专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI691485B 二胺化合物其及中間體之製造方法有权
简体标题：二胺化合物其及中间体之制造方法
公开(公告)号：TWI691485B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105107205
申请日：2016-03-09
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 森本佳道 , MORIMOTO, YOSHIMICHI
IPC分类号： C07D211/26 , C07B61/00

2. 发明专利

TWI617889B 含有具有環狀二酯基之矽的抗蝕下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具有环状二酯基之硅的抗蚀下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI617889B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW102147237
申请日：2013-12-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：菅野裕太 , KANNO, YUTA , 佐久間大輔 , SAKUMA, DAISUKE , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/075
CPC分类号： C08G77/18 , C07F7/1836 , C08G77/14 , C08G77/26 , C08G77/28 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144

3. 发明专利

TW202026340A 矽烷审中-公开
简体标题：硅烷
公开(公告)号：TW202026340A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108146689
申请日：2015-06-17
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI
IPC分类号： C08G77/28 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：提供一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其使用亦能吸收KrF光的水解性矽烷之水解縮合物，用以形成可作為硬遮罩使用之阻劑下層膜。含有水解性矽烷、其水解物或其水解縮合物作為矽烷，該水解性矽烷含有以式(1)所示之水解性矽烷，該矽烷全體中硫原子相對於矽原子的比例為7莫耳%以上之微影用阻劑下層膜形成組成物。藉由將阻劑下層膜形成組成物塗佈於半導體基板上並燒成，以獲得阻劑下層膜。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1係表示以式(2)所示之有機基，且以Si-C鍵結與矽原子鍵結者。R3係表示烷氧基、醯氧基或鹵素基。a係表示1的整數，b係表示0至2的整數，a+b係表示1至3的整數〕。
简体摘要：提供一种微影用阻剂下层膜形成组成物，其使用亦能吸收KrF光的水解性硅烷之水解缩合物，用以形成可作为硬遮罩使用之阻剂下层膜。含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物作为硅烷，该水解性硅烷含有以式(1)所示之水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7莫耳%以上之微影用阻剂下层膜形成组成物。借由将阻剂下层膜形成组成物涂布于半导体基板上并烧成，以获得阻剂下层膜。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1系表示以式(2)所示之有机基，且以Si-C键结与硅原子键结者。R3系表示烷氧基、酰氧基或卤素基。a系表示1的整数，b系表示0至2的整数，a+b系表示1至3的整数〕。

4. 发明专利

TW201638255A 包含具有含鹵素的羧酸醯胺基之水解性矽烷之微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具有含卤素的羧酸酰胺基之水解性硅烷之微影蚀刻用光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201638255A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104141152
申请日：2015-12-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/08 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/76 , G03F1/80
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/26 , C08G2261/135 , C08G2261/3142 , C08G2261/3241 , C08G2261/76 , C09D165/00 , C09D183/08 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144
摘要：提供一種可作為硬遮罩使用之微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物。其為含有三鹵(Trihalogeno)乙醯胺骨架，故可提高圖型之解析性。一種微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物，其中，矽烷為包含水解性矽烷、其水解物、其水解縮合物，或該些之組合，該水解性矽烷為包含具有含鹵素的羧酸醯胺基之矽烷。具有含鹵素的羧酸醯胺基之矽烷為式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1為式(2)：。鹵素原子為氟原子。含鹵素的羧酸醯胺基為三氟乙醯胺基。該水解性矽烷為，式(1)所示水解性矽烷與其他水解性矽烷之組合。光阻底層膜形成組成物經塗佈於半導體基板上，經燒結而得之光阻底層膜。
简体摘要：提供一种可作为硬遮罩使用之微影蚀刻用光阻底层膜形成组成物。其为含有三卤(Trihalogeno)乙酰胺骨架，故可提高图型之解析性。一种微影蚀刻用光阻底层膜形成组成物，其中，硅烷为包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物，或该些之组合，该水解性硅烷为包含具有含卤素的羧酸酰胺基之硅烷。具有含卤素的羧酸酰胺基之硅烷为式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1为式(2)：。卤素原子为氟原子。含卤素的羧酸酰胺基为三氟乙酰胺基。该水解性硅烷为，式(1)所示水解性硅烷与其他水解性硅烷之组合。光阻底层膜形成组成物经涂布于半导体基板上，经烧结而得之光阻底层膜。

