IRELAND, PHILIP J.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03845 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
摘要：一些實施例包含形成穿過半導體基板之互連之方法。一開口可經形成以部分延伸穿過一半導體基板且一互連之部分可形成於該開口之內。另一開口可經形成以自該基板之一第二側延伸至該互連之第一部分，且該互連之另一部分可形成於此開口之內。一些實施例包含半導體構造，其具有自該基板之一第一側部分延伸穿過一半導體基板之一穿透基板互連之一第一部分；且具有自該基板之一第二側延伸之該穿透基板互連之一第二部分且具有全部延伸至該互連之該第一部分之多個單獨導電指狀部。
简体摘要：一些实施例包含形成穿过半导体基板之互连之方法。一开口可经形成以部分延伸穿过一半导体基板且一互连之部分可形成于该开口之内。另一开口可经形成以自该基板之一第二侧延伸至该互连之第一部分，且该互连之另一部分可形成于此开口之内。一些实施例包含半导体构造，其具有自该基板之一第一侧部分延伸穿过一半导体基板之一穿透基板互连之一第一部分；且具有自该基板之一第二侧延伸之该穿透基板互连之一第二部分且具有全部延伸至该互连之该第一部分之多个单独导电指状部。

8. 发明专利

TWI320219B 連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE 有权
简体标题：连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE
公开(公告)号：TWI320219B
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW095126894
申请日：2006-07-24
申请人：米輯電子股份有限公司
发明人：林茂雄 , 羅心榮 , 周秋明 , 周健康
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/2885 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0231 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01004
摘要：本發明提供一種形成覆蓋有聚醯亞胺(polyimide，PI)之連續電鍍結構之方法，其係包括(a)提供一半導體基底；(b)在該半導體基底上形成一黏著/阻障層；(c)在該黏著/阻障層上形成複數金屬線路層(metal trace)；(d)在該些金屬線路層中選擇一目標區域做為接墊，並在該接墊上形成一金屬層；(e)去除未被覆蓋之該黏著/阻障層；以及(f)形成一聚醯亞胺在該半導體基底上，並暴露出該金屬層。 The present invention provides a method for forming a PI-capped double embossing structure. The method includes (a) providing an IC substrate; (b) forming a thin metal film over said IC substrate; (c) forming a plurality of metal traces on said thin metal film; (d) selecting a target metal trace from a plurality of said metal traces to form a metal structure on said target metal trace; (e) removing said thin metal film without covering; and (f) forming a (polyimide) PI cap. 【創作特點】本發明之主要目的，係在提供一種連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構，其係在保護層上具有一線圈線路層之半導體晶片，其中頂層線圈線路層可以承受高電壓高電流，且控制頂層線圈線路層之電流變化可以產生一感應電動勢以感應其它線圈。
本發明之另一目的，係在提供一種連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構，其係揭露數種在線圈上以連續電鍍方式形成對外的接點，比如形成接墊(pad)、凸塊(bump)等，此接墊及凸塊皆可透過打線或異方式導電膠電連接至外界電路上，使半導體元件的應用更具多元化連接方式。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金線路層，位在該保護層上，該金線路層具有一接墊；一鎳層，位在該接墊上；一銲料層，位在該鎳層上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一第一金屬層，位在該接墊上；一第一聚合物層，位在該保護層及該金屬線路層上，該第一聚合物層具有至少一開口曝露出該第一金屬層。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金線路層，位在該保護層上，該金線路層具有一第一接墊及一第二接墊；一鎳層，位在該第一接墊上；一銲料層，位在該鎳層上；一導線，位在第二接墊上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金線路層，位在該保護層上，該金線路層具有一接墊；一銅層，位在該接墊上；一銲料層，位在該銅層上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括：一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金線路層，位在該保護層上，該金線路層具有一第一接墊及一第二接墊；一銅層，位在該第一接墊上；一銲料層，位在該銅層上；一導線，位在該第二接墊上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括：一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一銅線路層，位在該保護層上，該銅線路層具有一接墊；一鎳層，位在該接墊上；一銲料層，位在該鎳層上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一銅線路層，位在該保護層上，該銅線路層具有一第一接墊及一第二接墊；一鎳層，位在該第一接墊上；一銲料層，位在該鎳層上；一金層，位在該第二接墊上；一導線，位在該金層上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一銅線路層，位在該保護層上，該銅線路層具有一接墊；一金層，位在該接墊上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一銅線路層，位在該保護層上，該銅線路層具有一第一接墊及一第二接墊；一第一金層，位在該第一接墊上，該第一金層之厚度係介於10微米至50微米之間；一第二金層，位在該第二接墊上，該第二金層之厚度係介於0.1微米至10微米之間。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括：一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一銅線路層，位在該保護層上，該銅線路層具有一接墊；一鎳層，位在該接墊上；一金層，位在該鎳層上，該金層之厚度係介於1微米至50微米之間。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金線路層，位在該保護層上，該金線路層具有一接墊；一金層，位在該接墊上；一導線，位在該金層上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一第一金屬層，位在該接墊上；一第一聚合物層，位在該保護層及該金屬線路層上，該第一聚合物層具有至少一開口曝露出該第一金屬層。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該第一線圈上；一線圈金屬層，位在該保護層上，該線圈金屬層具有一第一接墊及一第二接墊；一第一圖案化聚合物層，位在該線圈金屬層上，該第一圖案化聚合物層之開口曝露出該線圈金屬層之該第一接墊及該第二接墊；一凸塊，位在該線圈金屬層之該第一接墊；一導線，位在該線圈金屬層之該第二接墊。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一保護層，位在該半導體基底上；一第一圖案化線路層，位在該保護層上；一第一圖案化聚合物層，覆蓋在該第一圖案化線路層及該保護層上，該第一圖案化聚合物層之開口曝露出該第一圖案化線路層；一第一金屬層，位在該第一圖案化聚合物層之開口內；一第一線圈，位在該第一圖案化聚合物層上並電連接至該第一金屬層。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一第一金屬層，位在該接墊上；一第一聚合物層，位在該第一金屬層之側緣包覆該第一金屬層，其中位在該第一金屬層頂部之該第一聚合物層具有至少一開口曝露出該第一金屬層。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一金層，位在該接墊上；利用捲帶自動貼合(Tape Automated Bonding；TAB)使該金層接合在一軟性基板上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一金層，位在該接墊上；利用一異方性導電膠(ACF)使該金層接合在一軟性基板上。
