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    • 3. 发明专利
    • 電漿處理裝置及電漿處理方法
    • 等离子处理设备及等离子处理方法
    • TW201630029A
    • 2016-08-16
    • TW104135082
    • 2015-10-26
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 山涌純YAMAWAKU, JUN松土龍夫MATSUDO, TATSUO輿水地塩KOSHIMIZU, CHISHIO
    • H01J37/32
    • H01J37/3211H01J37/32183H01J37/32651H01J2237/334
    • 提供一種在電漿處理裝置(該電漿處理裝置,係利用高頻天線使電漿產生,對被處理基板進行處理)中,調整電漿密度之面內分布的技術。 將高頻電源(50)連接於漩渦狀之高頻天線(5)的內端部(6),使作為外側端部的中間部位(8)接地,構成第1高頻天線元件(51),將高頻天線(5)之外端部(7)設成為開放端,將從中間部位(8)至外端部(7)的線路長度設定為λ/4,構成第2高頻天線元件(52)。而且,構成為與高頻電源(50)串聯地設置第1可變容量電容器(55),與高頻電源(50)並聯地設置第2可變容量電容器(56),在接地電位與中間部位(8)之間設置第3可變容量電容器(57),在第1高頻天線元件(51)與第2高頻天線元件(52)分別出現第1及第2共振頻率。
    • 提供一种在等离子处理设备(该等离子处理设备,系利用高频天线使等离子产生,对被处理基板进行处理)中,调整等离子密度之面内分布的技术。 将高频电源(50)连接于漩涡状之高频天线(5)的内端部(6),使作为外侧端部的中间部位(8)接地,构成第1高频天线组件(51),将高频天线(5)之外端部(7)设成为开放端,将从中间部位(8)至外端部(7)的线路长度设置为λ/4,构成第2高频天线组件(52)。而且,构成为与高频电源(50)串联地设置第1可变容量电容器(55),与高频电源(50)并联地设置第2可变容量电容器(56),在接地电位与中间部位(8)之间设置第3可变容量电容器(57),在第1高频天线组件(51)与第2高频天线组件(52)分别出现第1及第2共振频率。