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1. 发明专利

TW200502421A 製造複合材料的方法 PROCESS FOR PREPARING A COMPOSITE MATERIAL 审中-公开
简体标题：制造复合材料的方法 PROCESS FOR PREPARING A COMPOSITE MATERIAL
公开(公告)号：TW200502421A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093113724
申请日：2004-05-14
申请人： DSM智慧財產有限公司 DSM IP ASSETS B. V.
发明人：薩哈傑羅米 JAHROMI, SHAHAB
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C08J7/065 , B05D1/60 , B05D3/044 , B05D3/0446 , B05D3/046 , B05D3/062 , B05D3/063 , B05D3/067 , B05D3/068 , B05D3/142 , B05D3/144 , B05D3/145 , B05D2201/02 , C23C14/022 , C23C14/12 , Y10T428/31504 , Y10T428/31605 , Y10T428/31667 , Y10T428/31678 , Y10T428/31938
摘要：本發明係關於製造複合材料的方法，該複合材料包含基材和該基材上的層，該方法包含氣相沈積步驟，其中在壓力低於1000Pa時，將含三化合物的複合物沈積在該基材上，藉以形成該層，其中在氣相沈積步驟期間該基材的溫度在–15℃與＋125℃之間。本發明進一步還關於可由所揭示的方法製得的複合材料。
简体摘要：本发明系关于制造复合材料的方法，该复合材料包含基材和该基材上的层，该方法包含气相沉积步骤，其中在压力低于1000Pa时，将含三化合物的复合物沉积在该基材上，借以形成该层，其中在气相沉积步骤期间该基材的温度在–15℃与＋125℃之间。本发明进一步还关于可由所揭示的方法制得的复合材料。

2. 发明专利

TWI595533B 用於控制使得自嵌段共聚物類和該等嵌段之一的（共）聚合物之摻合物的形態表徵化之期間的方法有权
简体标题：用于控制使得自嵌段共聚物类和该等嵌段之一的（共）聚合物之掺合物的形态表征化之期间的方法
公开(公告)号：TWI595533B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW103124911
申请日：2014-07-21
申请人：艾克瑪公司 , ARKEMA FRANCE
发明人：納法洛克里斯多福 , NAVARRO, CHRISTOPHE , 契法里爾澤維爾 , CHEVALIER, XAVIER , 尼可立席琳亞 , NICOLET, CELIA
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/208 , G03F1/38
CPC分类号： B05D3/046 , B05D3/0254 , B05D3/0493 , C08F2/001 , C08F297/026 , C09D153/00 , G03F1/68 , G03F7/00 , G03F7/0002 , C08L25/06

3. 发明专利

TW201114780A 用於固化組合物之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR CURING A COMPOSITION 审中-公开
简体标题：用于固化组合物之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR CURING A COMPOSITION
公开(公告)号：TW201114780A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099120941
申请日：2010-06-25
申请人：巴地斯顏料化工廠
发明人：克倫費爾大衛 , 古托斯基凱斯E , 坎貝爾唐納H
IPC分类号： C08F , C09D , B05D
CPC分类号： B05D3/107 , B05D3/046 , B05D3/0466 , B05D3/0486
摘要：本發明係關於一種用於固化組合物之系統，其包括具有入口、出口及氣體接收槽之隔間。該組合物包含有機硼烷錯合物及自由基可聚合化合物且被施加至基板。該系統包括延伸穿過該氣體接收槽之輸送機用於使該基板移動通過該氣體接收槽。氣體源與該氣體接收槽連通用於向該氣體接收槽引入替換氣體。該替換氣體比氧重以替換該氣體接收槽之氧。控制器與該氣體源連通用於控制該替換氣體至該氣體接收槽之引入。對替換氣體之引入進行控制，以便該輸送機使該基板移動通過該氣體接收槽時，在該替換氣體使該有機硼烷錯合物解錯合以使該自由基可聚合化合物聚合時控制氧表面抑制。
简体摘要：本发明系关于一种用于固化组合物之系统，其包括具有入口、出口及气体接收槽之隔间。该组合物包含有机硼烷错合物及自由基可聚合化合物且被施加至基板。该系统包括延伸穿过该气体接收槽之输送机用于使该基板移动通过该气体接收槽。气体源与该气体接收槽连通用于向该气体接收槽引入替换气体。该替换气体比氧重以替换该气体接收槽之氧。控制器与该气体源连通用于控制该替换气体至该气体接收槽之引入。对替换气体之引入进行控制，以便该输送机使该基板移动通过该气体接收槽时，在该替换气体使该有机硼烷错合物解错合以使该自由基可聚合化合物聚合时控制氧表面抑制。

