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1. 发明专利

TW201840370A 塗布膜去除裝置、塗布膜去除方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：涂布膜去除设备、涂布膜去除方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201840370A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107102282
申请日：2018-01-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 田所真任 , TADOKORO, MASAHIDE , 永金拓 , NAGAKANE, TAKU , 高柳康治 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： B08B3/04 , B08B3/08 , G03F7/40 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：本發明之目的為在藉由去除液將形成於基板亦即晶圓表面之塗佈膜的周緣部去除時，抑制塗佈膜端部產生隆起(hump)。當要從去除液噴嘴將去除液噴出至藉由旋轉卡盤旋轉之晶圓W的周緣部，以去除塗佈膜的周緣部之不必要的膜時，在使晶圓W以2300rpm以上的第1轉速旋轉的狀態下，使去除液的供應位置從周緣位置移動到比該周緣位置更內方側的切割位置。之後供應位置到達切割位置後，在1秒內使供應位置從切割位置移動到晶圓W的周緣側。晶圓W以2300rpm以上的高轉速旋轉，藉以對晶圓表面上去除液的液流作用較大的離心力，使去除液被推動到晶圓W的外側。藉此抑制去除液往塗佈膜端部滲透並抑制塗佈膜端部產生隆起。
简体摘要：本发明之目的为在借由去除液将形成于基板亦即晶圆表面之涂布膜的周缘部去除时，抑制涂布膜端部产生隆起(hump)。当要从去除液喷嘴将去除液喷出至借由旋转卡盘旋转之晶圆W的周缘部，以去除涂布膜的周缘部之不必要的膜时，在使晶圆W以2300rpm以上的第1转速旋转的状态下，使去除液的供应位置从周缘位置移动到比该周缘位置更内方侧的切割位置。之后供应位置到达切割位置后，在1秒内使供应位置从切割位置移动到晶圆W的周缘侧。晶圆W以2300rpm以上的高转速旋转，借以对晶圆表面上去除液的液流作用较大的离心力，使去除液被推动到晶圆W的外侧。借此抑制去除液往涂布膜端部渗透并抑制涂布膜端部产生隆起。

2. 发明专利

TWI603377B 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置有权
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TWI603377B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715

3. 发明专利

TWI624308B 液體處理方法、液體處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：液体处理方法、液体处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI624308B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW104141227
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI
IPC分类号： B05C5/02 , B05C11/10

4. 发明专利

TW201639635A 液體處理方法、液體處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：液体处理方法、液体处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201639635A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104141227
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI
IPC分类号： B05C5/02 , B05C11/10
CPC分类号： G03F7/16
摘要：本發明提供一種可提高處理液相對於基板之塗布狀態的均勻度的液體處理方法、液體處理裝置以及液體處理用記錄媒體。本發明之塗布單元U1具備：旋轉保持部20，其使晶圓W旋轉；噴嘴32，其將處理液R供給到晶圓W的表面Wa上；以及控制部60，其控制噴嘴32相對於晶圓W的位置。本發明之液體處理方法包含：使晶圓W以第一轉速ω1旋轉，同時在偏離晶圓W的旋轉中心CL1的位置對晶圓W的表面Wa開始供給處理液R，並使處理液R的供給位置往旋轉中心CL1側移動的步驟；以及在處理液R的供給位置到達旋轉中心CL1之後，以比第一轉速ω1更大的第二轉速ω2使晶圓W旋轉，藉此將處理液R擴散塗布到晶圓W的外周側之步驟。
简体摘要：本发明提供一种可提高处理液相对于基板之涂布状态的均匀度的液体处理方法、液体处理设备以及液体处理用记录媒体。本发明之涂布单元U1具备：旋转保持部20，其使晶圆W旋转；喷嘴32，其将处理液R供给到晶圆W的表面Wa上；以及控制部60，其控制喷嘴32相对于晶圆W的位置。本发明之液体处理方法包含：使晶圆W以第一转速ω1旋转，同时在偏离晶圆W的旋转中心CL1的位置对晶圆W的表面Wa开始供给处理液R，并使处理液R的供给位置往旋转中心CL1侧移动的步骤；以及在处理液R的供给位置到达旋转中心CL1之后，以比第一转速ω1更大的第二转速ω2使晶圆W旋转，借此将处理液R扩散涂布到晶圆W的外周侧之步骤。

5. 发明专利

TW201637076A 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置审中-公开
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TW201637076A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的為：在基板上塗布塗布液時，將塗布液的供給量抑制在較少的量，同時在基板面內均勻地塗布塗布液。為了達成上述目的，本發明提供一種在晶圓上塗布塗布液的方法，其特徵為：將塗布液的溶劑供給到晶圓上，在該晶圓的外周圍部位使溶劑的液膜形成為環狀，一邊令晶圓以第1旋轉速度旋轉，一邊將塗布液供給到晶圓的中心部位（時間t1 ～t2 ），令晶圓以比第1旋轉速度更快的第2旋轉速度旋轉，使塗布液在基板上擴散（時間t4 ～t5 ）。溶劑的供給，到塗布液與溶劑的液膜接觸之前持續地進行（時間t0 ～t3 ）。
简体摘要：本发明之目的为：在基板上涂布涂布液时，将涂布液的供给量抑制在较少的量，同时在基板面内均匀地涂布涂布液。为了达成上述目的，本发明提供一种在晶圆上涂布涂布液的方法，其特征为：将涂布液的溶剂供给到晶圆上，在该晶圆的外周围部位使溶剂的液膜形成为环状，一边令晶圆以第1旋转速度旋转，一边将涂布液供给到晶圆的中心部位（时间t1 ～t2 ），令晶圆以比第1旋转速度更快的第2旋转速度旋转，使涂布液在基板上扩散（时间t4 ～t5 ）。溶剂的供给，到涂布液与溶剂的液膜接触之前持续地进行（时间t0 ～t3 ）。

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