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1. 发明专利

TWI308371B 半導體處理裝置之控制方法有权
简体标题：半导体处理设备之控制方法
公开(公告)号：TWI308371B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW092103937
申请日：2003-02-25
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：田中潤一 TANAKA, JUNICHI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種不必變更控制過程處理程序,以高開工率可運用的半導體處理裝置之控制方法。
一種半導體處理裝置之控制方法,其係將包含真空處理容器,在該真空處理容器內生成電漿的電漿生成裝置,及上述真空處理室內的電漿清洗的過程處理程序保持成一定並控制過程的半導體處理裝置之過程控制方法,其特徵為:
以配置於上述半導體處理裝置的感測器所檢測的感測器資料為基礎來檢測上述過程的異常,當檢測異常時,實行去除儲存在上述真空處理容器內的堆積物的恢復步驟。
简体摘要：提供一种不必变更控制过程处理进程,以高开工率可运用的半导体处理设备之控制方法。一种半导体处理设备之控制方法,其系将包含真空处理容器,在该真空处理容器内生成等离子的等离子生成设备,及上述真空处理室内的等离子清洗的过程处理进程保持成一定并控制过程的半导体处理设备之过程控制方法,其特征为: 以配置于上述半导体处理设备的传感器所检测的传感器数据为基础来检测上述过程的异常,当检测异常时,实行去除存储在上述真空处理容器内的堆积物的恢复步骤。

2. 发明专利

TW200735207A 蝕刻處理裝置及自偏壓測定方法以及蝕刻處理裝置之監控方法失效
简体标题：蚀刻处理设备及自偏压测定方法以及蚀刻处理设备之监控方法
公开(公告)号：TW200735207A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095131150
申请日：2006-08-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00
摘要：本發明的課題在於以簡單的步驟,推定在任意蝕刻條件下之自偏壓。本發明係一種具有:用以吸附試料2之靜電吸附機構1、10;將冷卻氣體12充填於試料2的背面,且控制其壓力之機構13、14;以及由處理中之試料2的背面壓力的控制狀態,來測定試料之相對靜電吸附力的手段之蝕刻處理裝置中的自偏壓測定方法,其特徵為:由處理中之試料2已施加高頻偏置電力時的試料2之背面壓力的控制狀態,取得前述試料之相對靜電吸附力及與該靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓;由處理中之前述試料未施加高頻偏置電力時的前述試料之背面壓力的控制狀態,取得前述試料之相對靜電吸附力及與該靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓,使用所取得之兩者靜電吸附力及與靜電吸附力相對應的靜電吸附電壓,來推定自偏壓。
简体摘要：本发明的课题在于以简单的步骤,推定在任意蚀刻条件下之自偏压。本发明系一种具有:用以吸附试料2之静电吸附机构1、10;将冷却气体12充填于试料2的背面,且控制其压力之机构13、14;以及由处理中之试料2的背面压力的控制状态,来测定试料之相对静电吸附力的手段之蚀刻处理设备中的自偏压测定方法,其特征为:由处理中之试料2已施加高频偏置电力时的试料2之背面压力的控制状态,取得前述试料之相对静电吸附力及与该静电吸附力相对应的静电吸附电压;由处理中之前述试料未施加高频偏置电力时的前述试料之背面压力的控制状态,取得前述试料之相对静电吸附力及与该静电吸附力相对应的静电吸附电压,使用所取得之两者静电吸附力及与静电吸附力相对应的静电吸附电压,来推定自偏压。

3. 发明专利

TW200641981A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW200641981A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094127157
申请日：2005-08-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 唐島陽助 KARASHIMA, YOSUKE , 松本英治 MATSUMOTO, EIJI
IPC分类号： H01L , B01J , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要：【課題】提供不伴隨稼動率之大幅降低，而可診斷裝置狀態之預防保全技術。【解決手段】具備：真空處理室1；及將該真空處理室內予以真空排氣之排氣裝置6；及對前述真空處理室內導入處理氣體之質量流控制器5；及在前述真空處理室內載置試料而加以吸附保持的載置電極；及對被導入之前述處理氣體施加高頻電力，使生成電漿之高頻電源8；及具備有將試料搬入前述載置電極上，將處理結束之試料予以搬出之搬運裝置之電漿處理裝置本體50；及控制該電漿處理裝置本體之裝置控制控制器13，該裝置控制控制器13係具備：依據事先所設定的步驟來控制電漿處理裝置本體，對所被搬入之試料施以各試料之處理的複數個處理程序；及於該複數個處理程序中之特定的處理程序之實行時，取得前述電漿處理裝置之裝置參數，以所取得之裝置參數為基礎，來診斷電漿處理裝置本體的狀態之良否的診斷裝置。
简体摘要：【课题】提供不伴随稼动率之大幅降低，而可诊断设备状态之预防保全技术。【解决手段】具备：真空处理室1；及将该真空处理室内予以真空排气之排气设备6；及对前述真空处理室内导入处理气体之质量流控制器5；及在前述真空处理室内载置试料而加以吸附保持的载置电极；及对被导入之前述处理气体施加高频电力，使生成等离子之高频电源8；及具备有将试料搬入前述载置电极上，将处理结束之试料予以搬出之搬运设备之等离子处理设备本体50；及控制该等离子处理设备本体之设备控制控制器13，该设备控制控制器13系具备：依据事先所设置的步骤来控制等离子处理设备本体，对所被搬入之试料施以各试料之处理的复数个处理进程；及于该复数个处理进程中之特定的处理进程之实行时，取得前述等离子处理设备之设备参数，以所取得之设备参数为基础，来诊断等离子处理设备本体的状态之良否的诊断设备。

