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1. 发明专利

TW201519288A 電漿摻雜製程用摻雜物及添加物之固態導入审中-公开
简体标题：等离子掺杂制程用掺杂物及添加物之固态导入
公开(公告)号：TW201519288A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103118697
申请日：2014-05-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 小林裕樹 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L22/26
摘要：本發明提供一種摻雜基板之非平坦表面或受到不良觀測因子所影響之表面的方法。製程腔室包含利用含氧材料製成的窗、壁、及底部，該製程腔室用以供應做為對於摻雜材料之添加物的氧自由基。在製程腔室內部設置一或更多石英件，其中靠近該製程腔室之磁鐵係用以在該製程腔室內部產生局部的磁控電漿。將包含惰性氣體、昇華之摻雜材料及可選地包含氧氣體之製程氣體流入製程腔室；對該製程氣體施加能量，產生用以曝射基板之部份表面的摻雜電漿，同時控制操作變數以達成摻雜物濃度之目標均勻度、目標片電阻、摻雜物簇聚之目標程度、及基板上之特徵部的目標侵蝕。
简体摘要：本发明提供一种掺杂基板之非平坦表面或受到不良观测因子所影响之表面的方法。制程腔室包含利用含氧材料制成的窗、壁、及底部，该制程腔室用以供应做为对于掺杂材料之添加物的氧自由基。在制程腔室内部设置一或更多石英件，其中靠近该制程腔室之磁铁系用以在该制程腔室内部产生局部的磁控等离子。将包含惰性气体、升华之掺杂材料及可选地包含氧气体之制程气体流入制程腔室；对该制程气体施加能量，产生用以曝射基板之部份表面的掺杂等离子，同时控制操作变量以达成掺杂物浓度之目标均匀度、目标片电阻、掺杂物簇聚之目标程度、及基板上之特征部的目标侵蚀。

2. 发明专利

TW201501172A 微波共振器電漿源中之電漿調整桿审中-公开
简体标题：微波共振器等离子源中之等离子调整杆
公开(公告)号：TW201501172A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103108751
申请日：2014-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32247 , H01J37/32256
摘要：一種共振器系統（100、200、300、400、1000、1100、1200、1300），設有一個以上共振腔，其建構成藉由在鄰近電漿的共振腔之中產生共振微波能量，將電磁（EM）能量在所欲的電磁波模態下耦合至電漿。該共振器系統可利用一個以上介面組件（165a、165b、265a、265b、365a、365b、465a、465b、1065）及隔離組件（164a-c、264a-c、364a-c、464a-d、1164a）連結至製程腔室（110、210、310、410、1010、1110、1210、1310），且各共振腔可具有與其連結的複數電漿調整桿（170a-c與175a-c、270a-c與275a-c、370a-c與375a-c、470a-d與475a-d、570a-d與575a-d、670a-d與675a-d、770a-d與775a-d、1070a與1075a、1170a與1175a）。該等電漿調整桿可建構成將EM能量自共振腔耦合至製程腔室之內的製程空間（115、215、315、415）。
简体摘要：一种共振器系统（100、200、300、400、1000、1100、1200、1300），设有一个以上共振腔，其建构成借由在邻近等离子的共振腔之中产生共振微波能量，将电磁（EM）能量在所欲的电磁波模态下耦合至等离子。该共振器系统可利用一个以上界面组件（165a、165b、265a、265b、365a、365b、465a、465b、1065）及隔离组件（164a-c、264a-c、364a-c、464a-d、1164a）链接至制程腔室（110、210、310、410、1010、1110、1210、1310），且各共振腔可具有与其链接的复数等离子调整杆（170a-c与175a-c、270a-c与275a-c、370a-c与375a-c、470a-d与475a-d、570a-d与575a-d、670a-d与675a-d、770a-d与775a-d、1070a与1075a、1170a与1175a）。该等等离子调整杆可建构成将EM能量自共振腔耦合至制程腔室之内的制程空间（115、215、315、415）。

3. 发明专利

TWI568317B 微波共振器處理系統中之電漿調整桿有权
简体标题：微波共振器处理系统中之等离子调整杆
公开(公告)号：TWI568317B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103108246
申请日：2014-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳立 , CHEN, LEE , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H05H1/34

4. 发明专利

TWI539484B 使用電漿處理用電漿調整桿之系統有权
简体标题：使用等离子处理用等离子调整杆之系统
公开(公告)号：TWI539484B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103108498
申请日：2014-03-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 陳立 , CHEN, LEE , 連恩巴頓 , LANE, BARTON , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 桑德拉拉珍瑞德哈 , SUNDARARAJAN, RADHA , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳智穎 , CHEN, ZHIYING
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/32256

