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1. 发明专利

TW201922064A 排氣板及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：排气板及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201922064A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107120698
申请日：2018-06-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 阿部淳 , ABE, JUN
IPC分类号： H05H1/42
摘要：本發明之課題係提供可確保傳導並且可提高電漿之封入效果的排氣板。一實施形態之排氣板設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體，該排氣板並包含有多孔性金屬片。
简体摘要：本发明之课题系提供可确保传导并且可提高等离子之封入效果的排气板。一实施形态之排气板设于等离子处理设备之处理容器的侧壁与设在该处理容器内的载置台之间而分隔处理空间与排气空间，该处理空间藉已等离子化之气体进行处理，该排气空间与该处理空间相邻而用以排放因该处理而产生之气体，该排气板并包含有多孔性金属片。

2. 发明专利

TWI523582B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI523582B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW099109661
申请日：2010-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大瀨剛 , OHSE, TAKESHI , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 阿部淳 , ABE, JUN , 山田紀和 , YAMADA, NORIKAZU
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165

3. 发明专利

TWI402909B 基板電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：基板等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI402909B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW098103149
申请日：2009-01-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇井明生 , UI, AKIO , 玉置直樹 , TAMAOKI, NAOKI , 市川尚志 , ICHIKAWA, TAKASHI , 林久貴 , HAYASHI, HISATAKA , 上夏井健 , KAMINATSUI, TAKESHI , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 山田紀和 , YAMADA, NORIKAZU , 大瀨剛 , OHSE, TAKESHI , 阿部淳 , ABE, JUN
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091

4. 发明专利

TWI505752B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI505752B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW098132074
申请日：2009-09-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇井明生 , UI, AKIO , 林久貴 , HAYASHI, HISATAKA , 上夏井健 , KAMINATSUI, TAKESHI , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 山田紀和 , YAMADA, NORIKAZU , 大瀨剛 , OHSE, TAKESHI , 阿部淳 , ABE, JUN
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26

5. 发明专利

TWI490942B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI490942B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099131368
申请日：2010-09-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：飯塚八城 , IIZUKA, HACHISHIRO , 望月祐希 , MOCHIZUKI, YUKI , 阿部淳 , ABE, JUN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32834 , H01J37/32091

6. 发明专利

TWI460786B 電漿處理裝置，電漿處理方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备，等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI460786B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW097131282
申请日：2008-08-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 今井範章 , IMAI, NORIAKI , 大瀨剛 , OHSE, TAKESHI , 阿部淳 , ABE, JUN , 勝沼隆幸 , KATSUNUMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165

7. 发明专利

TW201334019A 上部電極、電漿處理裝置及電場強度分布之控制方法审中-公开
简体标题：上部电极、等离子处理设备及电场强度分布之控制方法
公开(公告)号：TW201334019A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101135632
申请日：2012-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松山昇一郎 , MATSUYAMA, SHOICHIRO , 阿部淳 , ABE, JUN , 遠藤彰昭 , ENDOU, AKIRA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01L21/31116
摘要：本發明旨在提供一種上部電極、電漿處理裝置及電場強度分布之控制方法，其中該平行平板型電漿處理裝置用上部電極包含：基材，由所希望之介電質所形成；導電體層，在基材表面中，至少與電漿處理裝置下部電極對向之一側的表面一部分以既定圖案形成；及補助導電體層，在基材中與形成導電體層之一側相同之表面以既定圖案形成，與導電體層電性獨立；且藉由對開關進行斷開導通操作，操作導電體層與補助導電體層之連接狀態。
简体摘要：本发明旨在提供一种上部电极、等离子处理设备及电场强度分布之控制方法，其中该平行平板型等离子处理设备用上部电极包含：基材，由所希望之介电质所形成；导电体层，在基材表面中，至少与等离子处理设备下部电极对向之一侧的表面一部分以既定图案形成；及补助导电体层，在基材中与形成导电体层之一侧相同之表面以既定图案形成，与导电体层电性独立；且借由对开关进行断开导通操作，操作导电体层与补助导电体层之连接状态。