4. 发明专利

TW201520247A 由嵌段共聚物組成物製備厚奈米結構化膜之方法审中-公开
简体标题：由嵌段共聚物组成物制备厚奈米结构化膜之方法
公开(公告)号：TW201520247A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103131002
申请日：2014-09-09
申请人：艾克瑪公司 , ARKEMA FRANCE , 科學研究國際中心 , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , 波爾多大學 , UNIVERSITE DE BORDEAUX , 波爾多理工學院 , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX
发明人：納法洛克里斯多福 , NAVARRO, CHRISTOPHE , 契法里爾澤維爾 , CHEVALIER, XAVIER , 尼可立席琳亞 , NICOLET, CELIA , 伊里歐普洛斯伊利亞斯 , ILIOPOULOS, ILIAS , 提倫拉路卡 , TIRON, RALUCA , 弗勒瑞紀堯姆 , FLEURY, GUILLAUME , 哈齊歐諾喬治斯 , HADZIIOANNOU, GEORGES
IPC分类号： C08J5/18 , C30B29/58 , B82Y40/00 , H01L21/027
CPC分类号： B05D3/046 , B05D1/005 , B05D3/0254 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J5/18 , C08J2353/00 , C08L53/00 , C08L2205/025 , C08L2205/03 , C09D153/00 , G03F1/50 , G03F1/68 , G03F7/0002
摘要：本發明關於一種由嵌段共聚物製備奈米結構化膜之方法，該嵌段共聚物展現介於1.1與2之間(含端值)的分散度，該膜的表面上沒有奈米結構化缺陷，以便使該經處理表面能夠被用作為微電子應用之光罩。
简体摘要：本发明关于一种由嵌段共聚物制备奈米结构化膜之方法，该嵌段共聚物展现介于1.1与2之间(含端值)的分散度，该膜的表面上没有奈米结构化缺陷，以便使该经处理表面能够被用作为微电子应用之光罩。

5. 发明专利

TWI362425B 製造複合材料的方法 PROCESS FOR PREPARING A COMPOSITE MATERIAL 有权
简体标题：制造复合材料的方法 PROCESS FOR PREPARING A COMPOSITE MATERIAL
公开(公告)号：TWI362425B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW093113724
申请日：2004-05-14
申请人： DSM智慧財產有限公司
发明人：薩哈傑羅米
IPC分类号： C23C , C08J , B32B
CPC分类号： C08J7/065 , B05D1/60 , B05D3/044 , B05D3/0446 , B05D3/046 , B05D3/062 , B05D3/063 , B05D3/067 , B05D3/068 , B05D3/142 , B05D3/144 , B05D3/145 , B05D2201/02 , C23C14/022 , C23C14/12 , Y10T428/31504 , Y10T428/31605 , Y10T428/31667 , Y10T428/31678 , Y10T428/31938
摘要：本發明係關於製造複合材料的方法，該複合材料包含基材和該基材上的層，該方法包含氣相沈積步驟，其中在壓力低於1000 Pa時，將含三嗪化合物的複合物沈積在該基材上，藉以形成該層，其中在氣相沈積步驟期間該基材的溫度在-15℃與+125℃之間。本發明進一步還關於可由所揭示的方法製得的複合材料。
简体摘要：本发明系关于制造复合材料的方法，该复合材料包含基材和该基材上的层，该方法包含气相沉积步骤，其中在压力低于1000 Pa时，将含三嗪化合物的复合物沉积在该基材上，借以形成该层，其中在气相沉积步骤期间该基材的温度在-15℃与+125℃之间。本发明进一步还关于可由所揭示的方法制得的复合材料。

6. 发明专利

TW483947B 毫微多孔性矽石之氣相沉積途徑失效
简体标题：毫微多孔性硅石之气相沉积途径
公开(公告)号：TW483947B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW088111526
申请日：1999-08-16
申请人：聯合標誌公司
发明人：道格拉斯M.史密司 , 泰瑞莎拉瑪絲 , 凱文H.羅德里克
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C18/1212 , B05D1/60 , B05D3/046 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02263 , H01L21/02337 , H01L21/02343 , H01L21/31695
摘要：一種藉由氣相沈積將矽石先質沈積於基材上以製造毫微多孔性矽石介電膜之方法。此方法包括氣化至少一種烷氧矽烷組合物；沈積該氣化烷氧矽烷組合物於基材上；令該被沈積組合物曝於水蒸汽、及一酸或鹼蒸氣中；乾燥該曝後之烷氧矽烷組合物，因此於該基材上製成具相當高多孔性、低介電常數之含矽聚合物組合物。
简体摘要：一种借由气相沉积将硅石先质沉积于基材上以制造毫微多孔性硅石介电膜之方法。此方法包括气化至少一种烷氧硅烷组合物；沉积该气化烷氧硅烷组合物于基材上；令该被沉积组合物曝于水蒸汽、及一酸或碱蒸气中；干燥该曝后之烷氧硅烷组合物，因此于该基材上制成具相当高多孔性、低介电常数之含硅聚合物组合物。