為了本發明上述之目的，提出一種線路元件結構，包括一半導體基底；一細連線結構，位在該半導體基底上；一保護層，位在該細連線結構上；一金屬線路層，位在該保護層上，該金屬線路層具有一接墊；一金層，位在該接墊上；利用一異方性導電膠(ACF)使該金層接合在一玻璃基板上。
底下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
简体摘要：本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide，PI)之连续电镀结构之方法，其系包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metal trace)；(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖之该黏着/阻障层；以及(f)形成一聚酰亚胺在该半导体基底上，并暴露出该金属层。 The present invention provides a method for forming a PI-capped double embossing structure. The method includes (a) providing an IC substrate; (b) forming a thin metal film over said IC substrate; (c) forming a plurality of metal traces on said thin metal film; (d) selecting a target metal trace from a plurality of said metal traces to form a metal structure on said target metal trace; (e) removing said thin metal film without covering; and (f) forming a (polyimide) PI cap. 【创作特点】本发明之主要目的，系在提供一种连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构，其系在保护层上具有一线圈线路层之半导体芯片，其中顶层线圈线路层可以承受高电压高电流，且控制顶层线圈线路层之电流变化可以产生一感应电动势以感应其它线圈。本发明之另一目的，系在提供一种连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构，其系揭露数种在线圈上以连续电镀方式形成对外的接点，比如形成接垫(pad)、凸块(bump)等，此接垫及凸块皆可透过打线或异方式导电胶电连接至外界电路上，使半导体组件的应用更具多元化连接方式。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金线路层，位在该保护层上，该金线路层具有一接垫；一镍层，位在该接垫上；一焊料层，位在该镍层上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一第一金属层，位在该接垫上；一第一聚合物层，位在该保护层及该金属线路层上，该第一聚合物层具有至少一开口曝露出该第一金属层。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金线路层，位在该保护层上，该金线路层具有一第一接垫及一第二接垫；一镍层，位在该第一接垫上；一焊料层，位在该镍层上；一导线，位在第二接垫上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金线路层，位在该保护层上，该金线路层具有一接垫；一铜层，位在该接垫上；一焊料层，位在该铜层上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括：一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金线路层，位在该保护层上，该金线路层具有一第一接垫及一第二接垫；一铜层，位在该第一接垫上；一焊料层，位在该铜层上；一导线，位在该第二接垫上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括：一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一铜线路层，位在该保护层上，该铜线路层具有一接垫；一镍层，位在该接垫上；一焊料层，位在该镍层上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一铜线路层，位在该保护层上，该铜线路层具有一第一接垫及一第二接垫；一镍层，位在该第一接垫上；一焊料层，位在该镍层上；一金层，位在该第二接垫上；一导线，位在该金层上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一铜线路层，位在该保护层上，该铜线路层具有一接垫；一金层，位在该接垫上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一铜线路层，位在该保护层上，该铜线路层具有一第一接垫及一第二接垫；一第一金层，位在该第一接垫上，该第一金层之厚度系介于10微米至50微米之间；一第二金层，位在该第二接垫上，该第二金层之厚度系介于0.1微米至10微米之间。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括：一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一铜线路层，位在该保护层上，该铜线路层具有一接垫；一镍层，位在该接垫上；一金层，位在该镍层上，该金层之厚度系介于1微米至50微米之间。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金线路层，位在该保护层上，该金线路层具有一接垫；一金层，位在该接垫上；一导线，位在该金层上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一第一金属层，位在该接垫上；一第一聚合物层，位在该保护层及该金属线路层上，该第一聚合物层具有至少一开口曝露出该第一金属层。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该第一线圈上；一线圈金属层，位在该保护层上，该线圈金属层具有一第一接垫及一第二接垫；一第一图案化聚合物层，位在该线圈金属层上，该第一图案化聚合物层之开口曝露出该线圈金属层之该第一接垫及该第二接垫；一凸块，位在该线圈金属层之该第一接垫；一导线，位在该线圈金属层之该第二接垫。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一保护层，位在该半导体基底上；一第一图案化线路层，位在该保护层上；一第一图案化聚合物层，覆盖在该第一图案化线路层及该保护层上，该第一图案化聚合物层之开口曝露出该第一图案化线路层；一第一金属层，位在该第一图案化聚合物层之开口内；一第一线圈，位在该第一图案化聚合物层上并电连接至该第一金属层。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一第一金属层，位在该接垫上；一第一聚合物层，位在该第一金属层之侧缘包覆该第一金属层，其中位在该第一金属层顶部之该第一聚合物层具有至少一开口曝露出该第一金属层。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一金层，位在该接垫上；利用卷带自动贴合(Tape Automated Bonding；TAB)使该金层接合在一软性基板上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一金层，位在该接垫上；利用一异方性导电胶(ACF)使该金层接合在一软性基板上。为了本发明上述之目的，提出一种线路组件结构，包括一半导体基底；一细连接结构，位在该半导体基底上；一保护层，位在该细连接结构上；一金属线路层，位在该保护层上，该金属线路层具有一接垫；一金层，位在该接垫上；利用一异方性导电胶(ACF)使该金层接合在一玻璃基板上。底下借由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本发明之目的、技术内容、特点及其所达成之功效。

