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    • 1. 发明专利
    • 塗布膜去除裝置、塗布膜去除方法及記錄媒體
    • 涂布膜去除设备、涂布膜去除方法及记录媒体
    • TW201840370A
    • 2018-11-16
    • TW107102282
    • 2018-01-23
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 橋本崇史HASIMOTO, TAKAFUMI田所真任TADOKORO, MASAHIDE永金拓NAGAKANE, TAKU高柳康治TAKAYANAGI, KOJI
    • B08B3/04B08B3/08G03F7/40H01L21/67H01L21/687
    • 本發明之目的為在藉由去除液將形成於基板亦即晶圓表面之塗佈膜的周緣部去除時,抑制塗佈膜端部產生隆起(hump)。 當要從去除液噴嘴將去除液噴出至藉由旋轉卡盤旋轉之晶圓W的周緣部,以去除塗佈膜的周緣部之不必要的膜時,在使晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下,使去除液的供應位置從周緣位置移動到比該周緣位置更內方側的切割位置。之後供應位置到達切割位置後,在1秒內使供應位置從切割位置移動到晶圓W的周緣側。晶圓W以2300rpm以上的高轉速旋轉,藉以對晶圓表面上去除液的液流作用較大的離心力,使去除液被推動到晶圓W的外側。藉此抑制去除液往塗佈膜端部滲透並抑制塗佈膜端部產生隆起。
    • 本发明之目的为在借由去除液将形成于基板亦即晶圆表面之涂布膜的周缘部去除时,抑制涂布膜端部产生隆起(hump)。 当要从去除液喷嘴将去除液喷出至借由旋转卡盘旋转之晶圆W的周缘部,以去除涂布膜的周缘部之不必要的膜时,在使晶圆W以2300rpm以上的第1转速旋转的状态下,使去除液的供应位置从周缘位置移动到比该周缘位置更内方侧的切割位置。之后供应位置到达切割位置后,在1秒内使供应位置从切割位置移动到晶圆W的周缘侧。晶圆W以2300rpm以上的高转速旋转,借以对晶圆表面上去除液的液流作用较大的离心力,使去除液被推动到晶圆W的外侧。借此抑制去除液往涂布膜端部渗透并抑制涂布膜端部产生隆起。
    • 10. 发明专利
    • 基板加熱裝置、基板加熱方法及記錄媒體
    • 基板加热设备、基板加热方法及记录媒体
    • TW201620010A
    • 2016-06-01
    • TW104125720
    • 2015-08-07
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 水田誠人MIZUTA, MASATO高柳康治TAKAYANAGI, KOJI
    • H01L21/027G03F7/30B05C9/14
    • H01L21/67103F27B17/0025H01L21/67017H01L21/68742
    • 本發明之課題係在具有:包含「處理基板之處理容器」的複數加熱模組;及與各加熱模組共通之排氣路,的基板加熱裝置中,高精度地控制各加熱模組之排氣量。 本發明之解決手段係構成裝置使其包含:多數加熱模組,其各自具有用以將沖洗用之氣體移入前述處理容器內之處理環境氣體的供氣口;及將處理環境氣體排出之排氣口;個別排氣路,其連接各自之排氣口;共通排氣路,其共通地連接各個別排氣路之下游端;分歧路,其分歧地設於各個別排氣路,且開口於處理容器之外部;及排氣量調整部,其用以調整:「由前述排氣口側排氣至前述共通排氣路之排氣量」與「由前述處理容器之外部透過前述分歧路移入前述共通排氣路之移入量」的流量比。藉此可抑制由各個別排氣路至共通排氣路之氣體流量的變動。
    • 本发明之课题系在具有:包含“处理基板之处理容器”的复数加热模块;及与各加热模块共通之排气路,的基板加热设备中,高精度地控制各加热模块之排气量。 本发明之解决手段系构成设备使其包含:多数加热模块,其各自具有用以将冲洗用之气体移入前述处理容器内之处理环境气体的供气口;及将处理环境气体排出之排气口;个别排气路,其连接各自之排气口;共通排气路,其共通地连接各个别排气路之下游端;分歧路,其分歧地设于各个别排气路,且开口于处理容器之外部;及排气量调整部,其用以调整:“由前述排气口侧排气至前述共通排气路之排气量”与“由前述处理容器之外部透过前述分歧路移入前述共通排气路之移入量”的流量比。借此可抑制由各个别排气路至共通排气路之气体流量的变动。