7. 发明专利

TW201716149A 多孔材料之塗佈或填充方法审中-公开
简体标题：多孔材料之涂布或填充方法
公开(公告)号：TW201716149A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105122004
申请日：2016-07-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：法各克賈克斯 , FAGUET, JACQUES , 劉俊軍 , LIU, JUNJUN
IPC分类号： B05D3/00 , B05D3/06 , B05D3/14 , B05D7/24 , C09D7/12
CPC分类号： C23C16/045 , B01D67/0088 , B05D1/60 , B05D3/046 , B05D3/067 , B05D3/108 , B05D3/147 , B05D7/22 , C23C16/48 , C23C16/50
摘要：本說明書提供多孔材料之塗佈或填充方法。依據實施例，該方法包含提供該多孔材料，藉由氣相暴露而將前驅物分子輸送至該多孔材料之孔洞中，且使該等前驅物分子反應以在該等孔洞內部形成聚合物。
简体摘要：本说明书提供多孔材料之涂布或填充方法。依据实施例，该方法包含提供该多孔材料，借由气相暴露而将前驱物分子输送至该多孔材料之孔洞中，且使该等前驱物分子反应以在该等孔洞内部形成聚合物。

8. 发明专利

TW201542726A 抗污性薄片以及其製造方法审中-公开
简体标题：抗污性薄片以及其制造方法
公开(公告)号：TW201542726A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104110050
申请日：2015-03-27
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：廣永麻貴 , HIRONAGA, MAKI , 小野義友 , ONO, YOSHITOMO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI
IPC分类号： C09D5/16 , C09D183/04 , C08J5/18
CPC分类号： C09D5/1675 , B05D3/046 , B05D3/108 , B05D5/00 , B05D5/08 , B05D7/52 , C09D5/16 , C09D5/1693 , C09D183/04
摘要：本發明為提供一種抗污性薄片，其係具有抗污層之抗污性薄片，且該抗污層是由抗污層形成用組成物所形成，該抗污層形成用組成物中包含特定4官能之矽烷系化合物(A)以及特定3官能之矽烷系化合物(B)，(B)成分之含量相對於(A)成分100莫耳%為8~90莫耳%，前述抗污層係將前述抗污層形成用組成物所形成之塗膜在氨環境下進行乾燥並硬化所形成之層。且，也提供該抗污性薄片之製造方法。該抗污性薄片具備面狀態以及硬化性良好的抗污層，水滴之滑落加速度大，且具有能夠使水滴瞬間滑落之優異撥水性的同時，層間密著性也較優異。
简体摘要：本发明为提供一种抗污性薄片，其系具有抗污层之抗污性薄片，且该抗污层是由抗污层形成用组成物所形成，该抗污层形成用组成物中包含特定4官能之硅烷系化合物(A)以及特定3官能之硅烷系化合物(B)，(B)成分之含量相对于(A)成分100莫耳%为8~90莫耳%，前述抗污层系将前述抗污层形成用组成物所形成之涂膜在氨环境下进行干燥并硬化所形成之层。且，也提供该抗污性薄片之制造方法。该抗污性薄片具备面状态以及硬化性良好的抗污层，水滴之滑落加速度大，且具有能够使水滴瞬间滑落之优异拨水性的同时，层间密着性也较优异。

9. 发明专利

TW201517117A 用於控制使得自嵌段共聚物類和該等嵌段之一的（共）聚合物之摻合物的形態表徵化之期間的方法审中-公开
简体标题：用于控制使得自嵌段共聚物类和该等嵌段之一的（共）聚合物之掺合物的形态表征化之期间的方法
公开(公告)号：TW201517117A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103124911
申请日：2014-07-21
申请人：艾克瑪公司 , ARKEMA FRANCE
发明人：納法洛克里斯多福 , NAVARRO, CHRISTOPHE , 契法里爾澤維爾 , CHEVALIER, XAVIER , 尼可立席琳亞 , NICOLET, CELIA
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/208 , G03F1/38
CPC分类号： B05D3/046 , B05D3/0254 , B05D3/0493 , C08F2/001 , C08F297/026 , C09D153/00 , G03F1/68 , G03F7/00 , G03F7/0002 , C08L25/06
摘要：本發明關於一種用於控制使得自嵌段共聚物類和該等嵌段之一的(共)聚合物之摻合物於表面上的形態表徵化之期間的方法，其運用進行該嵌段共聚物類和該等嵌段之一的(共)聚合物之摻合物的合成之特定方式。
简体摘要：本发明关于一种用于控制使得自嵌段共聚物类和该等嵌段之一的(共)聚合物之掺合物于表面上的形态表征化之期间的方法，其运用进行该嵌段共聚物类和该等嵌段之一的(共)聚合物之掺合物的合成之特定方式。

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