9. 发明专利

TW201003869A 銲線接合結構、銲線接合方法及半導體封裝構造的製造方法 WIRE BONDING STRUCTURE, METHOD FOR BONDING A WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR PACKAGE 审中-公开
简体标题：焊线接合结构、焊线接合方法及半导体封装构造的制造方法 WIRE BONDING STRUCTURE, METHOD FOR BONDING A WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR PACKAGE
公开(公告)号：TW201003869A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097142458
申请日：2008-11-04
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：張效銓 , 蔡宗岳 , 賴逸少 , 唐和明 , 陳建成 , 易維綺 , 洪常瀛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48847 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85201 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
摘要：一種銲線接合方法包含下列步驟：將一中間材料覆蓋一接墊，並固定於該接墊上；以及藉由一加熱裝置，將一銲線、該中間材料或兩者之間的介面加熱而熔融，藉此使該銲線接合於該中間材料。
简体摘要：一种焊线接合方法包含下列步骤：将一中间材料覆盖一接垫，并固定于该接垫上；以及借由一加热设备，将一焊线、该中间材料或两者之间的界面加热而熔融，借此使该焊线接合于该中间材料。

10. 发明专利

TWI278967B 半導體元件及其製作方法 COPPER INTERCONNECTION WITH CONDUCTIVE POLYMER LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
简体标题：半导体组件及其制作方法 COPPER INTERCONNECTION WITH CONDUCTIVE POLYMER LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI278967B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW094131292
申请日：2005-09-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：石健學 SHIH, CHIEN HSUEH , 蔡明興 TSAI, MING HSING , 蘇鴻文 SU, HUNG WEN , 眭曉林 SHUE, SHAU LIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L24/05 , H01L2224/05083 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05676 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48757 , H01L2224/48764 , H01L2224/48769 , H01L2224/48781 , H01L2224/48784 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48857 , H01L2224/48864 , H01L2224/48869 , H01L2224/48881 , H01L2224/48884 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00011
摘要：本發明係有關將導電性高分子夾置於兩金屬層間，可作為黏著層，阻障層或活化晶種層。該導電性高分子可包覆銅連線結構以避免銅擴散至其上層，以及增加銅與其上層之附著力。
简体摘要：本发明系有关将导电性高分子夹置于两金属层间，可作为黏着层，阻障层或活化晶种层。该导电性高分子可包覆铜连接结构以避免铜扩散至其上层，以及增加铜与其上层之附着力。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式