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1. 发明专利

TW200735207A 蝕刻處理裝置及自偏壓測定方法以及蝕刻處理裝置之監控方法失效
简体标题：蚀刻处理设备及自偏压测定方法以及蚀刻处理设备之监控方法
公开(公告)号：TW200735207A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095131150
申请日：2006-08-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00
摘要：本發明的課題在於以簡單的步驟,推定在任意蝕刻條件下之自偏壓。本發明係一種具有:用以吸附試料2之靜電吸附機構1、10;將冷卻氣體12充填於試料2的背面,且控制其壓力之機構13、14;以及由處理中之試料2的背面壓力的控制狀態,來測定試料之相對靜電吸附力的手段之蝕刻處理裝置中的自偏壓測定方法,其特徵為:由處理中之試料2已施加高頻偏置電力時的試料2之背面壓力的控制狀態,取得前述試料之相對靜電吸附力及與該靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓;由處理中之前述試料未施加高頻偏置電力時的前述試料之背面壓力的控制狀態,取得前述試料之相對靜電吸附力及與該靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓,使用所取得之兩者靜電吸附力及與靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓,來推定自偏壓。
简体摘要：本发明的课题在于以简单的步骤,推定在任意蚀刻条件下之自偏压。本发明系一种具有:用以吸附试料2之静电吸附机构1、10;将冷却气体12充填于试料2的背面,且控制其压力之机构13、14;以及由处理中之试料2的背面压力的控制状态,来测定试料之相对静电吸附力的手段之蚀刻处理设备中的自偏压测定方法,其特征为:由处理中之试料2已施加高频偏置电力时的试料2之背面压力的控制状态,取得前述试料之相对静电吸附力及与该静电吸附力相对应的静电吸附电压;由处理中之前述试料未施加高频偏置电力时的前述试料之背面压力的控制状态,取得前述试料之相对静电吸附力及与该静电吸附力相对应的静电吸附电压,使用所取得之两者静电吸附力及与静电吸附力相对应的静电吸附电压,来推定自偏压。

2. 发明专利

TWI308371B 半導體處理裝置之控制方法有权
简体标题：半导体处理设备之控制方法
公开(公告)号：TWI308371B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW092103937
申请日：2003-02-25
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中潤一 TANAKA, JUNICHI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種不必變更控制過程處理程序,以高開工率可運用的半導體處理裝置之控制方法。
一種半導體處理裝置之控制方法,其係將包含真空處理容器,在該真空處理容器內生成電漿的電漿生成裝置,及上述真空處理室內的電漿清洗的過程處理程序保持成一定並控制過程的半導體處理裝置之過程控制方法,其特徵為:
以配置於上述半導體處理裝置的感測器所檢測的感測器資料為基礎來檢測上述過程的異常,當檢測異常時,實行去除儲存在上述真空處理容器內的堆積物的恢復步驟。
简体摘要：提供一种不必变更控制过程处理进程,以高开工率可运用的半导体处理设备之控制方法。一种半导体处理设备之控制方法,其系将包含真空处理容器,在该真空处理容器内生成等离子的等离子生成设备,及上述真空处理室内的等离子清洗的过程处理进程保持成一定并控制过程的半导体处理设备之过程控制方法,其特征为: 以配置于上述半导体处理设备的传感器所检测的传感器数据为基础来检测上述过程的异常,当检测异常时,实行去除存储在上述真空处理容器内的堆积物的恢复步骤。

3. 发明专利

TWI288822B 電漿處理裝置之表面異物檢測裝置及檢測方法 DEVICE AND METHOD FOR DETECTING FOREIGN MATERIAL ON THE SURFACE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：等离子处理设备之表面异物检测设备及检测方法 DEVICE AND METHOD FOR DETECTING FOREIGN MATERIAL ON THE SURFACE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI288822B
公开(公告)日：2007-10-21
申请号：TW094129738
申请日：2005-08-30
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 古瀨宗雄 FURUSE, MUNEO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N1/24 , G01N2015/1062 , H01L21/02057
摘要：提供可以正確地將包含於測定對象表面的異物予以吸引抽出而加以測定之電漿處理裝置之表面異物檢測技術。
檢測裝置係包含：具備有將特定壓力的氣體斷續吹向測定對象物表面之氣體吹出口、及吸引從該氣體吹出口所吹出的氣體而被放出的異物之氣體吸引口之測定單元；及具備從氣體吸引口連續吸引一定量的氣體之吸引泵，並將包含於以該吸引泵所吸引之氣體的異物之數目加以計數之微粒計數器；及對氣體吹出口斷續供給特定壓力的氣體之壓力調整單元。
简体摘要：提供可以正确地将包含于测定对象表面的异物予以吸引抽出而加以测定之等离子处理设备之表面异物检测技术。检测设备系包含：具备有将特定压力的气体断续吹向测定对象物表面之气体吹出口、及吸引从该气体吹出口所吹出的气体而被放出的异物之气体吸引口之测定单元；及具备从气体吸引口连续吸引一定量的气体之吸引泵，并将包含于以该吸引泵所吸引之气体的异物之数目加以计数之微粒计数器；及对气体吹出口断续供给特定压力的气体之压力调整单元。