5. 发明专利

TW201501573A 微波共振器處理系統中之電漿調整桿审中-公开
简体标题：微波共振器处理系统中之等离子调整杆
公开(公告)号：TW201501573A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103108246
申请日：2014-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳立 , CHEN, LEE , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT
IPC分类号： H05H1/34
摘要：一種電漿調整桿系統，設有一個以上微波腔，其建構成藉由在電漿之內和/或鄰近電漿處於一個以上電漿調整桿（170a-j與175a-j、270a-h與275a-h、370a-f與375a-f、470a-d與475a-d、570a-d與575a-d、670a-d與675a-d、770a-d與775a-d、911a-f、912a-f、1070a-h與1075a-h、1170與1175）產生共振微波能量，將電磁（EM）能量在所欲的電磁波模態下耦合至電漿。一個以上微波腔組件（168a、168b、268a、268b、368a、368b、468a、468b、968a-f、1168）可連結至製程腔室（110、210、310、410、910、1010、1110），且可包含一個以上調整空間/腔（169a、169b、269a、269b、369a、369b、469a、469b、1069a-d、1169）。各調整空間/腔可具有一個以上與其連結之電漿調整桿。該等電漿調整桿可建構成將EM能量自共振腔耦合至製程腔室內的製程空間（115、215、315、415、915、1015）且藉此在製程空間內產生均勻電漿。
简体摘要：一种等离子调整杆系统，设有一个以上微波腔，其建构成借由在等离子之内和/或邻近等离子处于一个以上等离子调整杆（170a-j与175a-j、270a-h与275a-h、370a-f与375a-f、470a-d与475a-d、570a-d与575a-d、670a-d与675a-d、770a-d与775a-d、911a-f、912a-f、1070a-h与1075a-h、1170与1175）产生共振微波能量，将电磁（EM）能量在所欲的电磁波模态下耦合至等离子。一个以上微波腔组件（168a、168b、268a、268b、368a、368b、468a、468b、968a-f、1168）可链接至制程腔室（110、210、310、410、910、1010、1110），且可包含一个以上调整空间/腔（169a、169b、269a、269b、369a、369b、469a、469b、1069a-d、1169）。各调整空间/腔可具有一个以上与其链接之等离子调整杆。该等等离子调整杆可建构成将EM能量自共振腔耦合至制程腔室内的制程空间（115、215、315、415、915、1015）且借此在制程空间内产生均匀等离子。

6. 发明专利

TWI443743B 在蝕刻處理前施行之遮罩層處理方法有权
简体标题：在蚀刻处理前施行之遮罩层处理方法
公开(公告)号：TWI443743B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102148013
申请日：2007-08-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 陳立 , CHEN, LEE , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 沢田郁夫 , SAWADA, IKUO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H05H1/46 , H05H5/00
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/40 , H01J37/32082 , H01J37/3233 , H01L21/0337 , H01L21/31144

7. 发明专利

TWI563534B 微波共振器電漿源中之電漿調整桿有权
简体标题：微波共振器等离子源中之等离子调整杆
公开(公告)号：TWI563534B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103108751
申请日：2014-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 陳立 , CHEN, LEE , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32247 , H01J37/32256

8. 发明专利

TW201505065A 使用電漿處理用電漿調整桿之方法及系統审中-公开
简体标题：使用等离子处理用等离子调整杆之方法及系统
公开(公告)号：TW201505065A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103108498
申请日：2014-03-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：趙建平 , ZHAO, JIANPING , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 陳立 , CHEN, LEE , 連恩巴頓 , LANE, BARTON , 方克梅瑞特 , FUNK, MERRITT , 桑德拉拉珍瑞德哈 , SUNDARARAJAN, RADHA , 岩尾俊彥 , IWAO, TOSHIHIKO , 陳智穎 , CHEN, ZHIYING
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/32256
摘要：一種微波處理系統用之電漿調整桿。該波導包含一具有第一外徑的第一介電質部分。一具有大於該第一外徑之第二外徑的第二介電質部分圍繞該第一介電質部分，且可為與其同軸。在本發明之一些實施例中，第一介電質部分的介電常數可等於或大於該第二介電質部分的介電常數。
简体摘要：一种微波处理系统用之等离子调整杆。该波导包含一具有第一外径的第一介电质部分。一具有大于该第一外径之第二外径的第二介电质部分围绕该第一介电质部分，且可为与其同轴。在本发明之一些实施例中，第一介电质部分的介电常数可等于或大于该第二介电质部分的介电常数。

9. 发明专利

TWI512793B 電漿摻雜製程用摻雜物及添加物之固態導入有权
简体标题：等离子掺杂制程用掺杂物及添加物之固态导入
公开(公告)号：TWI512793B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW103118697
申请日：2014-05-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 小林裕樹 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L22/26

10. 发明专利

TW201419411A 在蝕刻處理前施行之遮罩層處理方法审中-公开
简体标题：在蚀刻处理前施行之遮罩层处理方法
公开(公告)号：TW201419411A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102148013
申请日：2007-08-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 陳立 , CHEN, LEE , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 沢田郁夫 , SAWADA, IKUO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H05H1/46 , H05H5/00
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/40 , H01J37/32082 , H01J37/3233 , H01L21/0337 , H01L21/31144
摘要：一種在蝕刻底層薄膜之前預先處理遮罩層的方法。利用彈道電子束加強的電漿來蝕刻一薄膜(例如一介電膜)。為了要減少圖案定義的損失，例如線緣粗度效應，利用含氧電漿、含鹵素電漿、或是惰性氣體電漿、或是其中兩者或是更多的組合在蝕刻處理之前先處理遮罩層。
简体摘要：一种在蚀刻底层薄膜之前预先处理遮罩层的方法。利用弹道电子束加强的等离子来蚀刻一薄膜(例如一介电膜)。为了要减少图案定义的损失，例如线缘粗度效应，利用含氧等离子、含卤素等离子、或是惰性气体等离子、或是其中两者或是更多的组合在蚀刻处理之前先处理遮罩层。

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