专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201427209A 垂直諧振面發光雷射审中-公开
简体标题：垂直谐振面发光激光
公开(公告)号：TW201427209A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102131511
申请日：2013-09-02
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 渡邊博 , WATANABE, HIROSHI , 柳瀬雅司 , YANAGASE, MASASHI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S5/0208 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18383 , H01S5/3432 , H01S2301/176
摘要：提供一種可抑制成本並同時抑制起因於底基板之晶體缺陷造成之不良之產生之垂直諧振面發光雷射。垂直諧振面發光雷射，具備：底基板11，由半絕緣性半導體構成；發光區域多層部，形成在底基板11表面，且分別包含N型半導體接觸層21、N型DBR層22、活性層40、P型半導體DBR層23、及P型半導體接觸層24；陽極用電極921，係連接於P型半導體接觸層24；以及陰極用電極911，形成在底基板11之表面側，且連接於N型半導體接觸層21。N型DBR層22，積層有15組以上之組成不同之層。
简体摘要：提供一种可抑制成本并同时抑制起因于底基板之晶体缺陷造成之不良之产生之垂直谐振面发光激光。垂直谐振面发光激光，具备：底基板11，由半绝缘性半导体构成；发光区域多层部，形成在底基板11表面，且分别包含N型半导体接触层21、N型DBR层22、活性层40、P型半导体DBR层23、及P型半导体接触层24；阳极用电极921，系连接于P型半导体接触层24；以及阴极用电极911，形成在底基板11之表面侧，且连接于N型半导体接触层21。N型DBR层22，积层有15组以上之组成不同之层。

2. 发明专利

TW201743523A 垂直諧振器面發光雷射审中-公开
简体标题：垂直谐振器面发光激光
公开(公告)号：TW201743523A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106113755
申请日：2017-04-25
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 鏑木新治 , KABURAKI, SHINJI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/042 , H01S5/183
摘要：本發明減少垂直諧振器面發光雷射之寄生電容。於垂直諧振器面發光雷射10，設置於半導體基板11上之半導體積層膜5具備第1DBR層13、活性層15、電流狹窄層23、及第2DBR層24。絕緣層31係覆蓋半導體積層膜5之側端部之至少一部分，具有連接於半導體積層膜5之上表面且沿著半導體基板11延伸之上表面61、及連接於該上表面61且朝向半導體基板11延伸之端面62。第1接觸電極27與第1DBR層13電性連接。第2接觸電極26設置於半導體積層膜5之上表面。接合焊墊33直接或介隔絕緣膜30而設置於半導體基板11上。金屬配線32設置於上述絕緣層31之上表面61及端面62上，連接第2接觸電極26與接合焊墊33。
简体摘要：本发明减少垂直谐振器面发光激光之寄生电容。于垂直谐振器面发光激光10，设置于半导体基板11上之半导体积层膜5具备第1DBR层13、活性层15、电流狭窄层23、及第2DBR层24。绝缘层31系覆盖半导体积层膜5之侧端部之至少一部分，具有连接于半导体积层膜5之上表面且沿着半导体基板11延伸之上表面61、及连接于该上表面61且朝向半导体基板11延伸之端面62。第1接触电极27与第1DBR层13电性连接。第2接触电极26设置于半导体积层膜5之上表面。接合焊垫33直接或介隔绝缘膜30而设置于半导体基板11上。金属配线32设置于上述绝缘层31之上表面61及端面62上，连接第2接触电极26与接合焊垫33。

3. 发明专利

TWI515984B 垂直諧振面發光雷射有权
简体标题：垂直谐振面发光激光
公开(公告)号：TWI515984B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102131511
申请日：2013-09-02
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 渡邊博 , WATANABE, HIROSHI , 柳瀬雅司 , YANAGASE, MASASHI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S5/0208 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18383 , H01S5/3432 , H01S2301/176

