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1. 发明专利

TW201643961A 加熱處理裝置、加熱處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：加热处理设备、加热处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201643961A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104140176
申请日：2015-12-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水田誠人 , MIZUTA, MASATO , 川路辰也 , KAWAJI, TATSUYA , 中野圭悟 , NAKANO, KEIGO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/67 , H01L21/027 , H01L21/324
摘要：提供一種在加熱處理形成於晶圓的塗佈膜時，防止昇華物洩漏至處理容器的外部，並且針對塗佈膜之膜厚可獲得良好之面內均一性的技術。在將塗佈有SOC膜的晶圓(W)載置於處理容器(1)內，加熱晶圓(W)而進行交聯反應時，一邊從中央排氣口(34)以較少的排氣流量進行排氣並從外周排氣口(31)以較大的流量進行排氣，一邊進行交聯反應。又，在其他例子中，係從晶圓(W)的加熱開始僅進行外周排氣口(31)的排氣，在從晶圓W之加熱開始經過20秒後，除了來自外周排氣口(31)的排氣，更從中央排氣口(34)進行排氣。而且，在其他例子中，從晶圓(W)的加熱開始經過(20)秒後，係僅從外周排氣口(31)進行排氣，其後，停止外周排氣口(31)的排氣，並且從中央排氣口(34)進行排氣。
简体摘要：提供一种在加热处理形成于晶圆的涂布膜时，防止升华物泄漏至处理容器的外部，并且针对涂布膜之膜厚可获得良好之面内均一性的技术。在将涂布有SOC膜的晶圆(W)载置于处理容器(1)内，加热晶圆(W)而进行交联反应时，一边从中央排气口(34)以较少的排气流量进行排气并从外周排气口(31)以较大的流量进行排气，一边进行交联反应。又，在其他例子中，系从晶圆(W)的加热开始仅进行外周排气口(31)的排气，在从晶圆W之加热开始经过20秒后，除了来自外周排气口(31)的排气，更从中央排气口(34)进行排气。而且，在其他例子中，从晶圆(W)的加热开始经过(20)秒后，系仅从外周排气口(31)进行排气，其后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)进行排气。

2. 发明专利

TWI645449B 基板加熱裝置、基板加熱方法及記錄媒體有权
简体标题：基板加热设备、基板加热方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI645449B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW104125720
申请日：2015-08-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水田誠人 , MIZUTA, MASATO , 高柳康治 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30 , B05C9/14

3. 发明专利

TW201620010A 基板加熱裝置、基板加熱方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板加热设备、基板加热方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201620010A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104125720
申请日：2015-08-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：水田誠人 , MIZUTA, MASATO , 高柳康治 , TAKAYANAGI, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30 , B05C9/14
CPC分类号： H01L21/67103 , F27B17/0025 , H01L21/67017 , H01L21/68742
摘要：本發明之課題係在具有：包含「處理基板之處理容器」的複數加熱模組；及與各加熱模組共通之排氣路，的基板加熱裝置中，高精度地控制各加熱模組之排氣量。本發明之解決手段係構成裝置使其包含：多數加熱模組，其各自具有用以將沖洗用之氣體移入前述處理容器內之處理環境氣體的供氣口；及將處理環境氣體排出之排氣口；個別排氣路，其連接各自之排氣口；共通排氣路，其共通地連接各個別排氣路之下游端；分歧路，其分歧地設於各個別排氣路，且開口於處理容器之外部；及排氣量調整部，其用以調整：「由前述排氣口側排氣至前述共通排氣路之排氣量」與「由前述處理容器之外部透過前述分歧路移入前述共通排氣路之移入量」的流量比。藉此可抑制由各個別排氣路至共通排氣路之氣體流量的變動。
简体摘要：本发明之课题系在具有：包含“处理基板之处理容器”的复数加热模块；及与各加热模块共通之排气路，的基板加热设备中，高精度地控制各加热模块之排气量。本发明之解决手段系构成设备使其包含：多数加热模块，其各自具有用以将冲洗用之气体移入前述处理容器内之处理环境气体的供气口；及将处理环境气体排出之排气口；个别排气路，其连接各自之排气口；共通排气路，其共通地连接各个别排气路之下游端；分歧路，其分歧地设于各个别排气路，且开口于处理容器之外部；及排气量调整部，其用以调整：“由前述排气口侧排气至前述共通排气路之排气量”与“由前述处理容器之外部透过前述分歧路移入前述共通排气路之移入量”的流量比。借此可抑制由各个别排气路至共通排气路之气体流量的变动。

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