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1. 发明专利

TWI553759B 微波處理裝置及其控制方法有权
简体标题：微波处理设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI553759B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101132737
申请日：2012-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682

2. 发明专利

TWI552650B 微波照射裝置及微波照射方法有权
简体标题：微波照射设备及微波照射方法
公开(公告)号：TWI552650B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100132864
申请日：2011-09-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H05B6/68 , H05B6/80 , H01L21/268 , H01L21/67
CPC分类号： H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143

3. 发明专利

TW201324658A 微波處理裝置及被處理體的處理方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及被处理体的处理方法
公开(公告)号：TW201324658A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101135099
申请日：2012-09-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32302 , H01J37/32266
摘要：本發明的課題是在微波處理裝置中對被處理體進行均一的處理。微波處理裝置(1)，係具備：處理容器(2)，其係收容晶圓(W)；微波導入裝置(3)，其係具有生成用以處理晶圓(W)的微波之至少1個的磁控管(31)，將微波導入至處理容器(2)；及控制部(8)，其係控制微波導入裝置(3)。控制部(8)係於用以處理晶圓(W)的狀態繼續的期間，使微波的頻率變化。
简体摘要：本发明的课题是在微波处理设备中对被处理体进行均一的处理。微波处理设备(1)，系具备：处理容器(2)，其系收容晶圆(W)；微波导入设备(3)，其系具有生成用以处理晶圆(W)的微波之至少1个的磁控管(31)，将微波导入至处理容器(2)；及控制部(8)，其系控制微波导入设备(3)。控制部(8)系于用以处理晶圆(W)的状态继续的期间，使微波的频率变化。

4. 发明专利

TW201327619A 微波處理裝置及被處理體的處理方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及被处理体的处理方法
公开(公告)号：TW201327619A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101135098
申请日：2012-09-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32311
摘要：本發明的課題是在微波處理裝置中對於被處理體進行均一的處理。其解決手段是微波處理裝置(1)具備：收容晶圓(W)的處理容器(2)、微波導入裝置(3)及控制部(8)。微波導入裝置(3)是具有生成微波的複數個磁控管(31)，控制部(8)是在用以處理晶圓(W)的狀態繼續的期間，以使複數的磁控管(31)能夠分別按任意組合的複數的組合，且在各組合內同步而交替重複複數次生成微波的狀態及不生成微波的狀態之方式，控制複數的磁控管(31)。
简体摘要：本发明的课题是在微波处理设备中对于被处理体进行均一的处理。其解决手段是微波处理设备(1)具备：收容晶圆(W)的处理容器(2)、微波导入设备(3)及控制部(8)。微波导入设备(3)是具有生成微波的复数个磁控管(31)，控制部(8)是在用以处理晶圆(W)的状态继续的期间，以使复数的磁控管(31)能够分别按任意组合的复数的组合，且在各组合内同步而交替重复复数次生成微波的状态及不生成微波的状态之方式，控制复数的磁控管(31)。

5. 发明专利

TW201314821A 微波處理裝置及其控制方法审中-公开
简体标题：微波处理设备及其控制方法
公开(公告)号：TW201314821A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101132737
申请日：2012-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘆田光利 , ASHIDA, MITSUTOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682
摘要：本發明的課題是在於使複數的微波源與處理容器之間的阻抗整合的精度提升。微波處理裝置(1)具備：收容晶圓(W)的處理容器(2)，及生成用以處理晶圓(W)的微波而導入至處理容器(2)的微波導入裝置(3)，及控制微波導入裝置(3)的控制部(8)。微波導入裝置(3)是具有：生成微波的複數的磁控管(31)，及將在複數的磁控管(31)中所生成的微波傳送至處理容器(2)的複數的導波管(32)，且可將複數的微波同時導入至處理容器(2)。控制部(8)是在將複數的微波同時導入至處理容器(2)的第1狀態繼續的期間，選擇性且暫時性切換成，在複數的磁控管(31)的其中1個生成微波，只將此微波導入至處理容器(2)的第2狀態。
简体摘要：本发明的课题是在于使复数的微波源与处理容器之间的阻抗集成的精度提升。微波处理设备(1)具备：收容晶圆(W)的处理容器(2)，及生成用以处理晶圆(W)的微波而导入至处理容器(2)的微波导入设备(3)，及控制微波导入设备(3)的控制部(8)。微波导入设备(3)是具有：生成微波的复数的磁控管(31)，及将在复数的磁控管(31)中所生成的微波发送至处理容器(2)的复数的导波管(32)，且可将复数的微波同时导入至处理容器(2)。控制部(8)是在将复数的微波同时导入至处理容器(2)的第1状态继续的期间，选择性且暂时性切换成，在复数的磁控管(31)的其中1个生成微波，只将此微波导入至处理容器(2)的第2状态。