4. 发明专利

TW200706849A 電漿處理裝置之表面異物檢測裝置及檢測方法 DEVICE AND METHOD FOR DETECTING FOREIGN MATERIAL ON THE SURFACE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：等离子处理设备之表面异物检测设备及检测方法 DEVICE AND METHOD FOR DETECTING FOREIGN MATERIAL ON THE SURFACE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200706849A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW094129738
申请日：2005-08-30
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 古瀨宗雄 FURUSE, MUNEO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N1/24 , G01N2015/1062 , H01L21/02057
摘要：提供可以正確地將包含於測定對象表面的異物予以吸引抽出而加以測定之電漿處理裝置之表面異物檢測技術。檢測裝置係包含:具備有將特定壓力的氣體斷續吹向測定對象物表面之氣體吹出口、及吸引從該氣體吹出口所吹出的氣體而被放出的異物之氣體吸引口之測定子;及具備從氣體吸引口連續吸引一定量的氣體之吸引泵,並將包含於以該吸引泵所吸引之氣體的異物之數目加以計數之微粒計數器;及對氣體吹出口斷續供給特定壓力的氣體之壓力調整單元。
简体摘要：提供可以正确地将包含于测定对象表面的异物予以吸引抽出而加以测定之等离子处理设备之表面异物检测技术。检测设备系包含:具备有将特定压力的气体断续吹向测定对象物表面之气体吹出口、及吸引从该气体吹出口所吹出的气体而被放出的异物之气体吸引口之测定子;及具备从气体吸引口连续吸引一定量的气体之吸引泵,并将包含于以该吸引泵所吸引之气体的异物之数目加以计数之微粒计数器;及对气体吹出口断续供给特定压力的气体之压力调整单元。

5. 发明专利

TWI272675B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI272675B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW092103554
申请日：2003-02-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：橘內浩之 KITSUNAI, HIROYUKI , 田中潤一 TANAKA, JUNICHI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L , G05B
CPC分类号： H01J37/32935 , H01L21/32137
摘要：本發明係關於一種電漿處理裝置及電漿處理方法；也就是說，本發明係提供一種能夠監視由裝置狀態變動所造成之加工結果之不均同時在裝置狀態發生變動之狀態下而檢測回復狀態來進行是否可以處理之判斷的電漿處理裝置。
在具有用以對於控制部10和晶圓2施加電漿處理之處理室1的電漿處理裝置，處理室1係具備檢測處理室內部之處理狀態而輸出複數個輸出訊號之電漿狀態檢測手段8、9，控制部10係具備：記憶過去晶圓處理結果資訊和該過去晶圓處理時之電漿狀態檢測資料及有關於兩者之關係式的功能13、由來自電漿狀態檢測手段8、9之處理室狀態檢測結果和前述關係式而算出處理結果之預測值的功能11、以及藉由所算出之處理結果之預測值而評價處理室狀態的功能12；在晶圓處理後，由相關關係式而算出處理結果之預測值，藉此而監視處理室狀態。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理设备及等离子处理方法；也就是说，本发明系提供一种能够监视由设备状态变动所造成之加工结果之不均同时在设备状态发生变动之状态下而检测回复状态来进行是否可以处理之判断的等离子处理设备。在具有用以对于控制部10和晶圆2施加等离子处理之处理室1的等离子处理设备，处理室1系具备检测处理室内部之处理状态而输出复数个输出信号之等离子状态检测手段8、9，控制部10系具备：记忆过去晶圆处理结果信息和该过去晶圆处理时之等离子状态检测数据及有关于两者之关系式的功能13、由来自等离子状态检测手段8、9之处理室状态检测结果和前述关系式而算出处理结果之预测值的功能11、以及借由所算出之处理结果之预测值而评价处理室状态的功能12；在晶圆处理后，由相关关系式而算出处理结果之预测值，借此而监视处理室状态。

