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    • 2. 发明专利
    • 可撓性元件基板形成用組成物
    • 可挠性组件基板形成用组成物
    • TW201833181A
    • 2018-09-16
    • TW106140874
    • 2017-11-24
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 葉鎮嘉YE, CHENJIA北浩KITA, HIROSHI
    • C08G73/10C08L79/08C08J5/18H05K1/03
    • 本發明的課題為以提供一種可撓性元件基板形成用組成物作為目的,其係給予維持所謂耐熱性優異,且遲延(Retardation)低,柔軟性優異,進而透明性亦優異之優異性能,同時作為基底薄膜具有優異性能之樹脂薄膜,該基底薄膜係藉由LLO法可輕易從玻璃載體剝離之可撓性顯示器基板等之可撓性元件基板的基底薄膜。   本發明的解決手段為一種可撓性元件基板形成用組成物,其係包含:包含脂環式四羧酸二酐之四羧酸二酐成分、與包含含氟芳香族二胺及式(D1)表示之二胺之二胺成分的反應物之聚醯亞胺,及有機溶劑。 [式中,E表示 (式中,E1及E2互相獨立表示-CO-NH-、-NH-CO-、-O-、-S-、-SO-或-SO2-,R互相獨立表示氫原子、CH3或CF3,*表示鍵結部)]。
    • 本发明的课题为以提供一种可挠性组件基板形成用组成物作为目的,其系给予维持所谓耐热性优异,且迟延(Retardation)低,柔软性优异,进而透明性亦优异之优异性能,同时作为基底薄膜具有优异性能之树脂薄膜,该基底薄膜系借由LLO法可轻易从玻璃载体剥离之可挠性显示器基板等之可挠性组件基板的基底薄膜。   本发明的解决手段为一种可挠性组件基板形成用组成物,其系包含:包含脂环式四羧酸二酐之四羧酸二酐成分、与包含含氟芳香族二胺及式(D1)表示之二胺之二胺成分的反应物之聚酰亚胺,及有机溶剂。 [式中,E表示 (式中,E1及E2互相独立表示-CO-NH-、-NH-CO-、-O-、-S-、-SO-或-SO2-,R互相独立表示氢原子、CH3或CF3,*表示键结部)]。
    • 10. 发明专利
    • 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件
    • 液晶配向剂、液晶配向膜及液晶显示组件
    • TW201843297A
    • 2018-12-16
    • TW107112824
    • 2018-04-13
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 北浩KITA, HIROSHI結城達也YUKI, TATSUYA
    • C09K19/56C08G73/10C07D207/452C07D403/04G02F1/1337G02F1/13
    • 一種液晶配向劑,其係含有由具有下述式(1)所示構造之二胺所得之聚合物。 R1表示氫原子、碳數1~5之直鏈或可分枝之烷基或芳基,於相同馬來醯亞胺環上之2個R1可互為相同亦可為相異,2個R1亦可一同形成碳數3~6之伸烷基,W2表示2價有機基,W1表示單鍵或羰基,L1表示選自碳數1~20之直鏈狀伸烷基、碳數3~20之分枝狀伸烷基、碳數3~20之環狀伸烷基、伸苯基及雜環基之二價基,或該二價基複數鍵結而成之基,伸苯基及雜環基係各自獨立亦可被選自烷基、烷氧基、鹵烷基、鹵烷氧基、鹵素基及氰基之相同或相異之1個或複數取代基所取代,該二價基彼此之鍵結為選自單鍵、酯鍵、醯胺鍵、脲鍵、醚鍵、硫醚鍵、胺基鍵及羰基之至少一種,該二價基為複數時,二價基彼此可為相同亦可為相異,上述鍵結為複數時,鍵結彼此可為相同亦可為相異,R表示氫原子或一價有機基,2個R可互為相異,2個R亦可一同形成碳數1~6之伸烷基,2個R之兩者或任一者亦可鍵結於L1。
    • 一种液晶配向剂,其系含有由具有下述式(1)所示构造之二胺所得之聚合物。 R1表示氢原子、碳数1~5之直链或可分枝之烷基或芳基,于相同马来酰亚胺环上之2个R1可互为相同亦可为相异,2个R1亦可一同形成碳数3~6之伸烷基,W2表示2价有机基,W1表示单键或羰基,L1表示选自碳数1~20之直链状伸烷基、碳数3~20之分枝状伸烷基、碳数3~20之环状伸烷基、伸苯基及杂环基之二价基,或该二价基复数键结而成之基,伸苯基及杂环基系各自独立亦可被选自烷基、烷氧基、卤烷基、卤烷氧基、卤素基及氰基之相同或相异之1个或复数取代基所取代,该二价基彼此之键结为选自单键、酯键、酰胺键、脲键、醚键、硫醚键、胺基键及羰基之至少一种,该二价基为复数时,二价基彼此可为相同亦可为相异,上述键结为复数时,键结彼此可为相同亦可为相异,R表示氢原子或一价有机基,2个R可互为相异,2个R亦可一同形成碳数1~6之伸烷基,2个R之两者或任一者亦可键结于L1。