会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明专利
    • 垂直諧振器面發光雷射
    • 垂直谐振器面发光激光
    • TW201743523A
    • 2017-12-16
    • TW106113755
    • 2017-04-25
    • 村田製作所股份有限公司MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
    • 松原一平MATSUBARA, IPPEI岩田圭司IWATA, KEIJI鏑木新治KABURAKI, SHINJI
    • H01S5/183
    • H01S5/042H01S5/183
    • 本發明減少垂直諧振器面發光雷射之寄生電容。 於垂直諧振器面發光雷射10,設置於半導體基板11上之半導體積層膜5具備第1DBR層13、活性層15、電流狹窄層23、及第2DBR層24。絕緣層31係覆蓋半導體積層膜5之側端部之至少一部分,具有連接於半導體積層膜5之上表面且沿著半導體基板11延伸之上表面61、及連接於該上表面61且朝向半導體基板11延伸之端面62。第1接觸電極27與第1DBR層13電性連接。第2接觸電極26設置於半導體積層膜5之上表面。接合焊墊33直接或介隔絕緣膜30而設置於半導體基板11上。金屬配線32設置於上述絕緣層31之上表面61及端面62上,連接第2接觸電極26與接合焊墊33。
    • 本发明减少垂直谐振器面发光激光之寄生电容。 于垂直谐振器面发光激光10,设置于半导体基板11上之半导体积层膜5具备第1DBR层13、活性层15、电流狭窄层23、及第2DBR层24。绝缘层31系覆盖半导体积层膜5之侧端部之至少一部分,具有连接于半导体积层膜5之上表面且沿着半导体基板11延伸之上表面61、及连接于该上表面61且朝向半导体基板11延伸之端面62。第1接触电极27与第1DBR层13电性连接。第2接触电极26设置于半导体积层膜5之上表面。接合焊垫33直接或介隔绝缘膜30而设置于半导体基板11上。金属配线32设置于上述绝缘层31之上表面61及端面62上,连接第2接触电极26与接合焊垫33。