6. 发明专利

TWI309787B 半導體處理裝置用資料處理裝置 DATA PROCESSING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS 有权
简体标题：半导体处理设备用数据处理设备 DATA PROCESSING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI309787B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW091104302
申请日：2002-03-07
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中潤一 TANAKA, JUNICHI , 增田俊夫 MASUDA, TOSHIO , 鹿子島昭 , 幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI
IPC分类号： G06F , G06Q
摘要：具備:對晶圓實施加工處理的半導體處理裝置;收集伴隨著前述加工處理而生成的處理資料的資料收集裝置;以及抽出收集於前述資料收集裝置的前述處理資料,作成前述處理資料的複製之資料複製裝置。
而且,前述資料複製裝置可具備解析作成的複製資料,診斷前述處理裝置的處理狀態之資料解析部。
简体摘要：具备:对晶圆实施加工处理的半导体处理设备;收集伴随着前述加工处理而生成的处理数据的数据收集设备;以及抽出收集于前述数据收集设备的前述处理数据,作成前述处理数据的复制之数据复制设备。而且,前述数据复制设备可具备解析作成的复制数据,诊断前述处理设备的处理状态之数据解析部。

7. 发明专利

TW200641981A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW200641981A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094127157
申请日：2005-08-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 唐島陽助 KARASHIMA, YOSUKE , 松本英治 MATSUMOTO, EIJI
IPC分类号： H01L , B01J , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要：【課題】提供不伴隨稼動率之大幅降低，而可診斷裝置狀態之預防保全技術。【解決手段】具備：真空處理室1；及將該真空處理室內予以真空排氣之排氣裝置6；及對前述真空處理室內導入處理氣體之質量流控制器5；及在前述真空處理室內載置試料而加以吸附保持的載置電極；及對被導入之前述處理氣體施加高頻電力，使生成電漿之高頻電源8；及具備有將試料搬入前述載置電極上，將處理結束之試料予以搬出之搬運裝置之電漿處理裝置本體50；及控制該電漿處理裝置本體之裝置控制控制器13，該裝置控制控制器13係具備：依據事先所設定的步驟來控制電漿處理裝置本體，對所被搬入之試料施以各試料之處理的複數個處理程序；及於該複數個處理程序中之特定的處理程序之實行時，取得前述電漿處理裝置之裝置參數，以所取得之裝置參數為基礎，來診斷電漿處理裝置本體的狀態之良否的診斷裝置。
简体摘要：【课题】提供不伴随稼动率之大幅降低，而可诊断设备状态之预防保全技术。【解决手段】具备：真空处理室1；及将该真空处理室内予以真空排气之排气设备6；及对前述真空处理室内导入处理气体之质量流控制器5；及在前述真空处理室内载置试料而加以吸附保持的载置电极；及对被导入之前述处理气体施加高频电力，使生成等离子之高频电源8；及具备有将试料搬入前述载置电极上，将处理结束之试料予以搬出之搬运设备之等离子处理设备本体50；及控制该等离子处理设备本体之设备控制控制器13，该设备控制控制器13系具备：依据事先所设置的步骤来控制等离子处理设备本体，对所被搬入之试料施以各试料之处理的复数个处理进程；及于该复数个处理进程中之特定的处理进程之实行时，取得前述等离子处理设备之设备参数，以所取得之设备参数为基础，来诊断等离子处理设备本体的状态之良否的诊断设备。