6. 发明专利

TW201251515A 微波照射裝置审中-公开
简体标题：微波照射设备
公开(公告)号：TW201251515A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101105730
申请日：2012-02-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：河西繁 , 山崎良二 , 蘆田光利 , 小佃雄治 , 田中澄
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
摘要：本發明係提供一種微波照射裝置,可一邊對被處理體照射微波、一邊個別獨立地進行被處理體之溫度控制。本發明之微波照射裝置,係對被處理體照射微波來進行處理;具備有:處理容器,係可進行真空排氣;支撐台,係支撐被處理體;處理氣體導入機構,係導入處理氣體;微波導入機構,係導入微波;加熱機構,係加熱被處理體;氣體冷卻機構,係將被處理體以冷卻氣體來冷卻;輻射溫度計,係測定被處理體之溫度;以及溫度控制部,係基於輻射溫度計之測定値來控制加熱機構與氣體冷卻機構,藉以調整被處理體之溫度。藉此,可一邊對被處理體照射微波、一邊個別獨立地進行被處理體之溫度控制。
简体摘要：本发明系提供一种微波照射设备,可一边对被处理体照射微波、一边个别独立地进行被处理体之温度控制。本发明之微波照射设备,系对被处理体照射微波来进行处理;具备有:处理容器,系可进行真空排气;支撑台,系支撑被处理体;处理气体导入机构,系导入处理气体;微波导入机构,系导入微波;加热机构,系加热被处理体;气体冷却机构,系将被处理体以冷却气体来冷却;辐射温度计,系测定被处理体之温度;以及温度控制部,系基于辐射温度计之测定値来控制加热机构与气体冷却机构,借以调整被处理体之温度。借此,可一边对被处理体照射微波、一边个别独立地进行被处理体之温度控制。

7. 发明专利

TW201233250A 微波照射裝置及微波照射方法审中-公开
简体标题：微波照射设备及微波照射方法
公开(公告)号：TW201233250A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100132864
申请日：2011-09-13
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：河西繁 , 蘆田光利
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143
摘要：本發明的課題是在於提供一種可利用複數的磁控管來減少反射電力而照射微波之微波照射裝置及微波照射方法。其解決手段係微波照射裝置(100)具備:腔室(1),其係收容被處理體;複數的磁控管(10a,10b),其係藉由被供給電壓來使微波產生,用以將該微波照射至上述腔室(1)內的被處理體;及電源部(20),其係對該等複數的磁控管(10a,10b)供給脈衝狀電壓,又,電源部(20)係以分別被供給至複數的磁控管(10a,10b)之脈衝狀電壓的電壓脈衝彼此間不會時間上重疊的方式供給電壓。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可利用复数的磁控管来减少反射电力而照射微波之微波照射设备及微波照射方法。其解决手段系微波照射设备(100)具备:腔室(1),其系收容被处理体;复数的磁控管(10a,10b),其系借由被供给电压来使微波产生,用以将该微波照射至上述腔室(1)内的被处理体;及电源部(20),其系对该等复数的磁控管(10a,10b)供给脉冲状电压,又,电源部(20)系以分别被供给至复数的磁控管(10a,10b)之脉冲状电压的电压脉冲彼此间不会时间上重叠的方式供给电压。

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