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1. 发明专利

TW201829670A 使用溶劑取代法之阻劑圖型塗佈用組成物之製造方法审中-公开
简体标题：使用溶剂取代法之阻剂图型涂布用组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201829670A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134159
申请日：2017-10-03
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/04 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： [課題] 提供用以於溶劑顯影微影術製程中塗佈於經圖型化之阻劑膜上而使圖型反轉之塗佈用組成物之製造方法。　　[解決手段] 一種塗佈於經圖型化之阻劑膜的組成物之製造方法，其包含將水解性矽烷於非醇系親水性溶劑中水解並縮合而得到水解縮合物之步驟(A)、對於該水解縮合物將其非醇系親水性溶劑進行溶劑取代為疏水性溶劑之步驟(B)。一種半導體裝置之製造方法，其包含於基板上塗佈阻劑組成物而形成阻劑膜之步驟(1)、將該阻劑膜曝光與顯影之步驟(2)、於步驟(2)之顯影中或顯影後所得到的經圖型化之阻劑膜塗佈藉由上述之製造方法所得到之組成物，於圖型間形成塗膜之步驟(3)、將經圖型化之阻劑膜蝕刻去除而使圖型反轉之步驟(4)。一種製造方法，其中曝光係使用ArF雷射(波長193nm)或EUV(波長13.5nm)來進行。一種製造方法，其中顯影為以有機溶劑所進行之負型顯影。
简体摘要： [课题] 提供用以于溶剂显影微影术制程中涂布于经图型化之阻剂膜上而使图型反转之涂布用组成物之制造方法。　　[解决手段] 一种涂布于经图型化之阻剂膜的组成物之制造方法，其包含将水解性硅烷于非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而得到水解缩合物之步骤(A)、对于该水解缩合物将其非醇系亲水性溶剂进行溶剂取代为疏水性溶剂之步骤(B)。一种半导体设备之制造方法，其包含于基板上涂布阻剂组成物而形成阻剂膜之步骤(1)、将该阻剂膜曝光与显影之步骤(2)、于步骤(2)之显影中或显影后所得到的经图型化之阻剂膜涂布借由上述之制造方法所得到之组成物，于图型间形成涂膜之步骤(3)、将经图型化之阻剂膜蚀刻去除而使图型反转之步骤(4)。一种制造方法，其中曝光系使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)来进行。一种制造方法，其中显影为以有机溶剂所进行之负型显影。

2. 发明专利

TW202026340A 矽烷审中-公开
简体标题：硅烷
公开(公告)号：TW202026340A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108146689
申请日：2015-06-17
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI
IPC分类号： C08G77/28 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：提供一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其使用亦能吸收KrF光的水解性矽烷之水解縮合物，用以形成可作為硬遮罩使用之阻劑下層膜。含有水解性矽烷、其水解物或其水解縮合物作為矽烷，該水解性矽烷含有以式(1)所示之水解性矽烷，該矽烷全體中硫原子相對於矽原子的比例為7莫耳%以上之微影用阻劑下層膜形成組成物。藉由將阻劑下層膜形成組成物塗佈於半導體基板上並燒成，以獲得阻劑下層膜。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1係表示以式(2)所示之有機基，且以Si-C鍵結與矽原子鍵結者。R3係表示烷氧基、醯氧基或鹵素基。a係表示1的整數，b係表示0至2的整數，a+b係表示1至3的整數〕。
简体摘要：提供一种微影用阻剂下层膜形成组成物，其使用亦能吸收KrF光的水解性硅烷之水解缩合物，用以形成可作为硬遮罩使用之阻剂下层膜。含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物作为硅烷，该水解性硅烷含有以式(1)所示之水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7莫耳%以上之微影用阻剂下层膜形成组成物。借由将阻剂下层膜形成组成物涂布于半导体基板上并烧成，以获得阻剂下层膜。【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1系表示以式(2)所示之有机基，且以Si-C键结与硅原子键结者。R3系表示烷氧基、酰氧基或卤素基。a系表示1的整数，b系表示0至2的整数，a+b系表示1至3的整数〕。