5. 发明专利

TW201512296A 含有三羥基萘酚醛清漆樹脂之抗蝕下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有三羟基萘酚醛清漆树脂之抗蚀下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201512296A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103120840
申请日：2014-06-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA
IPC分类号： C08L65/00 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/091
摘要：本發明係關於提供一種使用於半導體裝置製造之具備光刻加工耐熱性及圖型耐彎曲性之抗蝕下層膜形成組成物。更詳細為提供一種含有下述聚合物之光刻用抗蝕下層膜形成組成物，該聚合物為具有下述式(1)所示單位結構者；式(1)： (式(1)中，A為具有來自三羥基萘的羥基取代亞萘基之3個羥基，B為2至4個苯環經縮合之1價縮合芳香族烴環基)所示單位結構的聚合物。
简体摘要：本发明系关于提供一种使用于半导体设备制造之具备光刻加工耐热性及图型耐弯曲性之抗蚀下层膜形成组成物。更详细为提供一种含有下述聚合物之光刻用抗蚀下层膜形成组成物，该聚合物为具有下述式(1)所示单位结构者；式(1)： (式(1)中，A为具有来自三羟基萘的羟基取代亚萘基之3个羟基，B为2至4个苯环经缩合之1价缩合芳香族烃环基)所示单位结构的聚合物。

6. 发明专利

TWI681019B 包含具有含鹵素的羧酸醯胺基之水解性矽烷之微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物有权
简体标题：包含具有含卤素的羧酸酰胺基之水解性硅烷之微影蚀刻用光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI681019B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104141152
申请日：2015-12-08
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/08 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/76 , G03F1/80

7. 发明专利

TW201716872A 感放射線性組成物审中-公开
简体标题：感放射线性组成物
公开(公告)号：TW201716872A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105118249
申请日：2016-06-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU
IPC分类号： G03F7/075 , C08L83/04 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/0757 , C07F7/18 , C07F7/1836 , C08G77/06 , C08G77/14 , C08G77/18 , C08G77/50 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題為提供一種感放射線性組成物，其係以展現出酚醛塑料交聯反應性的矽氧烷聚合物來作為基底樹脂，解析度為優異、且可精度良好地形成所期望形狀之圖型。解決手段為一種感放射線性組成物，其係包含作為矽烷的水解性矽烷、該水解物、或該水解縮合物、與光酸產生劑，該水解性矽烷係包含式(1)及式(2)。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1係表示式(1-2)：所表示的有機基且藉由Si-C鍵或Si-O鍵而與矽原子鍵結，係表示有機基，R3係表示水解性基〕，【化3】R7cR8dSi(R9)4-(c+d) 式(2)〔式(2)中，R7係式(2-1)：所表示的有機基且藉由Si-C鍵而與矽原子鍵結，R8係有機基且藉由Si-C鍵而與矽原子鍵結，R9係表示水解性基〕。
简体摘要：本发明之课题为提供一种感放射线性组成物，其系以展现出酚醛塑料交联反应性的硅氧烷聚合物来作为基底树脂，分辨率为优异、且可精度良好地形成所期望形状之图型。解决手段为一种感放射线性组成物，其系包含作为硅烷的水解性硅烷、该水解物、或该水解缩合物、与光酸产生剂，该水解性硅烷系包含式(1)及式(2)。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1系表达式(1-2)：所表示的有机基且借由Si-C键或Si-O键而与硅原子键结，系表示有机基，R3系表示水解性基〕，【化3】R7cR8dSi(R9)4-(c+d) 式(2)〔式(2)中，R7系式(2-1)：所表示的有机基且借由Si-C键而与硅原子键结，R8系有机基且借由Si-C键而与硅原子键结，R9系表示水解性基〕。