8. 发明专利

TWI447364B 溫度測定裝置及溫度測定方法有权
简体标题：温度测定设备及温度测定方法
公开(公告)号：TWI447364B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098107561
申请日：2009-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：阿部淳 , ABE, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： G01K11/32
CPC分类号： G01K11/00 , G01K11/125

9. 发明专利

TW200944767A 溫度測定裝置及溫度測定方法审中-公开
简体标题：温度测定设备及温度测定方法
公开(公告)号：TW200944767A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW098107561
申请日：2009-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：阿部淳 , 松土龍夫 , 輿水地鹽
IPC分类号： G01K
CPC分类号： G01K11/00 , G01K11/125
摘要：本發明的課題是在於提供一種相較於以往可更精度佳地測定溫度，可更精度佳且效率佳地進行基板處理等之溫度測定裝置及溫度測定方法。其解決手段係溫度測定裝置具備：第1分裂器（120），其係用以將來自光源（110）的光分成測定光及參照光；參照光反射手段（140），其係用以反射參照光；光路長變化手段（150），其係用以使參照光的光路長變化；第2分裂器（121），其係用以分裂來自參照光反射手段（140）的反射參照光；第1光檢出器（160），其係用以測定來自溫度測定對象物（10）的反射測定光與反射參照光的干涉；第2光檢出器（161），其係用以測定僅反射參照光的強度；及控制器（170），其係從第1光檢出器（160）的輸出減算第2光檢出器（161）的輸出之後，算出干涉位置，算出溫度。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种相较于以往可更精度佳地测定温度，可更精度佳且效率佳地进行基板处理等之温度测定设备及温度测定方法。其解决手段系温度测定设备具备：第1分裂器（120），其系用以将来自光源（110）的光分成测定光及参照光；参照光反射手段（140），其系用以反射参照光；光路长变化手段（150），其系用以使参照光的光路长变化；第2分裂器（121），其系用以分裂来自参照光反射手段（140）的反射参照光；第1光检出器（160），其系用以测定来自温度测定对象物（10）的反射测定光与反射参照光的干涉；第2光检出器（161），其系用以测定仅反射参照光的强度；及控制器（170），其系从第1光检出器（160）的输出减算第2光检出器（161）的输出之后，算出干涉位置，算出温度。

10. 发明专利

TW201108871A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201108871A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099109661
申请日：2010-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：大瀨剛 , 檜森慎司 , 阿部淳 , 山田紀和
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
摘要： [課題]提供調整激發電力施加部之輸出變動,和偏壓電力施加部之輸出變動之時序,抑制偏壓用高頻電力之振幅之增大而防止異常放電等之問題產生於未然之基板處理方法。[解決手段]係屬於使用基板處理裝置之基板處理方法,該基板處理裝置具有載置台(23)、與此對向配置之上部電極(24)、對上部電極(24)施加氣體激發用高頻電力之激發電力施加部(35)、和對下部電極(23)施加偏壓用高頻電力之偏壓電力施加部(27)。在特定時序變更上述激發電力施加部(35)而控制成氣體激發用高頻電力間歇性變化,並且藉由激發電力施加部(35)之控制,當在收容室內無電漿之狀態或餘輝(Afetrglow)狀態之時,控制成使偏壓電力施加部(27)成為關閉,或其輸出較激發電力施加部之輸出為設定輸出之時的偏壓電力施加部之輸出下垂。
简体摘要： [课题]提供调整激发电力施加部之输出变动,和偏压电力施加部之输出变动之时序,抑制偏压用高频电力之振幅之增大而防止异常放电等之问题产生于未然之基板处理方法。[解决手段]系属于使用基板处理设备之基板处理方法,该基板处理设备具有载置台(23)、与此对向配置之上部电极(24)、对上部电极(24)施加气体激发用高频电力之激发电力施加部(35)、和对下部电极(23)施加偏压用高频电力之偏压电力施加部(27)。在特定时序变更上述激发电力施加部(35)而控制成气体激发用高频电力间歇性变化,并且借由激发电力施加部(35)之控制,当在收容室内无等离子之状态或余辉(Afetrglow)状态之时,控制成使偏压电力施加部(27)成为关闭,或其输出较激发电力施加部之输出为设置输出之时的偏压电力施加部之输出下垂。

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