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1. 发明专利

TWI638468B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI638468B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107100147
申请日：2014-05-19
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 王佳琨 , WANG,JIA-KUEN , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 柯竣騰 , KO,CHUN-TENG
IPC分类号： H01L33/36

2. 发明专利

TWI625868B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI625868B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103123102
申请日：2014-07-03
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 王佳琨 , WANG, JIA KUEN , 廖健智 , LIAO, CHIEN CHIH , 曾咨耀 , TSENG, TZU YAO , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU
IPC分类号： H01L33/36

3. 发明专利

TWI614920B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI614920B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103117570
申请日：2014-05-19
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 王佳琨 , WANG, JIA KUEN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 柯竣騰 , KO, CHUN TENG
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/483 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L33/644 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI604633B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI604633B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103104673
申请日：2014-02-12
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林植南 , LIN, CHI NAN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 楊於錚 , YANG, YU CHEN , 曾慶東 , TSENG, CHING TUNG , 何呈祥 , HO, CHENG HSIANG , 張峻瑋 , CHANG, CHUN WEI , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/002 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014

5. 发明专利

TWI601280B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI601280B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105130564
申请日：2011-02-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 洪詳竣 , HON,SCHANG-JING , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 王希維 , WANG,ALEXANDER-CHAN , 韓政男 , HAN,CHENG-NAN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L25/16

6. 发明专利

TWI589025B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI589025B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105142841
申请日：2013-01-10
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳宏哲 , CHEN,HONG-CHE , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 楊於錚 , YANG,YU-CHEN , 王佳琨 , WANG,JIA-KUEN , 林植南 , LIN,CHIH-NAN
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36

7. 发明专利

TW201717352A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201717352A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106106006
申请日：2011-08-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN,CHAO HSING , 沈建賦 , SHEN,CHIEN FU , 柯淙凱 , KO,TSUN KAI , 洪詳竣 , HON,SCHANG JING
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15
CPC分类号： H01L23/60 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/089 , Y02B20/341 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體元件，包含一串聯式連接的發光二極體元件陣列，具有複數發光二極體單元置於單一基板上，彼此電性串聯，包含一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元、以及一子發光二極體單元陣列包含至少三個子發光二極體單元，介於第一與第二發光二極體單元之間；其中，第一與第二發光二極體單元各具有一第一側與一第二側，第一及/或第二發光二極體單元的第一側鄰近子發光二極體單元陣列，第一發光二極體單元的第二側鄰近該第二發光二極體單元的第二側，第一與第二發光二極體單元的第一半導體層位於兩相鄰第二側之間的距離介於15-50微米；以及複數傳導金屬，分別位於相鄰發光二極體單元之間，傳導金屬分別包含一延伸部，延伸部之末端具有大於傳導金屬線寬的曲率半徑。
简体摘要：一种发光二极管组件，包含一串联式连接的发光二极管组件数组，具有复数发光二极管单元置於单一基板上，彼此电性串联，包含一第一发光二极体单元、一第二发光二极管单元、以及一子发光二极管单元数组包含至少三个子发光二极管单元，介于第一与第二发光二极管单元之间；其中，第一与第二发光二极管单元各具有一第一侧与一第二侧，第一及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管单元数组，第一发光二极管单元的第二侧邻近该第二发光二极管单元的第二侧，第一与第二发光二极管单元的第一半导体层位于两相邻第二侧之间的距离介于15-50微米；以及复数传导金属，分别位于相邻发光二极管单元之间，传导金属分别包含一延伸部，延伸部之末端具有大于传导金属线宽的曲率半径。

8. 发明专利

TW201709555A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201709555A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105142841
申请日：2013-01-10
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳宏哲 , CHEN,HONG-CHE , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 楊於錚 , YANG,YU-CHEN , 王佳琨 , WANG,JIA-KUEN , 林植南 , LIN,CHIH-NAN
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36
摘要：本發明提供一發光元件結構，包含：一半導體疊層，包含一凹槽及一平台，其中此凹槽具有一底部，此平台具有一上表面；一第一隔絕層位於此凹槽內及此平台上表面之部分區域；第一電極係包含一第一層和一第二層，其中：第一層包含一第一導電材料，位於此平台上表面之部分區域上；及第二層包含一第二導電材料，位於第一層之上。
简体摘要：本发明提供一发光组件结构，包含：一半导体叠层，包含一凹槽及一平台，其中此凹槽具有一底部，此平台具有一上表面；一第一隔绝层位于此凹槽内及此平台上表面之部分区域；第一电极系包含一第一层和一第二层，其中：第一层包含一第一导电材料，位于此平台上表面之部分区域上；及第二层包含一第二导电材料，位于第一层之上。

9. 外观设计

TWD175295S 發光二極體陣列之部分有权
简体标题：发光二极管阵列之部分
公开(公告)号：TWD175295S
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104300858
申请日：2015-02-16
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：葉慧君 , YEH, HUI-CHUN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN-FU , 柯淙凱 , KO, TSUN-KAI

10. 发明专利

TWI525849B 發光二極體裝置有权
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TWI525849B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100108640
申请日：2011-03-14
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING
IPC分类号： H01L33/00

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