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1. 发明专利

TWI502094B 化學氣相沉積之控制設備及方法有权
简体标题：化学气相沉积之控制设备及方法
公开(公告)号：TWI502094B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW100116156
申请日：2011-05-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：李艾瑞克M , LEE, ERIC M. , 法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 史傳艾瑞克J , STRANG, ERIC J.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/52 , B05D1/60 , B05D3/002 , C23C16/44 , C23C16/45565

2. 发明专利

TWI662996B 多孔材料之塗佈或填充方法有权
简体标题：多孔材料之涂布或填充方法
公开(公告)号：TWI662996B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105122004
申请日：2016-07-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 劉俊軍 , LIU, JUNJUN
IPC分类号： B05D3/00 , B05D3/06 , B05D3/14 , B05D7/24 , C09D7/40

3. 发明专利

TWI507349B 利用電場以控制圖案及結構形成之方法與裝置有权
简体标题：利用电场以控制图案及结构形成之方法与设备
公开(公告)号：TWI507349B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101128017
申请日：2012-08-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柏卡約瑟夫 , BRCKA, JOZEF , 法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 李艾瑞克M , LEE, ERIC M. , 岳亨利 , YUE, HENRY
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/50 , A61F2/00 , B03C5/005 , B03C5/026 , C12M3/00 , C12M21/08 , C12M33/00 , C23C16/04 , C23C16/48 , H01J37/32009 , H01J37/32697 , H01L21/02612 , H01L21/67011

4. 发明专利

TW201806020A 原子層蝕刻系統及方法审中-公开
简体标题：原子层蚀刻系统及方法
公开(公告)号：TW201806020A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117523
申请日：2017-05-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 赫德特瑞斯 , HURD, TRACE , 布朗意恩 , BROWN, IAN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/31122
摘要：一種製程設備包含：一製程室，具有一基板支撐件；一第一氣體輸送系統，用以將一第一源氣體輸送至該製程室內；一第二氣體輸送系統，用以將一第二源氣體輸送至該製程室內；一能量活化系統；及一製程電路。該製程電路係用以控制輸送該第一源氣體用的複數第一製程參數、控制輸送該第二源氣體用的複數第二製程參數、控制造成該第一源氣體和該第二源氣體與該製程室中之一或多個部件之一表面之一反應以在無電漿狀態下自該一或多個部件之該表面蝕刻一原子層用的複數製程室參數與複數能量活化系統參數、及控制自該製程室移除一或多種反應氣體用之複數真空系統參數。
简体摘要：一种制程设备包含：一制程室，具有一基板支撑件；一第一气体输送系统，用以将一第一源气体输送至该制程室内；一第二气体输送系统，用以将一第二源气体输送至该制程室内；一能量活化系统；及一制程电路。该制程电路系用以控制输送该第一源气体用的复数第一制程参数、控制输送该第二源气体用的复数第二制程参数、控制造成该第一源气体和该第二源气体与该制程室中之一或多个部件之一表面之一反应以在无等离子状态下自该一或多个部件之该表面蚀刻一原子层用的复数制程室参数与复数能量活化系统参数、及控制自该制程室移除一或多种反应气体用之复数真空系统参数。

5. 发明专利

TW201716149A 多孔材料之塗佈或填充方法审中-公开
简体标题：多孔材料之涂布或填充方法
公开(公告)号：TW201716149A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105122004
申请日：2016-07-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 劉俊軍 , LIU, JUNJUN
IPC分类号： B05D3/00 , B05D3/06 , B05D3/14 , B05D7/24 , C09D7/12
CPC分类号： C23C16/045 , B01D67/0088 , B05D1/60 , B05D3/046 , B05D3/067 , B05D3/108 , B05D3/147 , B05D7/22 , C23C16/48 , C23C16/50
摘要：本說明書提供多孔材料之塗佈或填充方法。依據實施例，該方法包含提供該多孔材料，藉由氣相暴露而將前驅物分子輸送至該多孔材料之孔洞中，且使該等前驅物分子反應以在該等孔洞內部形成聚合物。
简体摘要：本说明书提供多孔材料之涂布或填充方法。依据实施例，该方法包含提供该多孔材料，借由气相暴露而将前驱物分子输送至该多孔材料之孔洞中，且使该等前驱物分子反应以在该等孔洞内部形成聚合物。

6. 发明专利

TWI464805B 低介電常數介電質之整合方法有权
简体标题：低介电常数介电质之集成方法
公开(公告)号：TWI464805B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW100110870
申请日：2011-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：劉俊軍 , LIU, JUNJUN , 托馬多羅I , TOMA, DOREL I. , 岳紅宇 , YUE, HONGYU , 法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/67028 , B08B7/0042 , B08B7/005 , B08B7/0057 , H01L21/67115 , Y10S430/145

7. 发明专利

TW201313604A 利用電場以控制圖案及結構形成之方法與裝置审中-公开
简体标题：利用电场以控制图案及结构形成之方法与设备
公开(公告)号：TW201313604A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101128017
申请日：2012-08-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柏卡約瑟夫 , BRCKA, JOZEF , 法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 李艾瑞克M , LEE, ERIC M. , 岳亨利 , YUE, HENRY
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/50 , A61F2/00 , B03C5/005 , B03C5/026 , C12M3/00 , C12M21/08 , C12M33/00 , C23C16/04 , C23C16/48 , H01J37/32009 , H01J37/32697 , H01L21/02612 , H01L21/67011
摘要：一種處理方法與裝置，使用至少一個的電場施加器(34)，該電場施加器受到偏壓而產生空間時間電場，以在處理過程中影響處理介質(26)、懸浮奈米物件(28)或基板(30)，與該介質(26)或粒子的偶極特性交互作用而在該基板(30)上建立結構。該裝置可包含磁場、音場、光學力、或其他作用產生元件。該處理過程可影響基板(30)之上的選擇性局部層(localized layer)，或是控制在該等層中粒子的定向、控制介電泳動粒子或介質的運動、或造成在處理介質(26)之中不同特性的懸浮粒子沿著不同路徑行進。可執行將一層沉積或改質在基板(30)之上。此外可選擇處理介質(26)和電偏壓，以在基板(30)之上配置用於將基板(30)接合至一第二基板的至少一層，或將具受控定向之奈米碳管(CNT)沉積於基板之上。
简体摘要：一种处理方法与设备，使用至少一个的电场施加器(34)，该电场施加器受到偏压而产生空间时间电场，以在处理过程中影响处理介质(26)、悬浮奈米对象(28)或基板(30)，与该介质(26)或粒子的偶极特性交互作用而在该基板(30)上创建结构。该设备可包含磁场、音场、光学力、或其他作用产生组件。该处理过程可影响基板(30)之上的选择性局部层(localized layer)，或是控制在该等层中粒子的定向、控制介电泳动粒子或介质的运动、或造成在处理介质(26)之中不同特性的悬浮粒子沿着不同路径行进。可运行将一层沉积或改质在基板(30)之上。此外可选择处理介质(26)和电偏压，以在基板(30)之上配置用于将基板(30)接合至一第二基板的至少一层，或将具受控定向之奈米碳管(CNT)沉积于基板之上。

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