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1. 发明专利

TWI392977B 基板之處理方法及被塗佈於光阻膜表面之上層膜劑用之預濕溶劑有权
简体标题：基板之处理方法及被涂布于光阻膜表面之上层膜剂用之预湿溶剂
公开(公告)号：TWI392977B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW097105928
申请日：2008-02-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 井關智弘 , ISEKI, TOMOHIRO , 一野克憲 , ICHINO, KATSUNORI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI , 中川大樹 , NAKAGAWA, HIROKI
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/162

2. 发明专利

TW201617145A 基板洗淨方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201617145A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124751
申请日：2015-07-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：可以取得高微粒除去性能。與實施型態有關之基板洗淨方法包含成膜處理供給工程，和除去液供給工程。成膜處理液供給工程係將含有有機溶劑，和包含氟原子且可溶於上述有機溶劑之聚合物的成膜處理液供給至基板。除去液供給工程係對成膜處理液在基板上固化或硬化而形成的處理膜，供給除去處理膜的除去液。
简体摘要：可以取得高微粒除去性能。与实施型态有关之基板洗净方法包含成膜处理供给工程，和除去液供给工程。成膜处理液供给工程系将含有有机溶剂，和包含氟原子且可溶于上述有机溶剂之聚合物的成膜处理液供给至基板。除去液供给工程系对成膜处理液在基板上固化或硬化而形成的处理膜，供给除去处理膜的除去液。

3. 发明专利

TWI671139B 基板洗淨方法及記憶媒體有权
简体标题：基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI671139B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104124751
申请日：2015-07-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02

4. 发明专利

TWI691368B 基板洗淨處理系統、基板洗淨方法及記憶媒體有权
简体标题：基板洗净处理系统、基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI691368B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW104124750
申请日：2015-07-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02

5. 发明专利

TW201617144A 基板處理系統、基板洗淨方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理系统、基板洗净方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201617144A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124750
申请日：2015-07-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02
CPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：取得高微粒除去性能。與實施型態有關之基板處理系統具備保持部和除去液供給部。保持部係保持形成有處理膜之基板，該處理膜含有有機溶劑，和包含氟原子且可溶於有機溶劑的聚合物。除去液供給部係對基板上之處理膜供給除去處理膜之除去液。
简体摘要：取得高微粒除去性能。与实施型态有关之基板处理系统具备保持部和除去液供给部。保持部系保持形成有处理膜之基板，该处理膜含有有机溶剂，和包含氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。除去液供给部系对基板上之处理膜供给除去处理膜之除去液。

6. 发明专利

TW201513170A 阻劑圖型形成方法、基板之加工方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：阻剂图型形成方法、基板之加工方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201513170A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127606
申请日：2014-08-12
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：桂裕一郎 , KATSURA, YUICHIRO , 松本龍 , MATSUMOTO, RYU , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI , 矢田勇二 , YADA, YUJI , 中倉健 , NAKAKURA, KEN
IPC分类号： H01L21/027 , C08F12/24 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/162 , G03F7/20 , G03F7/26
摘要：本發明之課題為提供一種可提升阻劑性能，並且不降低生產性，可適用於既存的塗佈裝置，且可形成高膜厚的阻劑圖型之阻劑圖型形成方法。作為本發明之解決手段，本發明係提供一種阻劑圖型形成方法，其係具備下述步驟之阻劑圖型形成方法：藉由光阻組成物形成阻劑膜的步驟、使上述阻劑膜曝光的步驟、及使上述經曝光的阻劑膜顯像的步驟，其特徵為，上述光阻組成物，係含有聚合物、敏輻射線性酸產生體及溶劑，該聚合物係重量平均分子量為1,000以上且7,500以下，且具有包含藉由酸的作用會解離的酸解離性基之結構單元，上述光阻組成物的固體成分含量為20質量%以上且60質量%以下。作為上述光阻組成物於25℃時之黏度，較佳為50mPa‧s以上且150mPa‧s以下。
简体摘要：本发明之课题为提供一种可提升阻剂性能，并且不降低生产性，可适用于既存的涂布设备，且可形成高膜厚的阻剂图型之阻剂图型形成方法。作为本发明之解决手段，本发明系提供一种阻剂图型形成方法，其系具备下述步骤之阻剂图型形成方法：借由光阻组成物形成阻剂膜的步骤、使上述阻剂膜曝光的步骤、及使上述经曝光的阻剂膜显像的步骤，其特征为，上述光阻组成物，系含有聚合物、敏辐射线性酸产生体及溶剂，该聚合物系重量平均分子量为1,000以上且7,500以下，且具有包含借由酸的作用会解离的酸解离性基之结构单元，上述光阻组成物的固体成分含量为20质量%以上且60质量%以下。作为上述光阻组成物于25℃时之黏度，较佳为50mPa‧s以上且150mPa‧s以下。

7. 发明专利

TW201609889A 半導體基板洗淨用組成物审中-公开
简体标题：半导体基板洗净用组成物
公开(公告)号：TW201609889A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124383
申请日：2015-07-28
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：望田憲嗣 , MOCHIDA, KENJI , 島基之 , SHIMA, MOTOYUKI
IPC分类号： C08J5/18 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B7/0014 , C08F120/18 , C08F120/24 , C08F120/28 , C08F132/08 , C08K5/092 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D3/373 , C11D3/43 , C11D7/50 , C11D11/0058 , H01L21/02052
摘要：本發明提供一種半導體基板洗淨用組成物，其係在於半導體基板表面形成膜並去除基板表面之異物之製程中，可效率良好地去除基板表面之顆粒，且可自基板表面容易地去除所形成之膜。本發明係一種半導體基板洗淨用組成物，其含有溶劑與含氟原子、矽原子或該等之組合之聚合物。上述溶劑中之水之含量較好為20質量%以下。亦可進一步含有非聚合物之有機酸。上述有機酸較好為多元羧酸。上述聚合物之酸解離常數宜小於上述有機酸之酸解離常數。上述有機酸對於25℃之水之溶解度較好為5質量%以上。上述有機酸在25℃宜為固體。
简体摘要：本发明提供一种半导体基板洗净用组成物，其系在于半导体基板表面形成膜并去除基板表面之异物之制程中，可效率良好地去除基板表面之颗粒，且可自基板表面容易地去除所形成之膜。本发明系一种半导体基板洗净用组成物，其含有溶剂与含氟原子、硅原子或该等之组合之聚合物。上述溶剂中之水之含量较好为20质量%以下。亦可进一步含有非聚合物之有机酸。上述有机酸较好为多元羧酸。上述聚合物之酸解离常数宜小于上述有机酸之酸解离常数。上述有机酸对于25℃之水之溶解度较好为5质量%以上。上述有机酸在25℃宜为固体。

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