4. 发明专利

TWI569026B 垂直諧振面發光雷射陣列有权
简体标题：垂直谐振面发光激光数组
公开(公告)号：TWI569026B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103120152
申请日：2014-06-11
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： G01R31/28 , H01S5/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/18311 , H01S5/4018 , H01S2301/176

5. 发明专利

TWI562486B 垂直諧振面發光雷射陣列及其製造方法有权
简体标题：垂直谐振面发光激光数组及其制造方法
公开(公告)号：TWI562486B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103119180
申请日：2014-06-03
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/187 , H01S5/4018 , H01S2301/176

6. 发明专利

TW201810703A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201810703A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106113757
申请日：2017-04-25
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 鏑木新治 , KABURAKI, SHINJI , 橋本正太郎 , HASHIMOTO, SHOTARO , 鳥塚哲郎 , TORITSUKA, TETSURO
IPC分类号： H01L31/10 , H01S5/042 , H01S5/183
CPC分类号： H01L31/10 , H01S5/042 , H01S5/183
摘要：在絕緣層之上表面及側面上穩定地形成配線層。半導體裝置10具備覆蓋半導體積層膜5之側端部6(41、42、43)之至少一部分之絕緣層31。此處，絕緣層31具有：上表面61，其連接於半導體積層膜5之上表面，且沿基板11延伸；及端面62A、62B，其等連接於該上表面61，且朝向基板11延伸。絕緣層31之端面至少於一部分相對於基板11傾斜。金屬配線32設置於絕緣層31上，通過上表面61及傾斜之端面62A，將半導體積層膜5之上表面之接觸電極26與介隔絕緣膜30而形成於基板11上之接合墊33連接。
简体摘要：在绝缘层之上表面及侧面上稳定地形成配线层。半导体设备10具备覆盖半导体积层膜5之侧端部6(41、42、43)之至少一部分之绝缘层31。此处，绝缘层31具有：上表面61，其连接于半导体积层膜5之上表面，且沿基板11延伸；及端面62A、62B，其等连接于该上表面61，且朝向基板11延伸。绝缘层31之端面至少于一部分相对于基板11倾斜。金属配线32设置于绝缘层31上，通过上表面61及倾斜之端面62A，将半导体积层膜5之上表面之接触电极26与介隔绝缘膜30而形成于基板11上之接合垫33连接。

7. 发明专利

TWI562487B 垂直諧振器型面發光雷射及其製造方法有权
简体标题：垂直谐振器型面发光激光及其制造方法
公开(公告)号：TWI562487B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103120015
申请日：2014-06-10
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 渡邊博 , WATANABE, HIROSHI , 鳥塚哲郎 , TORITSUKA, TETSURO
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/3054 , H01S2301/17

8. 发明专利

TW201515351A 垂直諧振面發光雷射陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：垂直谐振面发光激光数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201515351A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103119180
申请日：2014-06-03
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/187 , H01S5/4018 , H01S2301/176
摘要： VCSEL陣列(101)，具備底基板(11)、複數個VCSEL元件(1~3)、元件間配線(61)。複數個VCSEL元件(1~3)之各個係配置在底基板(11)之表面側。元件間配線(61)將複數個VCSEL元件(1~3)中之相鄰二個VCSEL元件串聯於該二個VCSEL元件之順向一致之方向。在底基板(11)形成使該二個VCSEL元件電氣絕緣之絕緣槽(91)。
简体摘要： VCSEL数组(101)，具备底基板(11)、复数个VCSEL组件(1~3)、组件间配线(61)。复数个VCSEL组件(1~3)之各个系配置在底基板(11)之表面侧。组件间配线(61)将复数个VCSEL组件(1~3)中之相邻二个VCSEL组件串联于该二个VCSEL组件之顺向一致之方向。在底基板(11)形成使该二个VCSEL组件电气绝缘之绝缘槽(91)。