3. 发明专利

TWI691560B 可以濕式去除的含矽阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：可以湿式去除的含硅阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI691560B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW104137923
申请日：2015-11-17
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA
IPC分类号： C09D183/06 , C07F7/18 , C08J5/18 , G03F7/11 , H01L21/027

4. 发明专利

TWI689784B 包含具有碳酸酯骨架之水解性矽烷之微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：包含具有碳酸酯骨架之水解性硅烷之微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI689784B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105102714
申请日：2016-01-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 後藤裕一 , GOTO, YUICHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/28 , G03F7/40 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI646153B 含有含多酸之金屬的光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有含多酸之金属的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI646153B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103134886
申请日：2014-10-07
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/09 , C08K3/22 , C08K5/56 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027

6. 发明专利

TWI681019B 包含具有含鹵素的羧酸醯胺基之水解性矽烷之微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物有权
简体标题：包含具有含卤素的羧酸酰胺基之水解性硅烷之微影蚀刻用光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI681019B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104141152
申请日：2015-12-08
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/08 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/76 , G03F1/80

7. 发明专利

TWI697737B 感放射線性組成物有权
简体标题：感放射线性组成物
公开(公告)号：TWI697737B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105118249
申请日：2016-06-08
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU
IPC分类号： G03F7/075 , C08L83/04 , H01L21/027 , H01L21/308

8. 发明专利

TWI694097B 具有含苯基之發色團的含矽阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：具有含苯基之发色团的含硅阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI694097B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW104119602
申请日：2015-06-17
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI
IPC分类号： C08G77/28 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027

9. 发明专利

TWI688834B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI688834B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104127175
申请日：2015-08-20
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027

10. 发明专利

TW201829671A 包含具有二羥基之有機基的含矽阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具有二羟基之有机基的含硅阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201829671A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106137006
申请日：2017-10-27
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山□ , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 石橋謙 , ISHIBASHI, KEN , □本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/06 , C08G77/16 , C09D9/00 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種微影蝕刻步驟中，可作為硬遮罩使用的阻劑下層膜，其可使用藥液之濕式法、特別是可使用SPM(硫酸與過氧化氫水之混合水溶液)去除的含矽阻劑下層膜。　　[解決手段] 一種阻劑下層膜形成組成物，其特徵為含有：　　於含有相對於全水解性矽烷為10~90莫耳%之比例的具有環氧基之水解性矽烷的水解性矽烷，經鹼性物質水溶液而得之水解縮合物，與　　於包含該水解縮合物的反應系中，再經由無機酸或陽離子交換樹脂，進行環氧基之開環反應所生成之包含具有二羥基之有機基的水解縮合物。　　及，將該阻劑下層膜形成組成物塗佈於基板，經燒成後而製得之阻劑下層膜，其中，該阻劑下層膜可經含有具有1：1~4：1的H2SO4/H2O2之質量比的硫酸與過氧化氫之水溶液而去除。
简体摘要：本发明提供一种微影蚀刻步骤中，可作为硬遮罩使用的阻剂下层膜，其可使用药液之湿式法、特别是可使用SPM(硫酸与过氧化氢水之混合水溶液)去除的含硅阻剂下层膜。　　[解决手段] 一种阻剂下层膜形成组成物，其特征为含有：　　于含有相对于全水解性硅烷为10~90莫耳%之比例的具有环氧基之水解性硅烷的水解性硅烷，经碱性物质水溶液而得之水解缩合物，与　　于包含该水解缩合物的反应系中，再经由无机酸或阳离子交换树脂，进行环氧基之开环反应所生成之包含具有二羟基之有机基的水解缩合物。　　及，将该阻剂下层膜形成组成物涂布于基板，经烧成后而制得之阻剂下层膜，其中，该阻剂下层膜可经含有具有1：1~4：1的H2SO4/H2O2之质量比的硫酸与过氧化氢之水溶液而去除。

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