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1. 发明专利

TWI601280B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI601280B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105130564
申请日：2011-02-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 洪詳竣 , HON,SCHANG-JING , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 王希維 , WANG,ALEXANDER-CHAN , 韓政男 , HAN,CHENG-NAN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L25/16

2. 发明专利

TW201717352A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201717352A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106106006
申请日：2011-08-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN,CHAO HSING , 沈建賦 , SHEN,CHIEN FU , 柯淙凱 , KO,TSUN KAI , 洪詳竣 , HON,SCHANG JING
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15
CPC分类号： H01L23/60 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/089 , Y02B20/341 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體元件，包含一串聯式連接的發光二極體元件陣列，具有複數發光二極體單元置於單一基板上，彼此電性串聯，包含一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元、以及一子發光二極體單元陣列包含至少三個子發光二極體單元，介於第一與第二發光二極體單元之間；其中，第一與第二發光二極體單元各具有一第一側與一第二側，第一及/或第二發光二極體單元的第一側鄰近子發光二極體單元陣列，第一發光二極體單元的第二側鄰近該第二發光二極體單元的第二側，第一與第二發光二極體單元的第一半導體層位於兩相鄰第二側之間的距離介於15-50微米；以及複數傳導金屬，分別位於相鄰發光二極體單元之間，傳導金屬分別包含一延伸部，延伸部之末端具有大於傳導金屬線寬的曲率半徑。
简体摘要：一种发光二极管组件，包含一串联式连接的发光二极管组件数组，具有复数发光二极管单元置於单一基板上，彼此电性串联，包含一第一发光二极体单元、一第二发光二极管单元、以及一子发光二极管单元数组包含至少三个子发光二极管单元，介于第一与第二发光二极管单元之间；其中，第一与第二发光二极管单元各具有一第一侧与一第二侧，第一及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管单元数组，第一发光二极管单元的第二侧邻近该第二发光二极管单元的第二侧，第一与第二发光二极管单元的第一半导体层位于两相邻第二侧之间的距离介于15-50微米；以及复数传导金属，分别位于相邻发光二极管单元之间，传导金属分别包含一延伸部，延伸部之末端具有大于传导金属线宽的曲率半径。

3. 发明专利

TW201440200A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201440200A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103117257
申请日：2009-10-19
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 王希維 , WANG, ALEXANDER CHAN , 梁立田 , LIANG, LI TIAN , 范進雍 , FAN, CHIN YUNG , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN
IPC分类号： H01L25/075
摘要：本發明揭示一種可用於高壓交流電之發光元件，包含：一次載體、至少一位於次載體之電子元件、至少一顆位於次載體上之發光二極體陣列晶片、至少一位於次載體上之焊墊，以及一位於次載體上之導電線路；其中上述導電線路分別使電子元件、發光二極體陣列晶片，以及焊墊形成電性連接。
简体摘要：本发明揭示一种可用于高压交流电之发光组件，包含：一次载体、至少一位于次载体之电子组件、至少一颗位于次载体上之发光二极管数组芯片、至少一位于次载体上之焊垫，以及一位于次载体上之导电线路；其中上述导电线路分别使电子组件、发光二极管数组芯片，以及焊垫形成电性连接。

4. 发明专利

TW201334224A 光電半導體裝置审中-公开
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TW201334224A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102105142
申请日：2009-06-03
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 葉慧君 , YEH, HUI CHEN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 林安茹 , LIN, AN JU , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L31/00
摘要：依據本發明一實施例之一種光電半導體裝置包括一轉換部，包括一第一側；一電性接點；一接觸層，具有一外邊界；及至少連續三個不連續區，係沿外邊界形成，且具有至少一個不相同之要素；其中，電性接點、接觸層、及不連續區係形成於轉換部之第一側。
简体摘要：依据本发明一实施例之一种光电半导体设备包括一转换部，包括一第一侧；一电性接点；一接触层，具有一外边界；及至少连续三个不连续区，系沿外边界形成，且具有至少一个不相同之要素；其中，电性接点、接触层、及不连续区系形成于转换部之第一侧。

5. 发明专利

TWI405352B 光電半導體裝置有权
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TWI405352B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW097135935
申请日：2008-09-18
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 鍾健凱 , CHUN, GCHIEN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 葉慧君 , YEH, HUI CHEN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 林安茹 , LIN, AN JU , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/00