9. 发明专利

TW201512680A 垂直諧振面發光雷射陣列审中-公开
简体标题：垂直谐振面发光激光数组
公开(公告)号：TW201512680A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103120152
申请日：2014-06-11
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 岩田圭司 , IWATA, KEIJI
IPC分类号： G01R31/28 , H01S5/02 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/423 , H01L2224/24 , H01S5/0042 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/18311 , H01S5/4018 , H01S2301/176
摘要： VCSEL雷射陣列(901)，具備底基板(11)、在底基板(11)之表面側配置在行方向(y方向)之VCSEL元件列(101~105)、將VCSEL元件列(101~105)加以並聯之並聯配線(73,74)。VCSEL元件列(101~105)之各個，包含配置在列方向(x方向)之複數個VCSEL元件、複數條串聯配線(61)。複數條串聯配線(61)，將複數個VCSEL元件中之在列方向相鄰之二個VCSEL元件之各個串聯於該二個VCSEL元件之順向一致之方向。在底基板(11)形成絕緣槽(91,92)。絕緣槽(91)使VCSEL元件列(101~105)彼此電氣絕緣。絕緣槽(92)使VCSEL元件彼此電氣絕緣。
简体摘要： VCSEL激光数组(901)，具备底基板(11)、在底基板(11)之表面侧配置在行方向(y方向)之VCSEL组件列(101~105)、将VCSEL组件列(101~105)加以并联之并联配线(73,74)。VCSEL组件列(101~105)之各个，包含配置在列方向(x方向)之复数个VCSEL组件、复数条串联配线(61)。复数条串联配线(61)，将复数个VCSEL组件中之在列方向相邻之二个VCSEL组件之各个串联于该二个VCSEL组件之顺向一致之方向。在底基板(11)形成绝缘槽(91,92)。绝缘槽(91)使VCSEL组件列(101~105)彼此电气绝缘。绝缘槽(92)使VCSEL组件彼此电气绝缘。

10. 发明专利

TW201507303A 垂直諧振器型面發光雷射及其製造方法审中-公开
简体标题：垂直谐振器型面发光激光及其制造方法
公开(公告)号：TW201507303A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103120015
申请日：2014-06-10
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岩田圭司 , IWATA, KEIJI , 松原一平 , MATSUBARA, IPPEI , 粉奈孝行 , KONA, TAKAYUKI , 渡邊博 , WATANABE, HIROSHI , 鳥塚哲郎 , TORITSUKA, TETSURO
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/3054 , H01S2301/17
摘要：於垂直諧振器型面發光雷射(1)中，活性層(13)設置於第1導電類型之第1反射鏡層(11)與第2導電類型之第2反射鏡層(15)之間。電流狹窄層(16)設置於第2反射鏡層(15)的內部或第2反射鏡層(15)與活性層(13)之間，且包含具有第2導電類型之未氧化區域(18)與氧化區域(17)。電流擴散防止層(25)於電流狹窄層(16)與活性層(13)之間，鄰接於電流狹窄層(16)且與活性層(13)隔開地設置，並具有第2導電類型。電流擴散防止層(25)之載子濃度低於電流狹窄層(16)的未氧化區域(18)及鄰接於電流擴散防止層(25)之活性層(13)側的區域(15A)中的任一者之載子濃度。
简体摘要：于垂直谐振器型面发光激光(1)中，活性层(13)设置于第1导电类型之第1反射镜层(11)与第2导电类型之第2反射镜层(15)之间。电流狭窄层(16)设置于第2反射镜层(15)的内部或第2反射镜层(15)与活性层(13)之间，且包含具有第2导电类型之未氧化区域(18)与氧化区域(17)。电流扩散防止层(25)于电流狭窄层(16)与活性层(13)之间，邻接于电流狭窄层(16)且与活性层(13)隔开地设置，并具有第2导电类型。电流扩散防止层(25)之载子浓度低于电流狭窄层(16)的未氧化区域(18)及邻接于电流扩散防止层(25)之活性层(13)侧的区域(15A)中的任一者之载子浓度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式