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1. 发明专利

TWI553759B 微波處理裝置及其控制方法有权
简体标题：微波处理设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI553759B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101132737
申请日：2012-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682

2. 发明专利

TWI552650B 微波照射裝置及微波照射方法有权
简体标题：微波照射设备及微波照射方法
公开(公告)号：TWI552650B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100132864
申请日：2011-09-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H05B6/68 , H05B6/80 , H01L21/268 , H01L21/67
CPC分类号： H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143

3. 发明专利

TWI493591B 自動整合裝置及電漿處理裝置有权
简体标题：自动集成设备及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI493591B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100106398
申请日：2011-02-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：芦田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , H03H7/40
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183

4. 发明专利

TW201324658A 微波處理裝置及被處理體的處理方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及被处理体的处理方法
公开(公告)号：TW201324658A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101135099
申请日：2012-09-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32302 , H01J37/32266
摘要：本發明的課題是在微波處理裝置中對被處理體進行均一的處理。微波處理裝置(1)，係具備：處理容器(2)，其係收容晶圓(W)；微波導入裝置(3)，其係具有生成用以處理晶圓(W)的微波之至少1個的磁控管(31)，將微波導入至處理容器(2)；及控制部(8)，其係控制微波導入裝置(3)。控制部(8)係於用以處理晶圓(W)的狀態繼續的期間，使微波的頻率變化。
简体摘要：本发明的课题是在微波处理设备中对被处理体进行均一的处理。微波处理设备(1)，系具备：处理容器(2)，其系收容晶圆(W)；微波导入设备(3)，其系具有生成用以处理晶圆(W)的微波之至少1个的磁控管(31)，将微波导入至处理容器(2)；及控制部(8)，其系控制微波导入设备(3)。控制部(8)系于用以处理晶圆(W)的状态继续的期间，使微波的频率变化。

5. 发明专利

TW201327619A 微波處理裝置及被處理體的處理方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及被处理体的处理方法
公开(公告)号：TW201327619A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101135098
申请日：2012-09-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32311
摘要：本發明的課題是在微波處理裝置中對於被處理體進行均一的處理。其解決手段是微波處理裝置(1)具備：收容晶圓(W)的處理容器(2)、微波導入裝置(3)及控制部(8)。微波導入裝置(3)是具有生成微波的複數個磁控管(31)，控制部(8)是在用以處理晶圓(W)的狀態繼續的期間，以使複數的磁控管(31)能夠分別按任意組合的複數的組合，且在各組合內同步而交替重複複數次生成微波的狀態及不生成微波的狀態之方式，控制複數的磁控管(31)。
简体摘要：本发明的课题是在微波处理设备中对于被处理体进行均一的处理。其解决手段是微波处理设备(1)具备：收容晶圆(W)的处理容器(2)、微波导入设备(3)及控制部(8)。微波导入设备(3)是具有生成微波的复数个磁控管(31)，控制部(8)是在用以处理晶圆(W)的状态继续的期间，以使复数的磁控管(31)能够分别按任意组合的复数的组合，且在各组合内同步而交替重复复数次生成微波的状态及不生成微波的状态之方式，控制复数的磁控管(31)。

6. 发明专利

TW201314821A 微波處理裝置及其控制方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及其控制方法
公开(公告)号：TW201314821A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101132737
申请日：2012-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682
摘要：本發明的課題是在於使複數的微波源與處理容器之間的阻抗整合的精度提升。微波處理裝置(1)具備：收容晶圓(W)的處理容器(2)，及生成用以處理晶圓(W)的微波而導入至處理容器(2)的微波導入裝置(3)，及控制微波導入裝置(3)的控制部(8)。微波導入裝置(3)是具有：生成微波的複數的磁控管(31)，及將在複數的磁控管(31)中所生成的微波傳送至處理容器(2)的複數的導波管(32)，且可將複數的微波同時導入至處理容器(2)。控制部(8)是在將複數的微波同時導入至處理容器(2)的第1狀態繼續的期間，選擇性且暫時性切換成，在複數的磁控管(31)的其中1個生成微波，只將此微波導入至處理容器(2)的第2狀態。
简体摘要：本发明的课题是在于使复数的微波源与处理容器之间的阻抗集成的精度提升。微波处理设备(1)具备：收容晶圆(W)的处理容器(2)，及生成用以处理晶圆(W)的微波而导入至处理容器(2)的微波导入设备(3)，及控制微波导入设备(3)的控制部(8)。微波导入设备(3)是具有：生成微波的复数的磁控管(31)，及将在复数的磁控管(31)中所生成的微波发送至处理容器(2)的复数的导波管(32)，且可将复数的微波同时导入至处理容器(2)。控制部(8)是在将复数的微波同时导入至处理容器(2)的第1状态继续的期间，选择性且暂时性切换成，在复数的磁控管(31)的其中1个生成微波，只将此微波导入至处理容器(2)的第2状态。

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