8. 发明专利

TWI296828B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI296828B
公开(公告)日：2008-05-11
申请号：TW094127157
申请日：2005-08-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 唐島陽助 KARASHIMA, YOSUKE , 松本英治 MATSUMOTO, EIJI
IPC分类号： H01L , B01J , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要： [課題]提供不伴隨稼動率之大幅降低，而可診斷裝置狀態之預防保全技術。[解決手段]具備：真空處理室1；及將該真空處理室內予以真空排氣之排氣裝置6；及對前述真空處理室內導入處理氣體之質量流控制器5；及在前述真空處理室內載置試料而加以吸附保持的載置電極；及對被導入之前述處理氣體施加高頻電力，使生成電漿之高頻電源8；及具備有將試料搬入前述載置電極上，將處理結束之試料予以搬出之搬運裝置之電漿處理裝置本體50；及控制該電漿處理裝置本體之裝置控制控制器13，該裝置控制控制器13係具備；依據事先所設定的步驟來控制電漿處理裝置本體，對所被搬入之試料施以各試料之處理的複數個處理程序；及於該複數個處理程序中之特定的處理程序之實行時，取得前述電漿處理裝置之裝置參數，以所取得之裝置參數為基礎，來診斷電漿處理裝置本體的狀態之良否的診斷裝置。
简体摘要： [课题]提供不伴随稼动率之大幅降低，而可诊断设备状态之预防保全技术。[解决手段]具备：真空处理室1；及将该真空处理室内予以真空排气之排气设备6；及对前述真空处理室内导入处理气体之质量流控制器5；及在前述真空处理室内载置试料而加以吸附保持的载置电极；及对被导入之前述处理气体施加高频电力，使生成等离子之高频电源8；及具备有将试料搬入前述载置电极上，将处理结束之试料予以搬出之搬运设备之等离子处理设备本体50；及控制该等离子处理设备本体之设备控制控制器13，该设备控制控制器13系具备；依据事先所设置的步骤来控制等离子处理设备本体，对所被搬入之试料施以各试料之处理的复数个处理进程；及于该复数个处理进程中之特定的处理进程之实行时，取得前述等离子处理设备之设备参数，以所取得之设备参数为基础，来诊断等离子处理设备本体的状态之良否的诊断设备。

9. 实用新型

TWM322699U 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWM322699U
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW096208602
申请日：2002-03-07
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子島昭 , 幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 田中潤一 TANAKA, JUNICHI
IPC分类号： H05H
摘要：以提供一種操作容易並可進行正確處理之電漿處理裝置為目的。係利用容器內予以發生之電漿以進行試料處理之電漿處理裝置，而含有被配置於上述容器內其內側裝載上述試料之透光性構件，與被設置於上述容器以受光上述透光性構件內側光之光檢手段，且具有使用在處理上述試料前自上述透光性構件內側光所檢出之資料及在處理上述試料中自上述透光性構件內側光所檢出之資料以檢測上述狀態之功能。
简体摘要：以提供一种操作容易并可进行正确处理之等离子处理设备为目的。系利用容器内予以发生之等离子以进行试料处理之等离子处理设备，而含有被配置于上述容器内其内侧装载上述试料之透光性构件，与被设置于上述容器以受光上述透光性构件内侧光之光检手段，且具有使用在处理上述试料前自上述透光性构件内侧光所检出之数据及在处理上述试料中自上述透光性构件内侧光所检出之数据以检测上述状态之功能。

10. 发明专利

TWI278907B 電漿處理裝置之監視裝置及監視方法失效
简体标题：等离子处理设备之监视设备及监视方法
公开(公告)号：TWI278907B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW091119579
申请日：2002-08-28
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：佐佐木一郎 SASAKI, ICHIRO , 增田俊夫 MASUDA, TOSHIO , 古瀨宗雄 FURUSE, MUNEO , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32935
摘要：本發明之課題為預測電漿處理裝置之異常放電的產生，或迅速地偵測該發生。為此，如圖1為參考，予以配備：收容了具備形成有要供應處理氣體用之氣體供應孔的導電性板115之上部電極110及具備有載置試件用載置台之下部電極130的真空處理室100；供處理氣體給予前述上部電極110的前述氣體供應孔用的處理氣體供應機構117乃用於排氣前述真空處理室用之排氣機構106；施加高頻電力(功率)於前述上部電極來生成電漿於上部電極和下部電極間的高頻電源121；施加高頻電力於前述上部電極來產生直流偏壓電位於上部電極的高頻偏壓電源122；及依據生成於前述上部電極之直流偏壓電位來判斷是否發生異常放電用的異常放電判斷機構。
简体摘要：本发明之课题为预测等离子处理设备之异常放电的产生，或迅速地侦测该发生。为此，如图1为参考，予以配备：收容了具备形成有要供应处理气体用之气体供应孔的导电性板115之上部电极110及具备有载置试件用载置台之下部电极130的真空处理室100；供处理气体给予前述上部电极110的前述气体供应孔用的处理气体供应机构117乃用于排气前述真空处理室用之排气机构106；施加高频电力(功率)于前述上部电极来生成等离子于上部电极和下部电极间的高频电源121；施加高频电力于前述上部电极来产生直流偏压电位于上部电极的高频偏压电源122；及依据生成于前述上部电极之直流偏压电位来判断是否发生异常放电用的异常放电判断机构。

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