4. 发明专利

TW200937518A 蝕刻終點判定方法审中-公开
简体标题：蚀刻终点判定方法
公开(公告)号：TW200937518A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097129525
申请日：2008-08-04
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：內田丈滋 UCHIDA, HIROSHIGE , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32935
摘要：【【課題】】將蝕刻終點附近之微小的發光强度變化確實地且在更早的階段時檢測出來,而迅速且確實地判定蝕刻之終點。【【解決手段】】在將處理氣體經由氣體導入手段而導入至真空處理室(102)中,並對所導入之處理氣體供給高頻能量而產生電漿,再使用所產生之電漿,來對被收容在前述處理室內之被處理體施加電漿處理的電漿蝕刻裝置中,判定蝕刻處理之終點的蝕刻終點判定方法,其特徵為,具備有:將在前述真空處理室內所生成之電漿的發光中之預先所設定的波長之光抽出,並將所抽出之前述特定波長之光的發光强度作為時間系列資料來取得,再以所取得之前述時間系列資料為依據來演算出回歸直線的步驟;和演算出藉由該步驟所求取出之回歸直線與前述時間系列資料間之時間軸方向之距離的步驟,並以藉由該步驟所求取出之時間軸方向之距離為依據,而判定蝕刻處理之終點判定器。
简体摘要：【【课题】】将蚀刻终点附近之微小的发光强度变化确实地且在更早的阶段时检测出来,而迅速且确实地判定蚀刻之终点。【【解决手段】】在将处理气体经由气体导入手段而导入至真空处理室(102)中,并对所导入之处理气体供给高频能量而产生等离子,再使用所产生之等离子,来对被收容在前述处理室内之被处理体施加等离子处理的等离子蚀刻设备中,判定蚀刻处理之终点的蚀刻终点判定方法,其特征为,具备有:将在前述真空处理室内所生成之等离子的发光中之预先所设置的波长之光抽出,并将所抽出之前述特定波长之光的发光强度作为时间系列数据来取得,再以所取得之前述时间系列数据为依据来演算出回归直线的步骤;和演算出借由该步骤所求取出之回归直线与前述时间系列数据间之时间轴方向之距离的步骤,并以借由该步骤所求取出之时间轴方向之距离为依据,而判定蚀刻处理之终点判定器。

5. 发明专利

TWI296828B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI296828B
公开(公告)日：2008-05-11
申请号：TW094127157
申请日：2005-08-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：幾原祥二 IKUHARA, SHOJI , 白石大輔 SHIRAISHI, DAISUKE , 山本秀之 YAMAMOTO, HIDEYUKI , 鹿子昭 KAGOSHIMA, AKIRA , 榎並弘充 ENAMI, HIROMICHI , 唐島陽助 KARASHIMA, YOSUKE , 松本英治 MATSUMOTO, EIJI
IPC分类号： H01L , B01J , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要： [課題]提供不伴隨稼動率之大幅降低，而可診斷裝置狀態之預防保全技術。[解決手段]具備：真空處理室1；及將該真空處理室內予以真空排氣之排氣裝置6；及對前述真空處理室內導入處理氣體之質量流控制器5；及在前述真空處理室內載置試料而加以吸附保持的載置電極；及對被導入之前述處理氣體施加高頻電力，使生成電漿之高頻電源8；及具備有將試料搬入前述載置電極上，將處理結束之試料予以搬出之搬運裝置之電漿處理裝置本體50；及控制該電漿處理裝置本體之裝置控制控制器13，該裝置控制控制器13係具備；依據事先所設定的步驟來控制電漿處理裝置本體，對所被搬入之試料施以各試料之處理的複數個處理程序；及於該複數個處理程序中之特定的處理程序之實行時，取得前述電漿處理裝置之裝置參數，以所取得之裝置參數為基礎，來診斷電漿處理裝置本體的狀態之良否的診斷裝置。
简体摘要： [课题]提供不伴随稼动率之大幅降低，而可诊断设备状态之预防保全技术。[解决手段]具备：真空处理室1；及将该真空处理室内予以真空排气之排气设备6；及对前述真空处理室内导入处理气体之质量流控制器5；及在前述真空处理室内载置试料而加以吸附保持的载置电极；及对被导入之前述处理气体施加高频电力，使生成等离子之高频电源8；及具备有将试料搬入前述载置电极上，将处理结束之试料予以搬出之搬运设备之等离子处理设备本体50；及控制该等离子处理设备本体之设备控制控制器13，该设备控制控制器13系具备；依据事先所设置的步骤来控制等离子处理设备本体，对所被搬入之试料施以各试料之处理的复数个处理进程；及于该复数个处理进程中之特定的处理进程之实行时，取得前述等离子处理设备之设备参数，以所取得之设备参数为基础，来诊断等离子处理设备本体的状态之良否的诊断设备。

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