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1. 发明专利

TWI589611B 光學用聚合物及成形此聚合物之光學元件有权
简体标题：光学用聚合物及成形此聚合物之光学组件
公开(公告)号：TWI589611B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102147380
申请日：2013-12-20
申请人：日本傑恩股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：佐藤鮎美 , SATO, AYUMI , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 西岡寬哉 , NISHIOKA, HIROYA , 寳川卓士 , HOUKAWA, TAKASHI , 梅田謙治 , UMEDA, KENJI , 小松原拓也 , KOMATSUBARA, TAKUYA
IPC分类号： C08F32/08 , G02B1/04 , C08L101/12
CPC分类号： G02B1/041 , C08F232/08 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , G02B13/0015 , C08L23/18

2. 发明专利

TW201430004A 光學用聚合物及成形此聚合物之光學元件审中-公开
简体标题：光学用聚合物及成形此聚合物之光学组件
公开(公告)号：TW201430004A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102147380
申请日：2013-12-20
申请人：日本傑恩股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：佐藤鮎美 , SATO, AYUMI , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 西岡寬哉 , NISHIOKA, HIROYA , 寳川卓士 , HOUKAWA, TAKASHI , 梅田謙治 , UMEDA, KENJI , 小松原拓也 , KOMATSUBARA, TAKUYA
IPC分类号： C08F32/08 , G02B1/04 , C08L101/12
CPC分类号： G02B1/041 , C08F232/08 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , G02B13/0015 , C08L23/18
摘要：一種光學用聚合物，在290℃、剪切速度200(1/s)之熔融黏度為ηA，在290℃、剪切速度2000(1/s)之熔融黏度為ηB時，滿足下列之公式(1)：(ηA-ηB)/ηB×100＜60 (1)
简体摘要：一种光学用聚合物，在290℃、剪切速度200(1/s)之熔融黏度为ηA，在290℃、剪切速度2000(1/s)之熔融黏度为ηB时，满足下列之公式(1)：(ηA-ηB)/ηB×100＜60 (1)

3. 发明专利

TW201819192A 多層膜审中-公开
简体标题：多层膜
公开(公告)号：TW201819192A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106116070
申请日：2017-05-16
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：松田弘明 , MATSUDA, HIROAKI , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 周宏晃 , SHU, HIROAKI
IPC分类号： B32B27/30 , C08F297/04 , G02B1/14
摘要：本發明之目的係提供一種雙折射較小、具有優異的紫外線遮蔽性能及水蒸氣遮蔽性、表面硬度較高、不容易負傷且適合於偏光板保護膜之多層膜。本發明的多層膜，係包含：層(e)，其係含有相對於特定嵌段共聚物氫化物(D)100重量份，調配紫外線吸收劑1.0~15.0重量份而成之樹脂組成物(E)；樹脂層(f)，其係含有層積在該層(e)的至少一面之特定的熱可塑性樹脂(F)；及硬塗層(h)，其係層積在至少一個樹脂層(f)之與層(e)鄰接之面為相反側的面。
简体摘要：本发明之目的系提供一种双折射较小、具有优异的紫外线屏蔽性能及水蒸气屏蔽性、表面硬度较高、不容易负伤且适合于偏光板保护膜之多层膜。本发明的多层膜，系包含：层(e)，其系含有相对于特定嵌段共聚物氢化物(D)100重量份，调配紫外线吸收剂1.0~15.0重量份而成之树脂组成物(E)；树脂层(f)，其系含有层积在该层(e)的至少一面之特定的热可塑性树脂(F)；及硬涂层(h)，其系层积在至少一个树脂层(f)之与层(e)邻接之面为相反侧的面。

4. 发明专利

TW201623352A 嵌段共聚物氫化物以及由其所構成之延伸薄膜审中-公开
简体标题：嵌段共聚物氢化物以及由其所构成之延伸薄膜
公开(公告)号：TW201623352A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104133160
申请日：2015-10-08
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：齋藤大輔 , SAITOU, DAISUKE , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： C08F297/04 , C08F8/04 , C08L53/02 , C08J5/18 , G02B1/04 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： C08F8/04 , C08F212/08 , C08F236/06 , C08F297/04 , C08F297/046 , C08F2500/26 , C08J5/18 , C08L47/00 , G02B5/3033
摘要：本發明係提供一種嵌段共聚物氫化物、及由其所構成之延伸薄膜，其中該嵌段共聚物氫化物，係由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元[I]作為主成分之2個聚合物嵌段[A]、及以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元[I]及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元[II]作為主成分之1個聚合物嵌段[B]所構成的嵌段共聚物[C]氫化而成之嵌段共聚物氫化物，聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物[C]之重量分率設為wA，聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物[C]之重量分率設為wB時，wA和wB的比(wA：wB)為45：55~65：35，重複單元[I]占聚合物嵌段[B]之重量分率設為w[IB]，重複單元[II]占聚合物嵌段[B]之重量分率設為w[IIB]時，w[IB]和w[IIB]的比(w[IB]：w[IIB])為40：60~55：45，嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵的90%以上被氫化，重量平均分子量為60,000~150,000，依據動態黏彈性之低溫側的玻璃轉移溫度[Tg1]為0℃以上，且高溫側的玻璃轉移溫度[Tg2]為135℃以上。依照本發明能夠提供一種經改善耐熱性之新穎嵌段共聚物氫化物、及由該嵌段共聚物氫化物所構成之經改善對相位差變化的耐熱性之延伸薄膜。
简体摘要：本发明系提供一种嵌段共聚物氢化物、及由其所构成之延伸薄膜，其中该嵌段共聚物氢化物，系由以源自芳香族乙烯系化合物的重复单元[I]作为主成分之2个聚合物嵌段[A]、及以源自芳香族乙烯系化合物的重复单元[I]及源自链状共轭二烯化合物的重复单元[II]作为主成分之1个聚合物嵌段[B]所构成的嵌段共聚物[C]氢化而成之嵌段共聚物氢化物，聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物[C]之重量分率设为wA，聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物[C]之重量分率设为wB时，wA和wB的比(wA：wB)为45：55~65：35，重复单元[I]占聚合物嵌段[B]之重量分率设为w[IB]，重复单元[II]占聚合物嵌段[B]之重量分率设为w[IIB]时，w[IB]和w[IIB]的比(w[IB]：w[IIB])为40：60~55：45，嵌段共聚物[C]的总不饱和键的90%以上被氢化，重量平均分子量为60,000~150,000，依据动态黏弹性之低温侧的玻璃转移温度[Tg1]为0℃以上，且高温侧的玻璃转移温度[Tg2]为135℃以上。依照本发明能够提供一种经改善耐热性之新颖嵌段共聚物氢化物、及由该嵌段共聚物氢化物所构成之经改善对相位差变化的耐热性之延伸薄膜。

5. 发明专利

TWI672322B 嵌段共聚物氫化物以及由其所構成之延伸薄膜有权
简体标题：嵌段共聚物氢化物以及由其所构成之延伸薄膜
公开(公告)号：TWI672322B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW104133160
申请日：2015-10-08
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：齋藤大輔 , SAITOU, DAISUKE , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： C08F297/04 , C08F8/04 , C08L53/02 , C08J5/18 , G02B1/04 , G02B5/30 , G02F1/1335

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