6. 发明专利

TWI393271B 光電半導體裝置有权
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TWI393271B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098118503
申请日：2009-06-03
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 葉慧君 , YEH, HUI CHEN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 林安茹 , LIN, AN JU , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L31/00

7. 发明专利

TW201818562A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201818562A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105136453
申请日：2016-11-09
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：柯竣騰 , KO, CHUN-TENG , 陳昭興 , CHEN, CHAO-HSING , 王佳琨 , WANG, JIA-KUEN , 郭彥良 , KUO, YEN-LIANG , 陳誌濠 , CHEN, CHIH-HAO , 鍾偉榮 , CHUNG, WEI-JUNG , 王志銘 , WANG, CHIH-MING , 彭韋智 , PENG, WEI-CHIH , 洪詳竣 , HON, SCHANG-JING , 林予堯 , LIN, YU-YAO
IPC分类号： H01L33/02
摘要：一發光元件，包含：一半導體疊層具有一第一半導體層，一第二半導體層，以及一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間；一環繞暴露區，位於半導體疊層之週圍，暴露出第一半導體層之一表面；一導電層，位於第二半導體層上，具有一第一導電區延伸接觸環繞暴露區內之表面；一電極層，位於環繞暴露區上環繞半導體疊層並接觸導電層，包含一電極墊與半導體疊層不重疊；一外側絕緣層，覆蓋導電層之一部份及電極層，且包含一第一開口暴露導電層之另一部份；一接合層，覆蓋外側絕緣層，並經由第一開口與導電層之另一部份電性連接；以及一導電基板，其中半導體疊層位於接合層之一側，導電基板位於接合層相對於半導體疊層之另一側。
简体摘要：一发光组件，包含：一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一环绕暴露区，位于半导体叠层之周围，暴露出第一半导体层之一表面；一导电层，位于第二半导体层上，具有一第一导电区延伸接触环绕暴露区内之表面；一电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；一外侧绝缘层，覆盖导电层之一部份及电极层，且包含一第一开口暴露导电层之另一部份；一接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层之另一部份电性连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层之一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层之另一侧。

8. 发明专利

TWI611553B 發光二極體元件有权
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TWI611553B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW106106006
申请日：2011-08-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN,CHAO HSING , 沈建賦 , SHEN,CHIEN FU , 柯淙凱 , KO,TSUN KAI , 洪詳竣 , HON,SCHANG JING
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15
CPC分类号： H01L23/60 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/089 , Y02B20/341 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI602326B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI602326B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105144136
申请日：2012-12-07
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳宏哲 , CHEN,HONG-CHE , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 王佳琨 , WANG,JIA-KUEN , 洪詳竣 , HON,SCHANG-JING
IPC分类号： H01L33/62

10. 发明专利

TW201701456A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201701456A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105130564
申请日：2011-02-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 洪詳竣 , HON,SCHANG-JING , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 王希維 , WANG,ALEXANDER-CHAN , 韓政男 , HAN,CHENG-NAN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L25/16
摘要：本發明係提供一種多維度發光裝置，電性連接至一標準化供電系統。發光裝置包含一載體、一藍光發光二極體陣列以及一或多個螢光層。藍光發光二極體陣列係設置於載體上，並包含複數個以多維度方式電性連接的藍光發光二極體晶粒。多維度發光裝置上可劃分為一中心區域及複數個周邊區域，周邊區域環繞中心區域，且此二種區域並呈現一或多個維度的空間分布，螢光層至少覆蓋中心區域。當標準化供電系統供電時，多維度發光裝置之中心區域及周邊區域可分別提供第一光線及第二光線以產生一混合光線。
简体摘要：本发明系提供一种多维度发光设备，电性连接至一标准化供电系统。发光设备包含一载体、一蓝光发光二极管数组以及一或多个萤光层。蓝光发光二极管数组系设置于载体上，并包含复数个以多维度方式电性连接的蓝光发光二极管晶粒。多维度发光设备上可划分为一中心区域及复数个周边区域，周边区域环绕中心区域，且此二种区域并呈现一或多个维度的空间分布，萤光层至少覆盖中心区域。当标准化供电系统供电时，多维度发光设备之中心区域及周边区域可分别提供第一光线及第二光线以产生一混合光线。

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