8. 发明专利

TW201421166A 含有具有雜原子的環狀有機基之含矽阻劑底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具有杂原子的环状有机基之含硅阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201421166A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102134295
申请日：2013-09-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：菅野裕太 , KANNO, YUTA , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , G03F1/48 , C08L83/04 , C08L83/08 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , C08G77/14 , C08G77/26 , C08G77/28 , C08G77/80 , C08L83/06 , C08L83/08 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： [課題]提供微影技術用阻劑底層膜形成組成物。[解決手段]含有矽烷，作為矽烷含有水解性有機矽烷、其水解物及其水解縮合物中之至少1種，且該矽烷為具有環構成原子中含有碳原子與氮原子與彼等原子以外之雜原子的環狀有機基之矽烷的微影技術用阻劑底層膜形成組成物。上述水解性有機矽烷為式(1)： (式(1)中，R1、R2、及R3中至少1個基介由碳原子數1乃至10之伸烷基而鍵結有-Si(X)3基的基，剩餘基為氫原子、碳原子數1乃至10之烷基、或碳原子數6乃至40之芳基，環A為含有碳原子與至少1個氮原子作為環構成原子，更且含有硫原子或氧原子的5乃至10員環的環狀有機基，X為烷氧基、醯氧基、或鹵原子。)所表示的水解性有機矽烷。
简体摘要： [课题]提供微影技术用阻剂底层膜形成组成物。[解决手段]含有硅烷，作为硅烷含有水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中之至少1种，且该硅烷为具有环构成原子中含有碳原子与氮原子与彼等原子以外之杂原子的环状有机基之硅烷的微影技术用阻剂底层膜形成组成物。上述水解性有机硅烷为式(1)： (式(1)中，R1、R2、及R3中至少1个基介由碳原子数1乃至10之伸烷基而键结有-Si(X)3基的基，剩余基为氢原子、碳原子数1乃至10之烷基、或碳原子数6乃至40之芳基，环A为含有碳原子与至少1个氮原子作为环构成原子，更且含有硫原子或氧原子的5乃至10员环的环状有机基，X为烷氧基、酰氧基、或卤原子。)所表示的水解性有机硅烷。

9. 发明专利

TW201336896A 含矽烷醇基的聚矽氧烷溶液之安定化方法、安定化的含矽烷醇基的聚矽氧烷溶液之製造方法及安定化的含矽烷醇基的聚矽氧烷溶液审中-公开
简体标题：含硅烷醇基的聚硅氧烷溶液之安定化方法、安定化的含硅烷醇基的聚硅氧烷溶液之制造方法及安定化的含硅烷醇基的聚硅氧烷溶液
公开(公告)号：TW201336896A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140140
申请日：2012-10-30
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 北浩 , KITA, HIROSHI
IPC分类号： C08G77/32 , C08G77/16 , B01J47/00
CPC分类号： C08L83/06 , C08G77/16 , C08G77/32 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08L25/18 , C08L83/04 , C08L101/02
摘要：本發明係提供一種可明顯地提昇含矽烷醇基的聚矽氧烷溶液之保存安定性的含矽烷醇基之聚矽氧烷溶液的安定化方法。本發明之解決手段係使含有含矽烷醇基的聚矽氧烷之含矽烷醇基的聚矽氧烷溶液在醇溶劑的存在下以陽離子交換樹脂處理。
简体摘要：本发明系提供一种可明显地提升含硅烷醇基的聚硅氧烷溶液之保存安定性的含硅烷醇基之聚硅氧烷溶液的安定化方法。本发明之解决手段系使含有含硅烷醇基的聚硅氧烷之含硅烷醇基的聚硅氧烷溶液在醇溶剂的存在下以阳离子交换树脂处理。

10. 发明专利

TWI626263B 含有經取代之交聯性化合物之光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有经取代之交联性化合物之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI626263B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW103122066
申请日：2014-06-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU
IPC分类号： C08K5/13 , G03F7/11

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式